本发明专利技术公开了一种LPCAMM内存模组的封装方法和结构，涉及内存模组技术领域。该方法包括：对原始晶圆进行切割，获得多个裸芯片；获取载体基板，将多个裸芯片倒置在载体基板上，构成重组晶圆；在重组晶圆的表面，形成介质层；在介质层的表面，贴附透明过滤膜；对介质层进行曝光和显影，形成重布线图形和散热图形；在重布线图形处电镀形成重布线层，在散热图形处电镀形成散热层；对重组晶圆进行切割，获得多个单颗的重布线后的裸芯片；获取PCB板，将裸芯片与PCB板连接，形成LPCAMM内存模组；将LPCAMM内存模组与可拆卸连接件连接，并将可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接。该方法能够降低LPCAMM内存模组的厚度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及内存模组，尤其是涉及一种lpcamm内存模组的封装方法和结构。
技术介绍
1、随着ai技术的不断发展和普及，ai pc（人工智能电脑）的应用场景变得更加广泛，ai pc的出货量也在逐年增长。相比于传统的电脑，ai pc对便捷性和性能有着更高的需求,因此，ai pc的内存模块需要具有超薄的厚度和较大的容量，才能具备足够的便捷性和性能。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种lpcamm内存模组的封装方法和结构，能够使得lpcamm内存模组的厚度较薄，满足ai pc的需求。
2、第一方面，根据本专利技术实施例的lpcamm内存模组的封装方法，所述方法包括以下步骤：
3、对原始晶圆进行切割，获得多个单颗的裸芯片；所述裸芯片为lpddr5x芯片，所述裸芯片具有焊垫；
4、获取载体基板，将多个所述裸芯片按照预设排布方式倒置在所述载体基板上，构成重组晶圆；
5、在所述重组晶圆的表面，形成介质层；
6、在所述介质层的表面，贴附透明过滤膜；
7、对所述介质层进行曝光和显影，形成重布线图形和散热图形，在曝光时，通过所述透明过滤膜对曝光光源进行过滤；
8、去除所述透明过滤膜，在所述重布线图形处电镀形成重布线层，在所述散热图形处电镀形成散热层，所述重布线层与所述焊垫导通；
9、对所述重组晶圆进行切割，获得多个单颗的重布线后的所述裸芯片；</p>10、获取pcb板；所述pcb板设置有多个连接点和多个散热点；
11、将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接，将重布线后的所述裸芯片的所述散热层与对应的所述散热点连接，形成lpcamm内存模组；
12、将所述lpcamm内存模组与可拆卸连接件连接，并将所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
14、在所述重布线层的预设位置制作焊盘；所述焊盘通过所述重布线层与所述焊垫导通；
15、在所述焊盘的表面印刷锡膏；
16、将所述焊盘与对应的所述连接点连接后，对所述焊盘与所述连接点进行回流焊，使所述裸芯片与所述pcb板连接，形成所述lpcamm内存模组。
17、根据本专利技术的一些实施例，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
18、在所述重布线层的预设位置制作焊盘；所述焊盘通过所述重布线层与所述焊垫导通；
19、将所述焊盘与对应的所述连接点接触后，对所述焊盘与对应的所述连接点进行热压焊，使所述裸芯片与所述pcb板连接，形成所述lpcamm内存模组。
20、根据本专利技术的一些实施例，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
21、在所述重布线层的预设位置植入凸块；
22、所述重布线层通过所述凸块与对应的所述连接点连接，使所述裸芯片通过所述重布线层与所述pcb板连接，形成所述lpcamm内存模组。
23、根据本专利技术的一些实施例，所述在所述重布线层的预设位置植入凸块的步骤，包括：
24、在所述介质层的表面贴附感光干膜；
25、对所述感光干膜进行曝光和显影，在所述预设位置处形成窗口；
26、在所述窗口处电镀形成所述凸块；
27、去除所述感光干膜。
28、根据本专利技术的一些实施例，所述将所述lpcamm内存模组与可拆卸连接件连接，并将所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接的步骤，包括：
29、对所述lpcamm内存模组设置camm标准的压缩连接接口；
30、所述lpcamm内存模组通过所述压缩连接接口与所述可拆卸连接件连接；
31、所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接。
32、根据本专利技术的一些实施例，所述对所述介质层进行曝光和显影，形成重布线图形和散热图形，在曝光时，通过所述透明过滤膜对曝光光源进行过滤的步骤，包括：
33、通过所述透明过滤膜将所述曝光光源中的波长低于预设阈值的光源过滤掉；
