【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体加工领域，尤其涉及一种新式sic抗翘曲薄膜沉积工艺方法。
技术介绍
1、第三代半导体sic拥有更大的禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等优异特性，以sic为衬底的器件，体积更小、转换效率更高、更节能，更符合全球科技产业对于“碳达峰、碳中和”目标共识的未来需求。sic材料及芯片制备主要工艺为单晶生长、衬底切磨抛、外延生长、掩膜沉积、图形化、刻蚀、注入、热处理、金属互连等工艺流程共涉及几十种关键半导体装备。
2、等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,pecvd)技术是一种借助外加能量辅助反应前驱体裂解产生等离子体，进而实现sic薄膜制备的方法。pecvd法沉积的sio2薄膜具有反应温度低、成膜均匀、台阶覆盖性和工艺重复性好等优点。但对于较薄的sic衬底，在工艺反应时易发生高温翘曲，这是因为sic衬底的膨胀系数是sio2的数倍，在400℃的工艺过程中，sic的膨胀速度明显快于二氧化硅，这就导致sic衬底会被二氧化硅拉成凹面型，薄膜沉积的均匀性会受到显著的影响。
技术实现思路
1、鉴于此，本专利技术的目的在于，提供一种新式sic抗翘曲薄膜沉积工艺方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了达到上述目的，进而采取的技术方案如下：
3、一种新式sic抗翘曲薄膜沉积工艺方法，包括以下步骤：
4、s1：检查调用生产工艺程序，设备自
5、s2：上下料腔完成破真空流程，晶圆装入上下料腔并关好门；
6、s3：晶圆完成上料，设备开始自动化运行，上下料腔开始抽真空，晶圆篮具旋转至上料位；
7、s4：扫描晶圆篮具装片数量，人工确认装片ok；
8、s5：平边腔备料，机器人取料至平边腔，平边腔完成晶圆平边找正；
9、s6：工艺腔进行自检，温度、真空度合格开始工艺；
10、s7：机器人取放片至工艺腔，放片完成；
11、s8：加热台开启真空吸附，将晶圆吸附在加热台上；
12、s9：检查真空度，确保加热台表面吸附平整，无漏气；
13、s10：启动生产工艺流程，调用工艺配方；
14、s11：工艺运行结束，保持晶圆吸附状态；
15、s12：提高加热台温度，释放晶圆应力；
16、s13：应力释放完成，调节工艺腔、传输腔真空度；
17、s14：机器人抓取晶圆至冷却腔进行冷却，等待冷却完成；
18、s15：晶圆完成冷却，机器人抓取晶圆至下料腔；
19、s16：下料腔检测晶圆篮具是否装满，人工取料进入下次循环。
20、优选的，步骤s8中，吸盘吸附真空度达到0.07-0.15pa。
21、优选的，步骤s12中，加热台温度提高到390-420℃。
22、优选的，步骤s13中，使工艺腔传输腔真空匹配，工艺腔真空度由0.3-0.6pa降低至5pa，传输腔的真空度为5pa。
23、本专利技术的有益效果是：
24、在工艺开始阶段，会先对晶圆进行吸附，并检查真空度确保晶圆吸附平整无漏吸；在工艺过程中，加热台全程进行吸附，保证薄膜生长均匀性；在工艺结束后，增加应力释放环节，通过提高加热台温度，对晶圆应力进行释放，防止晶圆冷却后再次翘曲。
25、本专利技术中抗翘曲薄膜沉积工艺方法，通过修改相应结构，在sic衬底工艺过程中，增加底部吸附拉平环节，对衬底施加反向作用力，从而保证沉积的薄膜均匀生长在衬底的表面，并通过增加释放应力环节，防止工艺结束后的晶圆再次翘曲，大大提高了晶圆的工艺良率。
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1.一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，步骤S8中，吸盘吸附真空度达到0.07-0.15Pa。
3.根据权利要求2所述的一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，步骤S12中，加热台温度提高到390-420℃。
4.根据权利要求3所述的一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，步骤S13中，使工艺腔传输腔真空匹配，工艺腔真空度由0.3-0.6pa降低至5Pa，传输腔的真空度为5Pa。
【技术特征摘要】
1.一种新式sic抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新式sic抗翘曲薄膜沉积工艺方法，其特征在于，步骤s8中，吸盘吸附真空度达到0.07-0.15pa。
3.根据权利要求2所述的一种新式sic抗翘曲薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉荣，王敏，康永新，朱江江，张永聪，张磊，张慧俊，黄晋，折飞，薛珺天，
申请(专利权)人：西北电子装备技术研究所中国电子科技集团公司第二研究所，
类型：发明
国别省市：
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