【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、引线框包括基岛、引脚及连筋，连筋的一端与引脚相连，另一端与基岛相连，且引脚与基岛之间存在高度差。
2、在对引线框进行塑封制备半导体结构时，基岛背离框架的表面可能会被塑封料覆盖，这将导致半导体结构无法通过基岛与其他结构电连接，或者半导体结构与其他结构电连接后基岛无法起到散热的作用，影响半导体结构的良率。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：
2、提供引线框，所述引线框包括基岛及至少一个延伸部，所述基岛包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、及连接所述第一表面与所述第二表面的多个侧面；所述延伸部包括与所述侧面相连的连筋及与所述连筋背离所述基岛的端部相连的引脚，所述连筋的延伸方向与所述第一表面相交，所述引脚的延伸方向与所述第一表面平行；所述引脚位于所述基岛远离所述第一表面的一侧；
3、确定所述引脚朝向所述基岛的表面与所述第一表面之间的距离；
4、提供塑封模具，所述塑封模具包括第一子模具和第二子模具，所述第一子模具的腔体用于容纳所述引线框的所述基岛及所述延伸部的部分；获取所述腔体的深度；
5、若所述距离与所述腔体的深度之差在阈值范围内，将所述引线框置于所述第一子模具，使所述基岛与所连筋位于所述腔体内，并将所述第二子模具与所述第一子模具合模，对所述引线框进行塑封，形成包覆所述连筋及所述基岛的塑封层，且所述第
6、在一个实施例中，所述阈值范围的最小值为0。
7、在一个实施例中，所述引线框包括至少一个所述延伸部，各所述延伸部均与所述基岛的同一侧面相连，所述阈值范围为[0，10μm]。
8、在一个实施例中，所述引线框包括至少两个所述延伸部，所述多个侧面包括第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；所述基岛具有与第一对称面及第二对称面，所述第一侧面与所述第二侧面关于所述第一对称面对称，所述第三侧面与所述第四侧面关于所述第二对称面对称；各所述延伸部与所述第一侧面及所述第二侧面中的一个相连，且和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称；或者，所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面分别连接有至少一个所述延伸部，和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称，和所述第三侧面相连的延伸部与和所述第四侧面相连的延伸部关于所述第二对称面对称；
9、所述阈值范围为[0，50μm]。
10、在一个实施例中，所述引线框包括至少两个所述延伸部，所述多个侧面包括第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；所述基岛具有第一对称面及第二对称面，所述第一侧面与所述第二侧面关于所述第一对称面对称，所述第三侧面与所述第四侧面关于所述第二对称面对称；所述至少两个所述延伸部中，与所述第一侧面及所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面非对称；
11、所述阈值范围为[0，25μm]。
12、在一个实施例中，所述半导体结构的制备方法还包括：
13、若所述距离与所述腔体的深度之差不在所述阈值范围内，且所述距离小于所述腔体的深度，在所述腔体内设置垫高结构，以使所述距离及所述垫高结构的厚度之和与所述腔体的深度之差在所述阈值范围内；
14、将所述引线框置于所述第一子模具，使所述基岛与所连筋位于所述腔体内，并将所述第二子模具与所述第一子模具合模，对所述引线框进行塑封，形成包覆所述连筋及所述基岛的塑封层，且所述第一表面露出所述塑封层。
15、在一个实施例中，所述垫高结构的底表面与所述腔体的底表面贴合，所述垫高结构的侧表面与所述腔体的侧表面贴合。
16、在一个实施例中，所述垫高结构的材料为金属或金属合金。
17、在一个实施例中，所述第一子模具包括环绕所述腔体的第一抵接部，所述第二子模具包括第二抵接部；
18、所述将所述引线框置于所述第一子模具，使所述基岛与所连筋位于所述腔体内，包括：使所述第一子模具的腔体的开口朝上，将所述引线框置于所述第一子模具，所述基岛与所述连筋位于所述腔体内，所述引脚位于所述第一抵接部上；
19、所述第一子模具与所述第二子模具合模后，所述第二抵接部与所述引脚抵接。
20、在一个实施例中，所述引线框还包括与所述侧面相连的引脚；所述将所述第二子模具与所述第一子模具合模，对所述引线框进行塑封，形成包覆所述连筋及所述基岛的塑封层，且所述第一表面露出所述塑封层之后，所述半导体结构的制备方法还包括：
21、将所述引线框与电气连接件连接；所述引脚与所述电气连接件相连，所述第一表面背离所述电气连接件；或者，所述第一表面与所述电气连接件相连。
22、本申请实施例所达到的主要技术效果是：
23、本申请实施例提供的半导体结构的制备方法，在对引线框进行塑封之前，先判断引线框的引脚朝向基岛的表面与第一表面之间的距离与腔体的深度之差是否在阈值范围内，在上述距离与腔体的深度之差在阈值范围内时，再对引线框进行塑封，可使得基岛的第一表面露出塑封层，避免因上述距离与腔体的深度之差不在阈值范围内而导致基岛的第一表面被塑封层覆盖的问题，有助于提升半导体结构的良率。
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1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阈值范围的最小值为0。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框包括至少一个所述延伸部，各所述延伸部均与所述基岛的同一侧面相连，所述阈值范围为[0，10μm]。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框包括至少两个所述延伸部，所述多个侧面包括第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；所述基岛具有与第一对称面及第二对称面，所述第一侧面与所述第二侧面关于所述第一对称面对称，所述第三侧面与所述第四侧面关于所述第二对称面对称；各所述延伸部与所述第一侧面及所述第二侧面中的一个相连，且和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称；或者，所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面分别连接有至少一个所述延伸部，和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称，和所
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框包括至少两个所述延伸部，所述多个侧面包括第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；所述基岛具有第一对称面及第二对称面，所述第一侧面与所述第二侧面关于所述第一对称面对称，所述第三侧面与所述第四侧面关于所述第二对称面对称；所述至少两个所述延伸部中，与所述第一侧面及所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面非对称；
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述垫高结构的底表面与所述腔体的底表面贴合，所述垫高结构的侧表面与所述腔体的侧表面贴合。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述垫高结构的材料为金属或金属合金。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一子模具包括环绕所述腔体的第一抵接部，所述第二子模具包括第二抵接部；
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框还包括与所述侧面相连的引脚；所述将所述第二子模具与所述第一子模具合模，对所述引线框进行塑封，形成包覆所述连筋及所述基岛的塑封层，且所述第一表面露出所述塑封层之后，所述半导体结构的制备方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阈值范围的最小值为0。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框包括至少一个所述延伸部，各所述延伸部均与所述基岛的同一侧面相连，所述阈值范围为[0，10μm]。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线框包括至少两个所述延伸部，所述多个侧面包括第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；所述基岛具有与第一对称面及第二对称面，所述第一侧面与所述第二侧面关于所述第一对称面对称，所述第三侧面与所述第四侧面关于所述第二对称面对称；各所述延伸部与所述第一侧面及所述第二侧面中的一个相连，且和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称；或者，所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面分别连接有至少一个所述延伸部，和所述第一侧面相连的延伸部与和所述第二侧面相连的延伸部关于所述第一对称面对称，和所述第三侧面相连的延伸部与和所述第四侧面相连的延伸部关于所述第二对称面对称；
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述引线...
【专利技术属性】
技术研发人员：王荣，潘效飞，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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