System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法技术_技高网
当前位置: 首页 > 专利查询>北京大学专利>正文

应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法技术

技术编号:44490213 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-04 17:55
本发明专利技术属于电子工程中评估稀有事件的方法领域,具体涉及一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法。应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,包括以下步骤:建立初始样本、建立预测模型、筛选高风险样本、仿真高风险样本并计算偏移量Δd,确定接近失效区域样本、次接近失效区域样本和普通区域样本,对三个区域的样本利用公式计算斯皮尔曼秩系数,并分别赋予不同的权重,通过计算最终的加权秩相关性评估结果。该评估方法通过加权秩相关评估替代模型的排序功能在高Sigma失效区域的排序表现上显著提升精度;并且大大减少了不必要的仿真次数,节省计算资源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子工程中评估稀有事件的方法领域,具体涉及一种应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法。


技术介绍

1、高sigma场景下的集成电路(ic)组件生产,在数亿或数十亿个实例中最多只能容忍几个缺陷。这是因为这些组件通常以大规模阵列的形式复制,因此生产一个正常工作的产品需要大量的复制组件都能正确工作。一旦在制造过程中发生波动,这可能导致性能偏差甚至故障。因此,分析ic良率已成为一项关键任务。

2、传统的蒙特卡罗(mc)方法是评估ic良率的常用技术,其是通过模拟电路过程中的偏差,以收集大量电路数据,然后模拟所有电路以确定失败电路的数量,最终得出电路良率计算。其在高sigma场景下应用效率较低,因为需要大量仿真以捕捉稀有失效事件,导致计算资源和时间成本巨大。为了解决这一问题,行业中提出了多种加速蒙特卡罗方法(如重要性采样和模型替代方法),以及高sigma蒙特卡罗(hsmc)方法等。这些方法虽然在减少样本数量和提高仿真效率方面取得了一些进展,但现有方法往往忽视了替代模型在失效区域排序中的重要性,导致对失效事件的捕捉不准确。

3、针对这些方法,具体分析如下:1、传统蒙特卡罗方法:尽管结果可靠且适用于不同维度的电路设计,但在高sigma场景下,所需的样本数量极其庞大,导致计算时间和资源消耗巨大;2、加速蒙特卡罗方法:如重要抽样方法虽然能够减少仿真样本数量,但在处理大规模变量时表现不佳,容易导致失效概率估算偏差;3、高sigma蒙特卡罗方法(hsmc):hsmc通过优先处理失效样本来减少仿真次数,但依赖全局误差最小化,忽略了失效区域的排序精度,无法准确捕捉稀有事件;4、最大最小秩方法:虽然提高了模型的排序精度,但在样本权重分配上缺乏灵活性,难以准确区分失效区域与普通区域的样本。

4、加权秩(weighted rank)是一种在排名或评分系统中考虑不同因素或特征权重的排名方法。与简单的排名不同,加权秩允许某些因素对最终排名的影响更大,而其他因素的影响较小。将加权秩的算法应用于该评估方法之中,将稀有事件区域中的不同影响因素进行权重的排名,进而评估各种稀有事件的发生概率,申请人认为这显然能克服现有技术的局限性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,该种评估方法通过加权秩相关算法,对替代模型在稀有事件区域的排序偏差进行评估,提升了失效样本捕捉的准确性。

2、为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,包括以下步骤:

3、第一步:建立初始样本sam初始:自总样本集sam总中随机选取初始样本sam初始,初始样本sam初始的数量qua初始满足公式(1):qua初始=max(qua总/1000,1000) (1),其中,qua总为总样本数量,初始样本数量qua初始为总样本数量qua总的千分之一,且不少于1000。这一数量要求,既保证了初始样本sam初始涵盖总样本集sam总的基本特征,又能控制计算量。

4、第二步:建立预测模型:对选取的初始样本sam初始进行仿真,得到仿真结果ys初始,使用仿真结果ys初始训练机器学习等效替代模型,生成预测模型。

5、优选的,所述仿真工具采用spice电路仿真工具。

6、优选的,可以采用ffx算法、线性回归、lasso回归、lightgbm等替代模型建立预测模型。

7、第三步:筛选高风险样本sam风险:利用预测模型对剩余样本sam剩余进行预测,得到预测结果yp剩余,其中剩余样本sam剩余为总样本集sam总中去除初始样本sam初始之后的样本集合,剩余样本sam剩余的预测结果yp剩余进行从大到小的排列,自大到小选取高风险样本sam风险,高风险样本sam风险的数量qua风险满足公式(2):qua风险=max(qua总/2000,500) (2),其中,qua总为总样本数量,高风险样本sam风险的数量qua风险为总样本数量qua总的万分之五,且不少于500,高风险样本sam风险的预测值为yp风险。

