【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁芯制造，具体涉及一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备。
技术介绍
1、高磁导率纳米晶磁芯是一种具有优异磁性能的磁性材料，广泛应用于电力电子设备、无线通信、传感器、滤波器等领域。它由纳米级晶粒组成，通常采用铁基、钴基或镍基材料，通过特定的制备工艺（如热处理和冷却）制成，也被称为纳米晶软磁合金磁芯。其在电动汽车、风力发电、太阳能逆变器、储能系统、智能电网等多个新能源领域中都发挥着重要作用，包括能够有效提升能源的利用效率，降低系统的能量损耗等。
2、高磁导率纳米晶磁芯在制备过程中，需要对磁芯进行热处理，以优化纳米晶合金材料的磁导率。而热处理就需要用到磁场热处理设备，现有的磁芯进行磁场热处理时，直接在罩体内设置加热结构，利用热对流对罩体内的磁芯进行加热，当磁芯达到指定温度后关闭加热，而为了提高单次磁场热处理的磁芯数量，会将多个磁芯堆叠在一起或紧挨在一起，使得磁芯不同位置的温度存在偏差，从而影响了热处理的效果和磁芯性能的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单，设计合理的高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备。
2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、第一方面，本专利技术提供了一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，包括：
4、生磁热处理机构，所述生磁热处理机构用于对待处理的磁芯进行磁场热处理；
5、托料机构，所述托料机构设置在托盘上，托料机构包括基座、料杆和间隔组件，
6、当在摆位驱动件的驱动下，所述摆杆由初始位置摆动至终止位置时，所述调距组件的输出端伸入至相邻隔板之间的位置，并与上方的隔板抵接上推位于上方的隔板朝远离基座的一侧移动，其中，沿料杆的延伸方向且远离基座的方向上，多个所述摆杆依次摆动至终止位置，使多个磁芯依次托起。
7、作为本专利技术的进一步优化方案，所述生磁热处理机构包括炉体和加热器，炉体内设置有生磁组件，所述托盘放置在炉体内，且托盘位于生磁组件的磁场区域内，以及加热器设置在炉体内并用于对炉体内的磁场区域进行加热。
8、作为本专利技术的进一步优化方案，所述摆位驱动件包括主动齿轮、过渡齿轮、从动齿轮和主轴，所述主动齿轮的输入端与电机传动连接，主动齿轮啮合传动有过渡齿轮，所述从动齿轮成对设置，成对设置的从动齿轮之间啮合传动，且过渡齿轮与其中一个从动齿轮啮合传动，所述从动齿轮固定连接在主轴上，所述主轴的一端转动连接在基座上，所述主轴上位于从动齿轮远离基座的一侧套接有多个摆杆，且摆杆与主轴的套接部位设置有扭簧，所述摆杆朝向料杆的一侧设置有限位杆，限位杆固定设置在基座上，当摆杆位于终止位置时，所述摆杆与限位杆抵接；
9、其中，所述过渡齿轮的数量有多个，多个所述过渡齿轮分别与主动齿轮啮合传动，所述过渡齿轮的数量与料杆的数量一致。
10、作为本专利技术的进一步优化方案，所述调距组件包括套筒、滑杆、第一弹簧、楔块、抵接杆和第一连接杆，所述摆杆朝向料杆的一侧固定设置有套筒，所述滑杆的一端滑动连接在套筒的内腔中，滑杆的另一端贯穿至套筒外并固定连接有楔块，所述滑杆上套接有第二弹簧，楔块外端转动连接有抵接杆，抵接杆朝向料杆的外侧为圆弧凸面，所述抵接杆的内侧转动连接有第一连接杆，第一连接杆远离抵接杆的一端转动连接在套筒上；
11、所述隔板远离抵接的磁芯的一端边缘位置设置有楔面，当摆杆位于终止位置时，所述楔块与位于下方的隔板的楔面摩擦抵接，所述抵接杆的圆弧凸面与位于上方的隔板的楔面摩擦抵接。
12、作为本专利技术的进一步优化方案，所述隔板上开设有通孔，沿料杆的轴心线方向上，所述通孔贯穿隔板，且沿隔板的径向方向上，通孔的宽度尺寸值大于磁芯的宽度尺寸值。
13、作为本专利技术的进一步优化方案，所述基座远离托盘的一侧设置有插接座，所述料杆的下端通过插接座安装在基座上，其中，当摆杆位于初始位置时，所述料杆上位于最下端的隔板的下端面抵接在插接座的上端面，且最下端的隔板的下端面边缘位置与基座之间间隔设置。
14、作为本专利技术的进一步优化方案，所述基座上固定设置有立柱，多个所述料杆周向分布在立柱的周侧，所述立柱远离基座的一端设置有挡料组件，所述挡料组件包括挡板，料杆的上端与挡板抵接；
15、所述料杆内开设有筒腔，料杆的筒腔内设置有抵件组件，所述抵件组件用于抵接隔板的径向内壁，使隔板径向内壁与料杆的侧壁之间间隔设置。
16、作为本专利技术的进一步优化方案，所述挡料组件还包括旋钮、螺杆和限位块，所述旋钮的输出端固定连接有压板，压板远离旋钮的一侧固定连接有螺杆，螺杆与立柱的上端内腔螺纹连接，所述挡板夹持在压板与立柱之间，且所述挡板远离旋钮的一侧固定连接有限位块，所述立柱的上端侧部开设有限位槽，限位块通过限位槽与立柱限位抵接。
