【技术实现步骤摘要】
本申请属于电子电路，尤其涉及一种ab类放大器及芯片、电子设备。
技术介绍
1、电子电路通常采用负反馈来确保稳定性，这通常需要频率补偿。ab类放大器就是这样一种需要驱动电阻性和/或电容性负载的电路。米勒补偿技术是一种在ab类放大器补偿中广泛使用的成熟方法。米勒补偿的核心组件是一个通常被称为米勒电容的内部电容器。在将传统的米勒补偿用于驱动大容性负载的放大器时，通常有两种选择：1)使用一个大的米勒电容；2)用大电流偏置输出级，以获得大的跨导。这两种选择都受到电子芯片的面积和功耗要求的限制。
2、在相关的ab类放大器架构中，传统的米勒补偿是通过两条对称路径将输出反馈回来实现的，其中部署了两个相等的米勒电容器。然而，在该ab类放大器中没有对反馈进行倍增，无法减少在需要驱动大容性负载的应用中的版图面积和/或功率。
3、故相关的ab类放大器无法在驱动大容性负载的同时，减小版图面积和/或功率。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种ab类放大器及芯片、电子设备，旨在解决相关的ab类放大器调节范围小、精度差且版图面积大的问题。
2、本申请实施例提供了一种ab类放大器，其特征在于，包括：
3、输入电路，用于接入差分输入信号，并将所述差分输入信号转换为高边驱动信号和低边驱动信号；
4、轨到轨输出电路，与所述输入电路连接，用于根据所述高边驱动信号和所述低边驱动信号输出输出信号；
5、电容组件，与所述轨到轨输出电路连接，用于对所述输
6、电容倍增电路，与所述电容组件、所述输入电路和所述轨到轨输出电路连接，用于对所述反馈电流进行调节，以输出正极放大电流和负极放大电流；所述正极放大电流为第一偏置电流与所述反馈电流的和的预设倍数，所述负极放大电流为第一偏置电流与所述反馈电流的差的预设倍数；
7、所述轨到轨输出电路还用于在所述正极放大电流和所述负极放大电流的反馈作用下，根据所述高边驱动信号和所述低边驱动信号输出输出信号。
8、在其中一实施例中，所述电容倍增电路包括：
9、电流合成电路，与所述电容组件连接，用于根据所述反馈电流输出正极合成电流和负极合成电流；所述正极合成电流为第一偏置电流和所述反馈电流的和，所述负极合成电流为第一偏置电流和所述反馈电流的差；
10、第一电流镜，与所述电流合成电路、所述输入电路和所述轨到轨输出电路连接，用于对所述正极合成电流进行预设倍数的放大，以输出所述正极放大电流；
11、第二电流镜，与所述电流合成电路、所述输入电路和所述轨到轨输出电路连接，用于对所述负极合成电流进行预设倍数的放大，以输出所述负极放大电流。
12、在其中一实施例中，所述第一电流镜包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管；
13、所述第一pmos管的源极和所述第二pmos管的源极共接于正极电源，所述第一pmos管的漏极与所述第三pmos管的源极连接，所述第二pmos管的漏极与所述第四pmos管的源极连接；
14、所述第一pmos管的栅极、所述第二pmos管的栅极和所述第三pmos管的漏极共同作为所述第一电流镜的正极合成电流输入端，与所述电流合成电路连接，以接入所述正极合成电流；
15、所述第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极共同作为所述第一电流镜的第一电压输入端，与第一电压源v1连接，以接入第一电压；
16、所述第四pmos管的漏极作为所述第一电流镜的正极放大电流输出端，与所述输入电路和所述轨到轨输出电路连接，以输出所述正极放大电流。
17、在其中一实施例中，所述第二电流镜包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管；
18、所述第一nmos管的源极和所述第二nmos管的源极共接于负极电源，所述第一nmos管的漏极与所述第三nmos管的源极连接，所述第二nmos管的漏极与所述第四nmos管的源极连接；
19、所述第一nmos管的栅极、所述第二nmos管的栅极和所述第三nmos管的漏极共同作为所述第二电流镜的负极合成电流输入端，与所述电流合成电路连接，以接入所述负极合成电流；
20、所述第三nmos管的栅极和所述第四nmos管的栅极共同作为所述第二电流镜的第二电压输入端，与第二电压源连接，以接入第二电压；
21、所述第四nmos管的漏极作为所述第一电流镜的负极放大电流输出端，与所述输入电路和所述轨到轨输出电路连接，以输出所述负极放大电流。
22、在其中一实施例中，所述电流合成电路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管；
23、所述第一电流源的正极、所述第二电流源的正极和所述第三电流源的正极共接于正极电源；
24、所述第一电流源的负极、所述第四场效应管的漏极、所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极共同作为所述电流合成电路的反馈电流输入端，与所述电容组件连接，以接入所述反馈电流；
25、所述第二电流源的负极和所述第五场效应管的漏极共同作为所述电流合成电路的负极合成电流输出端，与所述第二电流镜连接，以输出所述负极合成电流；
26、所述第三电流源的负极和所述第六场效应管的漏极共同作为所述电流合成电路的正极合成电流输出端，与所述第一电流镜连接，以输出所述正极合成电流；
27、所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极和所述第六场效应管的栅极共同作为的第二电压输入端，与第二电压源连接，以接入第二电压；
28、所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极和所述第三场效应管的源极共接于负极电源；
29、其中，所述第一电流源输出的第一电流等于第一偏置电流与第二偏置电流的和；
30、所述第二电流源输出的第二电流等于所述第一偏置电流的两倍与所述第二偏置电流的和；
31、第三电流源输出的第三电流等于所述第二偏置电流。
32、在其中一实施例中，所述电流合成电路包括第四电流源、第五电流源、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管和第一电阻；
33、所述第四电流源的正极和所述第五电流源的正极共接于正极电源；
34、所述第一电阻的第一端作为所述电流合成电路的反馈电流输入端，与所述电容组件连接，以接入所述反馈电流；
35、所述第一电阻的第二端与所述第四电流源的负极、所述第十场效应管的漏极、所述第七场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极和所述第九场效应管的栅极连接；
36、所述第五电流源的负极和所述第十一场效应管的漏极共同作为所述电流合成电路的负极合成电流输出端，与所述第二电流镜连本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种AB类放大器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述电容倍增电路包括：
3.如权利要求2所述的AB类放大器，其特征在于，所述第一电流镜包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；
4.如权利要求2所述的AB类放大器，其特征在于，所述第二电流镜包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；
5.如权利要求2所述的AB类放大器，其特征在于，所述电流合成电路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管；
6.如权利要求2所述的AB类放大器，其特征在于，所述电流合成电路包括第四电流源、第五电流源、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管和第一电阻；
7.如权利要求1至6任意一项所述的AB类放大器，其特征在于，所述输入电路包括：
8.如权利要求7所述的AB类放大器，其特征在于，所述折叠式共源共栅电路
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1至8任意一项所述的AB类放大器。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至8任意一项所述的AB类放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种ab类放大器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的ab类放大器，其特征在于，所述电容倍增电路包括：
3.如权利要求2所述的ab类放大器，其特征在于，所述第一电流镜包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管；
4.如权利要求2所述的ab类放大器，其特征在于，所述第二电流镜包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管；
5.如权利要求2所述的ab类放大器，其特征在于，所述电流合成电路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑耿，杨国顺，高红玉，
申请(专利权)人：深圳精控集成半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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