34、通过过滤后的所述曝光光源对所述介质层进行曝光；
35、对曝光后的所述介质层进行显影，形成所述重布线图形和所述散热图形。
36、第二方面，根据本专利技术实施例的lpcamm内存模组的封装方法，包括以下步骤：
37、对原始晶圆进行切割，获得多个单颗的裸芯片；所述裸芯片为lpddr5x芯片，所述裸芯片具有焊垫；
38、获取pcb板；
39、根据所述焊垫的位置对所述pcb板的线路进行重布线，使所述pcb板的连接点与所述焊垫一一对应；
40、在所述焊垫上植入凸块；
41、将所述焊垫通过所述凸块与对应的所述连接点连接，使所述裸芯片与所述pcb板连接，形成lpcamm内存模组；
42、将所述lpcamm内存模组与可拆卸连接件连接，并将所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接。
43、第三方面，根据本专利技术实施例的lpcamm内存模组的封装方法，所述方法包括以下步骤：
44、对原始晶圆进行切割，获得多个单颗的裸芯片；所述裸芯片为lpddr5x芯片；
45、在所述裸芯片上设置第一焊盘；
46、获取pcb板；
47、根据所述第一焊盘的位置对所述pcb板的线路进行重布线，并在所述pcb板上设置与所述第一焊盘相对应的第二焊盘；
48、将所述裸芯片放置在所述pcb板上，并使所述第一焊盘与所述第二焊盘接触；
49、对所述第一焊盘和所述第二焊盘进行热压焊或者smt，使所述裸芯片与所述pcb板连接，形成lpcamm内存模组；
50、将所述lpcamm内存模组与可拆卸连接件连接，并将所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接。
51、第四方面，根据本专利技术实施例的lpcamm内存模组的封装结构，通过第一方面或第二方面或第三方面实施例所述的lpcamm内存模组的封装方法制作而成。
52、根据本专利技术实施例的lpcamm内存模组的封装方法和结构，至少具有如下有益效果：通过对裸芯片进行重布线，再将裸芯片直接与pcb板直接连接，最终形成的封装结构的尺寸较小，能够降低lpcamm内存模组的厚度，从而满足ai pc的超薄的需求。
53、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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【技术保护点】
1.一种LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述在所述重布线层的预设位置植入凸块的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述将所述LPCAMM内存模组与可拆卸连接件连接，并将所述可拆卸连接件与控制主板进行可拆卸连接的步骤，包括：
7.根据权利要求1所述的LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述对所述介质层进行曝光和显影，形成重布线图形和散热图形，在曝光时，通过所述透明过滤膜对曝光光源进行过滤的步骤，包括：
8.一种LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
9.一种LPCAMM内存模组的封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
10.一种LPCAMM内存模组的封装结构，其特征在于，通过如权利要求1至9任一项所述的LPCAMM内存模组的封装方法制作而成。
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【技术特征摘要】
1.一种lpcamm内存模组的封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的lpcamm内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的lpcamm内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的lpcamm内存模组的封装方法，其特征在于，所述将重布线后的所述裸芯片的所述重布线层与对应的所述连接点连接的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的lpcamm内存模组的封装方法，其特征在于，所述在所述重布线层的预设位置植入凸块的步骤，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，
申请(专利权)人：深圳市晶存科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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