【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于应力监测领域，属于芯片制备方法。
技术介绍
1、测量硅片上的薄膜应力，是衡量硅片性能、稳定性和可靠性水平的决定因素。现有为硅片沉积上薄膜后，测量1次薄膜应力，应力符合测量指标后，再进一步通过刻蚀、光刻、前道工艺等对硅片施加微结构，但施加微结构后会对薄膜应力产生影响，因此，现有仅在施加微结构前测量1次应力，未能实时监测薄膜应力。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有未能实时监测薄膜应力的问题，提出了用于实时监测硅片上薄膜应力的系统。
2、用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，所述系统包括硅片、薄膜和微结构，硅片上沉积薄膜，所述系统包括一个或多个悬臂梁、3d共聚焦显微镜和控制器；
3、一个或多个悬臂梁设置在薄膜上，在一个或多个悬臂梁和薄膜上设置微结构，3d共聚焦显微镜，用于测量一个或多个悬臂梁的弯曲特征；控制器，用于根据一个或多个悬臂梁的弯曲特征，计算相应悬臂梁的应力值作为薄膜相应位置的应力值。
4、优选地，悬臂梁的弯曲特征包括曲率半径、厚度、长度和宽度。
5、优选地，硅体为单晶硅体。
6、优选地，薄膜材料由两层材料制备而成，两层材料分别为氧化硅和氮化硅，氧化硅铺设在硅体上，氮化硅铺设在氧化硅上。
7、优选地，微结构包括沉积层、测量电阻、金属线和电极；
8、在一个或多个悬臂梁和薄膜表面铺设沉积层，测量电阻、金属线和电极均设置在沉积层上，且测量电阻通过金属线连接电极。
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10、本专利技术的有益效果是：
11、本专利技术将悬臂梁设置在硅片上，与硅片的加工工艺完全一致并且同步完成，即在二者表面加工微结构，也就是图案，监测悬臂梁的弯曲特征，实现应力的监测。
12、本专利技术悬臂梁的长度和宽度可定制设计，以便于观察。悬臂梁在应力的影响下会出现弯曲，弯曲的程度可以用3d共聚焦显微镜等非接触技术实现无损测量。通过悬臂梁弯曲的曲率半径、梁的厚度、长度和宽度可以计算得到应力方向和应力值。
13、本专利技术悬臂梁设置在硅片上，可以实时监测应力。
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1.用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，所述系统包括硅片、薄膜和微结构，硅片上沉积薄膜，其特征在于，所述系统包括一个或多个悬臂梁、3D共聚焦显微镜和控制器；
2.根据权利要求1所述的用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，悬臂梁的弯曲特征包括曲率半径、厚度、长度和宽度。
3.根据权利要求1所述的实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，硅体为单晶硅体。
4.根据权利要求1所述的实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，薄膜材料由两层材料制备而成，两层材料分别为氧化硅和氮化硅，氧化硅铺设在硅体上，氮化硅铺设在氧化硅上。
5.根据权利要求1所述的实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，微结构包括沉积层、测量电阻、金属线和电极；
6.根据权利要求5所述的实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，沉积层材料为钛或铂。
【技术特征摘要】
1.用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，所述系统包括硅片、薄膜和微结构，硅片上沉积薄膜，其特征在于，所述系统包括一个或多个悬臂梁、3d共聚焦显微镜和控制器；
2.根据权利要求1所述的用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，悬臂梁的弯曲特征包括曲率半径、厚度、长度和宽度。
3.根据权利要求1所述的实时监测硅片上薄膜应力的系统，其特征在于，硅体为单晶硅体。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李子旭，刘智辉，顾博，吴双宇，孙建，陈靖，柳微微，姜晓龙，尚瑛琦，张鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：
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