【技术实现步骤摘要】
本申请涉及功率器件领域，特别是涉及一种mos管的eoss参数测量方法、装置及系统。
技术介绍
1、功率芯片在出厂前需要对其二十多项参数进行在线测试，确认是否良好，每项参数测量的所用时间直接关系到整个测试线的效率。其中，eoss参数是指在功率半导体器件工作时，存储在寄生电容coss中的能量。
2、传统的eoss参数测量方法使用线性电流校正电路（linear current correction，lcr）表结合高压电源，控制高压电源在不同的充电电压下进行充电，并多次取点读取coss参数，再计算等效电容co(er)参数，最后利用电容储能公式：eoss=(co(er))2*vds/2计算出eoss参数。其中，eoss表示存储在寄生电容coss中的能量，co(er)表示等效电容容值，vds表示充电电压值。
3、由于需要多次取点测量coss，以及需考虑lcr表所需的测量响应时间问题，这种方法存在测量时间长、精度不高和难以绘制准确eoss/vds曲线图的问题。
4、由此可见，如何解决eoss参数测量效率低的问题，是本领域人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种mos管的eoss参数测量方法、装置及系统，解决通过lcr表结合高压电源测量eoss参数效率低的问题。
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种mos管的eoss参数测量方法，包括：
3、控制恒流源向待测mos管输出目标恒流信号，为所述待测mos管的寄生电容
4、基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n个目标漏-源电压，n≥2；
5、控制恒压源向所述待测mos管输出目标恒压信号，为所述待测mos管的寄生电容充电；
6、采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流；
7、基于所述目标恒流信号、n个所述目标漏-源电压、n个所述目标漏电电流得到对应于所述待测mos管的eoss参数。
8、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，所述基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n个目标漏-源电压，包括：
9、获取预设电压扫描时间间隔；
10、基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n+1个漏-源电压；
11、基于任意相邻的第一漏-源电压与第二漏-源电压得到对应扫描时间间隔的目标漏-源电压。
12、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，所述采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流，包括：
13、获取n个所述目标漏-源电压；
14、根据任一所述目标漏-源电压控制恒压源为所述待测mos管施加相应的漏-源电压；
15、采集各所述目标漏-源电压对应的所述待测mos管的目标漏电电流。
16、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，所述控制恒流源向待测mos管输出目标恒流信号，为所述待测mos管的寄生电容充电，包括：
17、获取与所述待测mos管匹配的目标恒流信号，其中，所述目标恒流信号大于预设漏电电流；
18、控制恒流源根据目标恒流信号输出电流至待测mos管，并控制所述恒流源的电压钳位在预设漏-源电压值。
19、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，所述基于所述目标恒流信号、所述漏-源电压、所述漏电电流得到对应于所述待测mos管的eoss参数，包括：
20、根据第一公式得到每一段扫描时间间隔的能量变化：
21、所述第一公式为：δen=（i-idss ）*uc*(δt)/2；
22、其中，δen为当前段扫描时间间隔的能量变化值；i表示所述目标恒流信号；uc表示当前段扫描时间间隔对应的目标漏-源电压；idss表示当前目标漏-源电压对应的漏电电流；δt表示所述预设电压扫描时间间隔；
23、根据所述能量变化、所述第二公式得到每个目标漏-源电压对应的eoss参数；
24、所述第二公式为：eossn =∑δen；
25、其中，eossn表示第n个目标漏-源电压对应的eoss参数；∑δen表示当前目标漏-源电压之前所有扫描时间间隔对应的能量变化之和。
26、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，所述控制恒压源向所述待测mos管输出目标恒压信号，为所述待测mos管的寄生电容充电，包括：
27、根据各所述目标漏-源电压，控制恒压源为所述待测mos管施加恒压，并控制电流钳位在1ma。
28、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量方法中，还包括：
29、根据每个目标漏-源电压对应的eoss参数生成eoss-vds曲线图。
30、为解决上述技术问题，本申请还提供一种mos管的eoss参数测量装置，其特征在于，包括：