17、作为本专利技术的进一步优化方案，所述抵件组件包括抵接块、导杆、第二连接杆、内侧板、外侧板和第二弹簧，所述导杆竖立在料杆的筒腔中，且导杆的上端固定连接有抵接块，所述导杆的侧部转动连接有第二连接杆，第二连接杆远离导杆的一端转动连接有内侧板，内侧板远离导杆的一侧通过固定块固定连接有外侧板，且所述内侧板与料杆筒腔内壁之间设置有第二弹簧，第二弹簧的一端与内侧板固定连接，第二弹簧的另一端与料杆筒腔内壁固定连接，所述料杆筒腔侧部开设有通槽，所述隔板的轴向内壁嵌置有滚珠，当挡板与料杆的上端抵接时，所述挡板与抵接块抵接，且内侧板通过通槽移位至料杆外并与滚珠抵接。
18、第二方面，本专利技术还提供了一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法，采用上述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备制备磁芯，包括如下步骤：
19、s1、将多个待热处理的磁芯和多个隔板均套在料杆上，且磁芯的上下方均设置有隔板，其中，磁芯的数量与料杆单侧的摆杆的数量一致；
20、s2、将挡板安装在立柱上，通过挡板抵接料杆以及抵接块，并通过导杆、第二连接杆、内侧板和外侧板的依次传动，使得外侧板移位至料杆外侧并与隔板上的滚珠抵接，使得隔板的轴心线与料杆的轴心线一致，且隔板的轴向内壁与料杆之间间隔设置；
21、s3、将装载有多个磁芯的托料机构放置在托盘中，并将托盘放置到炉体中的磁场区域；
22、s4、通过摆位驱动件的驱动，使料杆两侧的摆杆分别由初始位置摆动至终止位置，使调距组件中的抵接杆入至相邻隔板之间的位置，并与上方的隔板抵接上推位于上方的隔板朝远离基座的一侧移动；
23、s5、通过摆位驱动件的继续驱动，沿料杆的延伸方向且远离基座的方向上，多个所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述生磁热处理机构（1）包括炉体（11）和加热器（13），所述炉体（11）内设置有生磁组件，所述托盘（5）放置在炉体（11）内，且托盘（5）位于生磁组件的磁场区域内，以及加热器（13）设置在炉体（11）内并用于对炉体（11）内的磁场区域进行加热。
3.根据权利要求2所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述摆位驱动件包括主动齿轮（601）、过渡齿轮（602）、从动齿轮（603）和主轴（604），所述主动齿轮（601）的输入端与电机传动连接，主动齿轮（601）啮合传动有过渡齿轮（602），所述从动齿轮（603）成对设置，成对设置的从动齿轮（603）之间啮合传动，且过渡齿轮（602）与其中一个从动齿轮（603）啮合传动，所述从动齿轮（603）固定连接在主轴（604）上，所述主轴（604）的一端转动连接在基座（61）上，所述主轴（604）上位于从动齿轮（603）远离基座（61）的一侧套接有多个摆杆（605），且摆杆（605
4.根据权利要求3所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述调距组件（607）包括套筒（6071）、滑杆（6076）、第一弹簧（6075）、楔块（6074）、抵接杆（6073）和第一连接杆（6072），所述摆杆（605）朝向料杆（63）的一侧固定设置有套筒（6071），所述滑杆（6076）的一端滑动连接在套筒（6071）的内腔中，滑杆（6076）的另一端贯穿至套筒（6071）外并固定连接有楔块（6074），所述滑杆（6076）上套接有第二弹簧（6459），楔块（6074）外端转动连接有抵接杆（6073），抵接杆（6073）朝向料杆（63）的外侧为圆弧凸面，所述抵接杆（6073）的内侧转动连接有第一连接杆（6072），第一连接杆（6072）远离抵接杆（6073）的一端转动连接在套筒（6071）上；
5.根据权利要求4所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述隔板（6456）上开设有通孔（6457），沿料杆（63）的轴心线方向上，所述通孔（6457）贯穿隔板（6456），且沿隔板（6456）的径向方向上，通孔（6457）的宽度尺寸值大于磁芯（4）的宽度尺寸值。
6.根据权利要求5所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述基座（61）远离托盘（5）的一侧设置有插接座（6301），所述料杆（63）的下端通过插接座（6301）安装在基座（61）上，其中，当摆杆（605）位于初始位置时，所述料杆（63）上位于最下端的隔板（6456）的下端面抵接在插接座（6301）的上端面，且最下端的隔板（6456）的下端面边缘位置与基座（61）之间间隔设置。
