【技术实现步骤摘要】
本申请涉及声表面波，尤其涉及一种声表面波器件结构及装置。
技术介绍
1、声表面波(surface acoustic wave,saw)器件的基本结构是在压电基片材料上制作声电换能器，具有小体积、大带宽、低插损、低成本、大批量生产等优点，被广泛应用在移动通信设备中。随着通信协议的发展，对滤波器，双工器等射频器件的要求越来越高，声电换能器的优化设计对于获得高性能的saw器件来说尤为重要。
2、近些年，声表面波器件因其出色的品质因子(q值)、低温漂系数、大带宽、高功率等优点而被广泛应用。然而，现有的声表面波器件使用过程中会被激发而产生不必要的横向模态杂散(或横向谐振模、横模等)，这些横模产生的杂散响应会引起通带内波动，会增加声表面波装置的能量损耗，使声表面波器件q值降低，影响性能。
3、因此，如何提供一种具有横向模态抑制效果的声表面波器件结构及装置，能够抑制横模对声表面波装置性能的影响，提高q值，已成为本领域人员亟需解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、为此，本申请的第一个目的在于提出一种横向模态抑制效果的声表面波装置，能够抑制横模对器件性能的影响，减小横模对器件的q值的影响，提高器件性能，降低生产难度。
3、为达上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种声表面波器件结构，包括：
4、衬底；
5、idt电极，包括位于所述衬底上相对设置的两个叉指电极；每个所
6、其中，每个所述电极指上还设有至少一个沿所述第二方向延伸的凹槽，且所述凹槽在第三方向上的竖直投影位于所述电极指的竖直投影面内；所述第二方向与所述第一方向正交，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向的正交平面垂直。
7、可选地，所述电极指包括在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述衬底相接触，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸预设深度。
8、可选地，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不大于所述电极指的厚度。
9、可选地，不同所述电极指上对应设置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不尽相同。
10、可选地，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至与所述电极指沿所述第二方向延伸的末端之间保持预设间距。
11、可选地，所述电极指上设有多个凹槽时，多个所述凹槽沿所述第二方向依次间隔设置。
12、可选地，每个所述电极指沿所述第二方向的中轴线与对应设置的所述凹槽沿所述第二方向的中轴线相互重叠。
13、可选地，每个所述叉指电极还包括多个假指，所述假指自所述汇流条的一侧沿第二方向所述延伸，并在所述第一方向与所述电极指之间依次交替间隔设置，且在所述第二方向上，每个所述假指的末端与一个所述电极指的末端相互间隔且一一对应。
14、可选地，所述声表面波器件结构还包括反射栅电极，所述反射栅电极形成于所述衬底上，并沿所述第一方向间隔形成于所述idt电极的两侧。
15、可选地，每个所述反射栅电极包括多个沿第二方向延伸的连接指条，每个所述连接指条上设有至少一个沿所述第二方向延伸的第一凹槽，且所述第一凹槽在第三方向上的竖直投影位于对应所述连接指条的竖直投影面内。
16、为达上述目的，本申请第二方面实施例提出了一种声表面波装置，所述声表面波装置包括上述任意一项所述的声表面波器件结构。
17、本申请提供的声表面波器件结构及装置至少包括如下有益效果：
18、本申请提供了一种声表面波器件结构及装置，包括衬底和idt电极，idt电极形成于衬底上，包括相对设置的两个叉指电极，每个叉指电极均包括一个汇流条和多个电极，不同叉指电极的电极指之间交错间隔排列。本申请通过在电极指上形成至少一个凹槽，且凹槽的竖直投影位于电极指的竖直投影面内，使得idt电极激发形成的声表面波能够受到凹槽的影响而在电极指范围内形成多个不同的声速区，且声表面波在电极指靠近端部位置的传播速度小于电极指的凹槽对应位置的传播速度，在效果上就相当于在电极指的指条末端增加抑制负载，不仅能够起到抑制横向模态的效果，提高声表面波器件q值，还大大降低了声表面波器件结构的加工工艺要求，降低了工艺成本。
19、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种声表面波器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述电极指包括在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述衬底相接触，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸预设深度。
3.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不大于所述电极指的厚度。
4.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，不同所述电极指上对应设置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不尽相同。
5.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至与所述电极指沿所述第二方向延伸的末端之间保持预设间距。
6.根据权利要求5所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述电极指上设有多个凹槽时，多个所述凹槽沿所述第二方向依次间隔设置。
7.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，每个所述电极指沿所述第二方向的中轴线与对应设置的所述凹槽沿所述第二方向的中
8.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，每个所述叉指电极还包括多个假指，所述假指自所述汇流条的一侧沿第二方向所述延伸，并在所述第一方向与所述电极指之间依次交替间隔设置，且在所述第二方向上，每个所述假指的末端与一个所述电极指的末端相互间隔且一一对应。
9.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述声表面波器件结构还包括反射栅电极，所述反射栅电极形成于所述衬底上，并沿所述第一方向间隔形成于所述IDT电极的两侧。
10.根据权利要求9所述的声表面波器件结构，其特征在于，每个所述反射栅电极包括多个沿第二方向延伸的连接指条，每个所述连接指条上设有至少一个沿所述第二方向延伸的第一凹槽，且所述第一凹槽在第三方向上的竖直投影位于对应所述连接指条的竖直投影面内。
11.一种声表面波装置，其特征在于，所述声表面波装置包括权利要求1～10任意一项所述的声表面波器件结构。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述电极指包括在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述衬底相接触，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸预设深度。
3.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不大于所述电极指的厚度。
4.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，不同所述电极指上对应设置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一侧延伸的预设深度不尽相同。
5.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至与所述电极指沿所述第二方向延伸的末端之间保持预设间距。
6.根据权利要求5所述的声表面波器件结构，其特征在于，所述电极指上设有多个凹槽时，多个所述凹槽沿所述第二方向依次间隔设置。
7.根据权利要求2所述的声表面波器件结构，其特征在于，每...
【专利技术属性】
技术研发人员：王园园，汪泉，张树民，
申请(专利权)人：左蓝微江苏电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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