31、恒流充电模块，用于控制恒流源向待测mos管输出目标恒流信号，为所述待测mos管的寄生电容充电；
32、目标漏-源电压扫描模块，用于基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n个目标漏-源电压，n≥2；
33、恒压充电模块，用于控制恒压源向所述待测mos管输出目标恒压信号，为所述待测mos管的寄生电容充电；
34、目标漏电电流采集模块，用于采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流；
35、eoss参数确定模块，用于基于所述目标恒流信号、n个所述目标漏-源电压、n个所述目标漏电电流得到对应于所述待测mos管的eoss参数。
36、为解决上述技术问题，本申请还提供一种mos管的eoss参数测量装置，包括：上位机、高压源表、装载有待测测试功率芯片的功率半导体测试机；所述待测测试功率芯片包括至少一个待测mos管；所述上位机与所述高压源表连接，所述高压源表通过所述功率半导体测试机与所述待测mos管连接；
37、所述上位机控制所述高压源表作为恒流源向待测mos管输出目标恒流信号，为所述待测mos管的寄生电容充电，并控制所述高压源表基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n个目标漏-源电压，n≥2；
38、所述上位机控制所述高压源表作为恒压源向所述待测mos管输出目标恒压信号，为所述待测mos管的寄生电容充电，并采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流；并基于所述目标恒流信号、n个所述目标漏-源电压、n个所述目标漏电电流得到对应于所述待测mos管的eoss参数。
39、作为一种可选实施方案，上述mos管的eoss参数测量系统中，所述上位机通过所述高压源表采集各所述目标漏-源电压对应的所述待测mos管的漏电电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，所述基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测MOS管的n个目标漏-源电压，包括：
3.根据权利要求2所述的MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，所述采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流，包括：
4.根据权利要求3所述的MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，所述控制恒流源向待测MOS管输出目标恒流信号，为所述待测MOS管的寄生电容充电，包括：
5.根据权利要求1所述的MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，所述基于所述目标恒流信号、n个所述目标漏-源电压、n个所述目标漏电电流得到对应于所述待测MOS管的Eoss参数，包括：
6.根据权利要求3所述的MOS管的Eoss参数测量方法，其特征在于，所述控制恒压源向所述待测MOS管输出目标恒压信号，为所述待测MOS管的寄生电容充电，包括：
7.根据权利要求5所述的MOS管的Eoss参数测量方
8.一种MOS管的Eoss参数测量装置，其特征在于，包括：
9.一种MOS管的Eoss参数测量系统，其特征在于，包括：上位机、高压源表、装载有待测测试功率芯片的功率半导体测试机；所述待测测试功率芯片包括至少一个待测MOS管；所述上位机与所述高压源表连接，所述高压源表通过所述功率半导体测试机与所述待测MOS管连接；
10.根据权利要求9所述的MOS管的Eoss参数测量系统，其特征在于，所述上位机通过所述高压源表采集各所述目标漏-源电压对应的所述待测MOS管的漏电电流。
...【技术特征摘要】
1.一种mos管的eoss参数测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mos管的eoss参数测量方法，其特征在于，所述基于预设电压扫描时间间隔扫描获取所述待测mos管的n个目标漏-源电压，包括：
3.根据权利要求2所述的mos管的eoss参数测量方法，其特征在于，所述采集对应于n个所述目标漏-源电压中的每一个所述目标漏-源电压的目标漏电电流，包括：
4.根据权利要求3所述的mos管的eoss参数测量方法，其特征在于，所述控制恒流源向待测mos管输出目标恒流信号，为所述待测mos管的寄生电容充电，包括：
5.根据权利要求1所述的mos管的eoss参数测量方法，其特征在于，所述基于所述目标恒流信号、n个所述目标漏-源电压、n个所述目标漏电电流得到对应于所述待测mos管的eoss参数，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：陈家培，潘朝松，华强，胡静波，
申请(专利权)人：苏州联讯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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