8、利用初始样本sam初始训练预测模型,然后利用该预测模型对大量的剩余样本sam剩余进行预测,将预测结果排名之后,选取一定数量的、排名靠前的剩余样本sam剩余作为高风险样本sam风险进行进一步的分析、推算,排名靠后的剩余样本sam剩余其发生失效的极低,故不进行研究。

9、第四步:仿真高风险样本sam风险:对高风险样本sam风险进行仿真,得到仿真结果,并对仿真结果进行从大到小的排列,得到仿真结果ys风险。

10、第五步:计算数值偏移量δd和平均数值偏移量δd平均:将从大到小排列的仿真结果ys风险逐个计算相邻两个预测值之间的差值,即δdi=(ys风险)i-(ys风险)i+1 (3),其中i为≤高风险样本sam风险的数量qua风险的每个自然数-1;而整个风险样本sam风险的平均数值偏移量

11、第六步:确定接近失效区域样本sam接近和次接近失效区域样本sam次接近:设置一仿真值阈值thr实际,则接近失效区域样本sam接近的阈值thr接近=thr实际-3δd平均 (5),次接近失效区域样本sam次接近的阈值thr次接近=thr实际-6δd平均 (6)。

12、仿真值大于等于thr接近的样本作为接近失效区域样本sam接近,而仿真值大于等于次接近失效区域样本阈值thr次接近而小于接近失效区域样本阈值thr接近的样本作为次接近失效区域样本sam次接近,则接近失效区域样本sam接近的数量为qua接近,次接近失效区域样本sam次接近的数量为qua次接近。

13、第七步:确定普通区域样本sam普通:高风险样本sam风险之中去除接近失效区域样本sam接近和次接近失效区域样本sam次接近之后的样本,为普通区域样本sam普通,则普通区域样本sam普通的数量qua普通满足公式(9),qua普通=qua风险-qua接近-qua次接近 (7)。

14、第八步:计算预测结果的排序偏移量δrank:比较高风险样本sam风险中每个样本数据仿真结果ys风险和预测结果yp风险排序差值,即得到排序偏移量δrank,排序偏移量δrank满足公式(8):

15、δranki=|rank(ys风险)i-rank(yp风险)i| (8),其中,i为≤高风险样本sam风险的数量qua风险的每个自然数,rank(ys风险)为仿真结果ys风险的排名序号,rank(yp风险)为预测结果yp风险的排名序号;

16、第九步:计算接近失效区域样本sam接近的斯皮尔曼秩系数ρ1:如公式(9),即其中,公式中的δranki’取值情况如下:

17、其中thr1和thr2为人为设定接近失效区域样本一级阈值thr1和接近失效区域样本二级阈值thr2。

18、当δd≤thr1时,认为该样本排序非常精准,接近失效区域,因本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:0.6≤α1<0.7,0.2≤α2<0.3。

3.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:高风险样本Sam风险依情况划分为n个区域,通过计算每个区域的斯皮尔曼秩系数,并定义每个区域的权重,计算最终的加权秩相关性评估结果,其计算如公式(13),其中,ρfinal为最终的加权秩相关性评估结果,ρi为第i个区域样本的斯皮尔曼秩相关系数,αi为第i个区域的权重,由人为定义而得,且满足n≥2。

4.根据权利要求3所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:将高风险样本Sam风险依情况划分为4个区域,分别为接近失效区域、次接近失效区域、扩展区域和普通区域,其权重分别为α1、α2、α3和α4,其斯皮尔曼秩系数分别为ρ1、ρ2、ρ3和ρ4,则最终加权秩结果ρfinal=α1·ρ1+α2·ρ2+α3·ρ3+α4·ρ4 (14),其中α1=0.5,α2=0.2,α3=0.2,α4=0.1。

5.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:所述仿真工具采用Spice电路仿真工具。

6.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:可以采用FFX算法、线性回归、Lasso回归、LightGBM等替代模型建立预测模型。

7.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:公式(1)和公式(2)中的取值比例和最小取值数,依实际情况发生改变。

8.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高Sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:公式(9)中Δranki’取值依实际情况发生改变。

...

【技术特征摘要】

1.应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:0.6≤α1<0.7,0.2≤α2<0.3。

3.根据权利要求1所述的一种应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:高风险样本sam风险依情况划分为n个区域,通过计算每个区域的斯皮尔曼秩系数,并定义每个区域的权重,计算最终的加权秩相关性评估结果,其计算如公式(13),其中,ρfinal为最终的加权秩相关性评估结果,ρi为第i个区域样本的斯皮尔曼秩相关系数,αi为第i个区域的权重,由人为定义而得,且满足n≥2。

4.根据权利要求3所述的一种应用于电子工程中高sigma场景的失效区域评估方法,其特征在于:将高风险样本sam风险依情况划分为4个区域,分别为接近失效区域、次接近失效区域、扩展区域和普通区域,其权重分别为α1、α2、α3和...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘谋斌程平周游沈文豪
申请(专利权)人:北京大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1