7.根据权利要求6所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述基座（61）上固定设置有立柱（62），多个所述料杆（63）周向分布在立柱（62）的周侧，所述立柱（62）远离基座（61）的一端设置有挡料组件（64），所述挡料组件（64）包括挡板（643），料杆（63）的上端与挡板（643）抵接；
8.根据权利要求7所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述挡料组件（64）还包括旋钮（641）、螺杆（642）和限位块（644），所述旋钮（641）的输出端固定连接有压板，压板远离旋钮（641）的一侧固定连接有螺杆（642），螺杆（642）与立柱（62）的上端内腔螺纹连接，所述挡板（643）夹持在压板与立柱（62）之间，且所述挡板（643）远离旋钮（641）的一侧固定连接有限位块（644），所述立柱（62）的上端侧部开设有限位槽（6441），限位块（644）通过限位槽（6441）与立柱（62）限位抵接。
9.根据权利要求8所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述抵件组件包括抵接块（645）、导杆（6451）、第二连接杆（6452）、内侧板（6453）、外侧板（6455）和第二弹簧（6459），所述导杆（6451）竖立在料杆（63）的筒腔中，且导杆（6451）的上端固定连接有抵接块（645），所述导杆（6451）的侧部转动连接有第二连接杆（6452），第二连接杆（6452）远离导杆（6451）的一端转动连接有内侧板（6453），内侧板（6453）远离导杆（64...
【技术特征摘要】
1.一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述生磁热处理机构（1）包括炉体（11）和加热器（13），所述炉体（11）内设置有生磁组件，所述托盘（5）放置在炉体（11）内，且托盘（5）位于生磁组件的磁场区域内，以及加热器（13）设置在炉体（11）内并用于对炉体（11）内的磁场区域进行加热。
3.根据权利要求2所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述摆位驱动件包括主动齿轮（601）、过渡齿轮（602）、从动齿轮（603）和主轴（604），所述主动齿轮（601）的输入端与电机传动连接，主动齿轮（601）啮合传动有过渡齿轮（602），所述从动齿轮（603）成对设置，成对设置的从动齿轮（603）之间啮合传动，且过渡齿轮（602）与其中一个从动齿轮（603）啮合传动，所述从动齿轮（603）固定连接在主轴（604）上，所述主轴（604）的一端转动连接在基座（61）上，所述主轴（604）上位于从动齿轮（603）远离基座（61）的一侧套接有多个摆杆（605），且摆杆（605）与主轴（604）的套接部位设置有扭簧，所述摆杆（605）朝向料杆（63）的一侧设置有限位杆（606），限位杆（606）固定设置在基座（61）上，当摆杆（605）位于终止位置时，所述摆杆（605）与限位杆（606）抵接；
4.根据权利要求3所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述调距组件（607）包括套筒（6071）、滑杆（6076）、第一弹簧（6075）、楔块（6074）、抵接杆（6073）和第一连接杆（6072），所述摆杆（605）朝向料杆（63）的一侧固定设置有套筒（6071），所述滑杆（6076）的一端滑动连接在套筒（6071）的内腔中，滑杆（6076）的另一端贯穿至套筒（6071）外并固定连接有楔块（6074），所述滑杆（6076）上套接有第二弹簧（6459），楔块（6074）外端转动连接有抵接杆（6073），抵接杆（6073）朝向料杆（63）的外侧为圆弧凸面，所述抵接杆（6073）的内侧转动连接有第一连接杆（6072），第一连接杆（6072）远离抵接杆（6073）的一端转动连接在套筒（6071）上；
5.根据权利要求4所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，所述隔板（6456）上开设有通孔（6457），沿料杆（63）的轴心线方向上，所述通孔（6457）贯穿隔板（6456），且沿隔板（6456）的径向方向上，通孔（6457）的宽度尺寸值大于磁芯（4）的宽度尺寸值。
6.根据权利要求5所述的一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李豪滨，罗世欢，李宋林，
申请(专利权)人：深圳市驭能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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