【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种algainpas基发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、algainpas基led外延片结构通常包括gaas衬底和依次沉积的n型半导体层、有源层和p型半导体层。gaas衬底用于algainpas材料外延时具有晶格匹配性高、电子迁移率高、工艺兼容性好等优点，但其机械强度较弱，量产生产过程中容易裂片、破片；其次gaas衬底的生产技术门槛较高，导致其价格相对较高。gaas衬底在后续的芯片制程中通常会被剥离或减薄，为应对外延生长的机械强度需要，用于algainpas外延生长的gaas衬底厚度通常为360μm左右，虽然减薄gaas衬底的厚度可以降低成本，但会增加外延高温生长过程中裂片破片的发生几率。蓝宝石材料虽然具有机械强度高、化学稳定性好、价格成本低等优势，但其与algainpas材料的晶体结构、晶格常数差异悬殊，难以直接作为衬底材料外延生长algainpas结构。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种algainpas基发光二极管及其制备方法，提升复合衬底机械强度的同时，减薄gaas衬底的厚度，节约成本。
2、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种algainpas基发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
3、提供一复合衬底；
4、在所述复合衬底上依次生长n型半导体层、有源层和p型半导体层，得到algainpas基发光二极管外延片；
5、至少去除所述algainpas基发光二极管外
6、其中，所述n型半导体层、有源层和p型半导体层的材料为alxgayin(1-x-y)pzas(1-z)，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，0≤z≤1；
7、所述复合衬底由蓝宝石基板和gaas基板键合形成。
8、作为上述技术方案的改进，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～2000μm，所述gaas基板的厚度为50μm～350μm。
9、作为上述技术方案的改进，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～600μm，所述gaas基板的厚度为150μm～350μm。
10、作为上述技术方案的改进，所述蓝宝石基板和gaas基板通过sio2键合层进行键合，所述sio2键合层的厚度为1μm～10μm。
11、作为上述技术方案的改进，所述蓝宝石基板上设有贯穿所述蓝宝石基板上下表面的通孔。
12、作为上述技术方案的改进，采用以下步骤对所述蓝宝石基板和gaas基板进行键合：
13、在所述蓝宝石基板的上表面制备第一sio2键合层，厚度为1μm～4μm；
14、在所述gaas基板的下表面制备第二sio2键合层，厚度为1μm～4μm；
15、对所述第一sio2键合层和第二sio2键合层进行研磨抛光；
16、将研磨抛光后的第一sio2键合层和第二sio2键合层对齐，热压键合后形成所述sio2键合层。
17、作为上述技术方案的改进，所述热压键合的键合温度为300℃～500℃，键合压力为0.1mpa～0.4mpa。
18、作为上述技术方案的改进，采用以下步骤制备所述n型半导体层：在所述复合衬底上依次生长n型缓冲层、n型截止层、n型接触层、n型扩展层、n型电子层和n型电子阻挡层；
19、采用以下步骤制备所述p型半导体层：在所述有源层上依次生长p型空穴阻挡层、p型空穴层、p型过渡层、p型窗口层和p型接触层。
20、作为上述技术方案的改进，去除所述algainpas基发光二极管外延片的复合衬底、n型缓冲层和n型截止层。
21、相应的，本专利技术还公开了一种algainpas基发光二极管，采用上述的制备方法制得。
22、实施本专利技术，具有如下有益效果：本专利技术在蓝宝石基板和gaas基板键合形成的复合衬底上外延生长algainpas材料，既能够保证gaas衬底与algainpas外延层材料的晶格匹配，外延层材料的生长质量好，蓝宝石基板还能够提高复合衬底的机械强度，相应的，可以减薄gaas衬底的厚度，节约成本，最终实现algainpas基发光二极管的高质量、低成本制造。
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1.一种AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～2000μm，所述GaAs基板的厚度为50μm～350μm。
3.如权利要求2所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～600μm，所述GaAs基板的厚度为150μm～350μm。
4.如权利要求1所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板和GaAs基板通过SiO2键合层进行键合，所述SiO2键合层的厚度为1μm～10μm。
5.如权利要求1所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板上设有贯穿所述蓝宝石基板上下表面的通孔。
6.如权利要求4所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，采用以下步骤对所述蓝宝石基板和GaAs基板进行键合：
7.如权利要求6所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方
8.如权利要求1所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，采用以下步骤制备所述N型半导体层：在所述复合衬底上依次生长N型缓冲层、N型截止层、N型接触层、N型扩展层、N型电子层和N型电子阻挡层；
9.如权利要求8所述的AlGaInPAs基发光二极管的制备方法，其特征在于，去除所述AlGaInPAs基发光二极管外延片的复合衬底、N型缓冲层和N型截止层。
10.一种AlGaInPAs基发光二极管，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种algainpas基发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的algainpas基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～2000μm，所述gaas基板的厚度为50μm～350μm。
3.如权利要求2所述的algainpas基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板的厚度为200μm～600μm，所述gaas基板的厚度为150μm～350μm。
4.如权利要求1所述的algainpas基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板和gaas基板通过sio2键合层进行键合，所述sio2键合层的厚度为1μm～10μm。
5.如权利要求1所述的algainpas基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石基板上设有贯穿所述蓝宝石基板上下表面的通孔。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，谢志文，陈铭胜，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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