【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备。
技术介绍
1、发光器件是指一类通过载流子的注入和复合而发光的器件，包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dotlight emitting diodes,qled)。发光器件具有“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
2、发光器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，例如发光器件的器件寿命有待进一步地提升。因此，如何进一步地提升发光器件的器件寿命对发光器件的应用与发展具有重要意义。
技术实现思路
1、本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备，以改善发光器件的器件寿命。
2、第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：
3、相对设置的阳极和阴极；
4、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；
5、电子功能层，设置于所述阴极与所述发光层之间；以及
6、辅助层，设置于所述电子功能层与所述发光层之间；
7、其中，所述辅助层包括连接基团，所述连接基团为下
8、
9、其中，*表示连接键；所述连接基团分别与所述电子功能层和所述发光层相连接；
10、r1、r2、r5和r6彼此独立地选自氢、氘、氚、取代或未取代的c1～c10的直链烃基或支链烃基、取代或未取代的c1～c10的直链烃氧基或支链烃氧基、取代或未取代的环原子数为3～30的脂肪族环烃基、取代或未取代的环原子数为3～30的脂肪族杂环烃基、取代或未取代的环原子数为6～30的芳基、取代或未取代的环原子数为5～30的杂芳基中的一种或多种的组合；
11、r3、r4、r7和r8彼此独立地选自-(ch2)n-或-ch＝ch-，n为1～6的正整数。
12、可选地，所述取代或未取代的c1～c10的直链烃基或支链烃基选自c1～c3的直链烃基或支链烃基；和/或
13、所述取代或未取代的c1～c10的直链烃氧基或支链烃氧基选自c1～c3的直链烃氧基或支链烃氧基；和/或
14、所述取代或未取代的环原子数为3～30的脂肪族环烃基选自环原子数为3～10的脂肪族环烃基；和/或
15、所述取代或未取代的环原子数为3～30的脂肪族杂环烃基选自环原子数为3～10的脂肪族杂环烃基；和/或
16、所述取代或未取代的环原子数为6～30的芳基选自环原子数为6～18的芳基；和/或
17、所述取代或未取代的环原子数为5～30的杂芳基选自环原子数为5～18的杂芳基。
18、可选地，所述连接基团选自下述基团中的一种或多种：
19、
20、可选地，所述电子功能层的材料包含第一无机化合物，所述连接基团连接所述第一无机化合物，所述第一无机化合物包括非掺杂型第一金属氧化物、掺杂型第二金属氧化物、ⅱ-ⅵ族半导体材料、ⅲ-ⅴ族半导体材料以及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料中的一种或多种；
21、其中，所述非掺杂型第一金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3以及zro2中的一种或多种；和/或，所述掺杂型第二金属氧化物为第一掺杂元素掺杂的主体金属氧化物，所述主体金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3或zro2，所述第一掺杂元素选自mg、ca、zr、w、ga、li、al、ti、y、in以及sn中的一种或多种，和/或所述掺杂型第二金属氧化物中所述第一掺杂元素的摩尔百分比在50％以下；和/或，所述ⅱ-ⅵ族半导体材料选自zns、znse以及cds中的一种或多种；和/或，所述ⅲ-ⅴ族半导体材料选自inp以及gap中的一种或多种；和/或，所述ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料选自cuins以及cugas中的一种或多种；和/或
22、所述发光层的材料包含量子点，所述连接基团连接所述量子点；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的一种或多种；所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一种或多种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一种或多种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一种或多种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse以及agins中的一种或多种；和/或，所述无机钙钛矿量子点的结构通式为amx3，其中a为cs+，m为二价金属阳离子，m选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+以及eu2+中的一种或多种，x为卤素阴离子；和/或，所述有机钙钛矿量子点的结构通式为cmx3，c为甲脒基；和/或，所述有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为bmx3，b为有机胺阳离子。
23、可选地，所述阳极的材料本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述取代或未取代的C1～C10的直链烃基或支链烃基选自C1～C3的直链烃基或支链烃基；和/或
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述连接基团选自下述基团中的一种或多种：
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子功能层的材料包含第一无机化合物，所述连接基团连接所述第一无机化合物，所述第一无机化合物包括非掺杂型第一金属氧化物、掺杂型第二金属氧化物、Ⅱ-Ⅵ族半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料以及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体材料中的一种或多种；
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阳极的材料和所述阴极的材料彼此独立地包含金属、碳材料以及第三金属氧化物中的一种或多种；其中，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Pt、Ca、Ir、Ni以及Mg中的一种或多种，和/或所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种，和/或所述第三金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂
6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述辅助功能材料的质量占所述溶液的总质量的3％～5％；和/或
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述辅助功能材料选自下面化合物中的一种或多种：
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述发光器件为正置型结构时，所述在所述发光层远离所述底电极的一面沉积包含辅助功能材料的溶液的步骤之后，且形成所述电子功能层的步骤之前，所述的制备方法还包括步骤：去除未与所述发光层相连接的所述辅助功能材料；
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项中所述的发光器件、或如权利要求6至9任一项中所述的制备方法制得的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述取代或未取代的c1～c10的直链烃基或支链烃基选自c1～c3的直链烃基或支链烃基；和/或
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述连接基团选自下述基团中的一种或多种：
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子功能层的材料包含第一无机化合物，所述连接基团连接所述第一无机化合物，所述第一无机化合物包括非掺杂型第一金属氧化物、掺杂型第二金属氧化物、ⅱ-ⅵ族半导体材料、ⅲ-ⅴ族半导体材料以及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料中的一种或多种；
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阳极的材料和所述阴极的材料彼此独立地包含金属、碳材料以及第三金属氧化物中的一种或多种；其中，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca、ir、ni以及mg中的一种或多种，和/或所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种，和/...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。