System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电感元件及其制作方法技术_技高网

电感元件及其制作方法技术

技术编号:44496350 阅读:1 留言:0更新日期:2025-03-04 18:03
本发明专利技术提供一种电感元件及其制作方法,电感元件包括磁体、线圈和端部电极;线圈埋设在磁体内,端部电极外露于磁体并与线圈电连接;线圈包括多个沿着线圈的轴向布置且串联连接的内部导体层,相邻的两层内部导体层通过连接导体电连接;相邻的两层内部导体层中,其中一个内部导体层上远离对应的连接导体的表面设有凹陷部,凹陷部与对应的连接导体在内部导体层的厚度方向上相对设置。该电感元件能够有效防止磁体材料在压制过程中由于连接导体凸起导致上下两层内部导体层短路的情况,以提高产品的电性合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率器件领域,具体地说,是涉及一种电感元件及其制作方法


技术介绍

1、一体成型的电感产品中,因磁体部分需要进行压制成型,部分内部导体层的连接点位置由于厚度较大,会因表面不平整将绝缘介质层刺破,厚实而导致层间短路,导致电感元件产品报废。


技术实现思路

1、本专利技术的第一目的是提供一种能够有效防止磁体材料在压制过程中由于连接导体凸起导致上下两层内部导体层短路的情况,以提高产品的电性合格率的电感元件。

2、本专利技术的第二目的是提供一种能够有效防止磁体材料在压制过程中由于连接导体凸起导致上下两层内部导体层短路的情况,以提高产品的电性合格率的电感元件的制作方法。

3、本专利技术的第三目的是提供一种采用上述制作方法制作的电感元件。

4、为实现上述第一目的,本专利技术提供一种电感元件,包括磁体、线圈和端部电极;线圈埋设在磁体内,端部电极外露于磁体并与线圈电连接;线圈包括多个沿着线圈的轴向布置且串联连接的内部导体层,相邻的两层内部导体层通过连接导体电连接;相邻的两层内部导体层中,其中一个内部导体层上远离对应的连接导体的表面设有凹陷部,凹陷部与对应的连接导体在内部导体层的厚度方向上相对设置。

5、由上述方案可见,内部导体层与对应的连接导体在厚度方向上相对的表面低于该连接导体的表面,这样在磁体材料压制过程中,能够为连接导体的变形预留让位空间,避免连接导体受力后向上凸起而与相邻的内部导体层短路,从而提高产品的合格率。

6、一个优选的方案是,凹陷部的深度小于该凹陷部所在的内部导体层的厚度的1/3。

7、一个优选的方案是,凹陷部的横截面积小于该凹陷部所对应的连接导体的横截面积。

8、由此可见,通过对凹陷部的深度和横截面积的控制,在避免内部导体层短路的同时,将直流电阻的增加控制在5%以内,且对产品的电感量没有影响。

9、一个优选的方案是,电感元件还包括绝缘介质包覆层,绝缘介质包覆层包覆在线圈外,线圈与磁体通过绝缘介质包覆层电绝缘。

10、由此可见,绝缘介质包覆层的设置用于实现线圈与磁体之间的电绝缘。

11、为实现上述第二目的,本专利技术提供一种电感元件的制作方法,制作方法包括:步骤一,在绝缘介质层上形成金属薄膜层,在金属薄膜层上设置光阻层,在光阻层上形成电极沟槽;步骤二,在电极沟槽内设置内部导体层后,去除光阻层和金属薄膜层,完成单层内部导体层的制作;步骤三,在形成的内部导体层上设置一层绝缘介质层,待该绝缘介质层固化后,在该绝缘介质层的预设位置开设通孔;步骤四,在开孔后的绝缘介质层上形成金属薄膜层,在该金属薄膜层上设置光阻层,在该光阻层上形成电极沟槽,该电极沟槽穿过通孔并延伸至下层的内部导体层或者延伸至金属薄膜层;步骤五,在步骤四形成的电极沟槽内设置内部导体层后,去除光阻层和金属薄膜层,完成下一层内部导体层的制作,该内部导体层的上表面与通孔相对位置处向下凹陷,通孔内形成连接相邻的两层内部导体层的连接导体。

12、由上述方案可见,内部导体层与对应的连接导体在厚度方向上相对的表面低于该连接导体的表面,这样在磁体材料压制过程中,能够为连接导体的变形预留让位空间,避免连接导体受力后向上凸起而与相邻的内部导体层短路,从而提高产品的合格率。

13、一个优选的方案是,制作方法还包括:步骤六,重复步骤三至步骤五,完成多层内部导体层的制作,各内部导体层串联形成线圈。

14、由此可见,可根据需要实现多层内部导体层的制作。

15、一个优选的方案是,步骤三中在预设位置的通孔沿着内部导体层的厚度方向的投影位于步骤二中形成的内部导体层的投影内。步骤三中在预设位置的通孔沿着内部导体层的厚度方向的投影位于步骤四中形成的电极沟槽的投影内。

16、由此可见,通过对开孔和电极沟槽的尺寸的限制,来实现对内部导体层的表面凹陷的尺寸的限制,进而在避免短路的同时,合理地控制直流电阻。

17、一个优选的方案是,制作方法还包括:步骤七,去除线圈外除绝缘介质包覆层之外多余的绝缘介质层,形成线圈与绝缘介质包覆层组成的线圈框架结构;步骤八,在线圈框架结构内外填充磁性材料并压制成型。

18、由此可见,通过去除多余的绝缘介质层以形成隔绝磁体与线圈的绝缘介质包覆层。

19、一个优选的方案是,通过pvd技术形成金属薄膜层,通过电镀技术形成内部导体层。

20、由此可见,先通过pvd技术在绝缘介质层上形成金属薄膜层,这样可以在电镀内部导体层时引导铜电极的生长。

21、为实现上述第三目的,本专利技术提供一种电感元件,由上述的电感元件的制作方法制作而成。

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【技术保护点】

1.电感元件,包括磁体、线圈和端部电极;

2.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:

3.根据权利要求1或2所述的电感元件,其特征在于:

4.根据权利要求1或2所述的电感元件,其特征在于:

5.电感元件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于:

7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于:

8.根据权利要求5至7任一项所述的制作方法,其特征在于:

9.根据权利要求5至7任一项所述的制作方法,其特征在于:

10.电感元件,由如权利要求5至9任一项所述的电感元件的制作方法制作而成。

【技术特征摘要】

1.电感元件,包括磁体、线圈和端部电极;

2.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于:

3.根据权利要求1或2所述的电感元件,其特征在于:

4.根据权利要求1或2所述的电感元件,其特征在于:

5.电感元件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:关梦珂占湘湘陈立
申请(专利权)人:深圳顺络电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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