【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体生产设备的，尤其是涉及一种半导体清洗装置及其使用方法。
技术介绍
1、在半导体的生产过程中，清洗是至关重要的一环。在半导体制造过程中，晶圆可能会因为颗粒、金属、有机物、自然氧化层等杂质而受到污染，这些污染物都可能对半导体器件的性能、可靠性甚至良率造成影响
2、目前，常用的清洗方法包括湿法清洗和干法清洗。湿法清洗使用化学溶剂和水，虽然清洗效果较好，但存在耗水量大、化学溶剂污染环境等问题；而干法清洗则多依赖于等离子体等物理手段，设备复杂且成本较高。
技术实现思路
1、为了改善常规清洗晶圆的方法存在污染环境、成本较高的情况，本申请提供一种半导体清洗装置及其使用方法。
2、一方面，本申请提供一种半导体清洗装置，采用如下的技术方案：
3、一种半导体清洗装置，包括生成模块、清洗模块和回收模块，其中所述生成模块用于产生超临界状态的二氧化碳，并将超临界状态的二氧化碳送入清洗模块内，所述清洗模块用于对半导体进行清洗，所述回收模块与清洗模块连通，用于回收清洗后的二氧化碳并进行再利用；
4、所述清洗模块包括中空的清洗室，所述清洗室内设置有清洗台，所述清洗台转动连接于清洗室内，且转动轴线竖直，所述清洗台顶部的周侧设置有限位板，所述限位板的内壁用于与晶圆的外周相抵，所述清洗台内设置有顶升吸附组件，所述顶升吸附组件用于对晶圆的底面吸附固定，并且在晶圆清洗完毕后将晶圆顶升抬起，以便于更换晶圆。
5、通过采用上述技术方案，将半导体如晶圆放
6、可选的，所述顶升吸附组件包括多根竖直的顶升杆，多根所述顶升杆间隔分布，且均内部中空，所述顶升杆顶部一端连通有吸附嘴，所有所述吸附嘴均位于同一水平位置，所述吸附嘴顶部伸出清洗台外，所述顶升杆底部一端均连通有吸气件，所述吸气件用于抽取顶升杆内部的空气，以便在顶升杆内形成负压。
7、通过采用上述技术方案，多根间隔分布的顶升杆可用于支撑晶圆，并且顶升杆内部中空，顶升杆顶部一端连通有吸附嘴，底部一端均连通有吸气件，吸气件可抽取顶升杆内部的空气，从而在顶升杆内形成负压，使得吸附嘴能够将晶圆牢牢吸附固定，进一步固定晶圆的位置。
8、可选的，所述顶升杆底部设置有顶升板，所述顶升板竖直滑动连接于清洗台内部，所述顶升板底部设置有用于驱使升降的驱动件，所述顶升板内开设有相互连通的导气通道，所述导气通道一端与各顶升杆相连通，另一端与吸气件相连通。
9、通过采用上述技术方案，在需要更换晶圆时，驱动件可通过抬升顶升板，来抬升所有的顶升杆，进而将晶圆顶升起来，方便工作人员取出和更换晶圆，同时顶升板内开设有相互连通的导气通道，使得所有顶升杆能够通过导气通道，最后共同与吸气件连通，使得使用一个吸气件即可与所有的顶升杆连通。
10、可选的，所述清洗室内设置有温度控制组件，所述温度控制组件包括环绕清洗台设置的加热和制冷盘管，以便对清洗室内部的温度进行调节，所述清洗室内还设置有温度传感器。
11、通过采用上述技术方案，清洗室内设置有温度控制组件和温度传感器，环绕清洗台设置的加热和制冷盘管，可对清洗室内部的温度进行调节，从而精确控制清洗室内的温度，进一步优化超临界二氧化碳的清洗效果，提高清洗效率和质量。
12、可选的，所述清洗室内设置有超声波振动组件，所述超声波振动组件安装于清洗室的内壁上，用于在晶圆清洗过程中产生超声波。
13、通过采用上述技术方案，超声波振动装置可以在清洗过程中产生超声波，利用超声波的空化效应和微射流效应，进一步增强超临界二氧化碳对半导体表面的清洗效果。
14、可选的，所述回收模块包括分离室，所述分离室的进口端与清洗室的出口端连通，所述分离室的出口端还连通有循环管道，所述循环管道的出口端与清洗室的进口端连通，通过对所述分离室减压，分离析出二氧化碳中的污染物。
15、通过采用上述技术方案，清洗过晶圆表面的二氧化碳可在分离室内进行降温和减压，从而有效分离析出二氧化碳中的污染物，不仅可以保证回收的二氧化碳的纯度，还能够实现废物的减量化和资源化利用，有效减少生产成本。
16、可选的，所述分离室内设置有清洁组件，所述清洁组件包括紧贴分离室内部且竖直放置的第一清洁刷，和与分离室内底壁接触的第二清洁刷，所述分离室内转动连接有转杆，所述第一清洁刷和第二清洁刷均与转杆连接，以便分别对内壁和底壁的残留物进行清除。
17、通过采用上述技术方案，清洁组件包括紧贴分离室内部且竖直放置的第一清洁刷，和与分离室内底壁接触的第二清洁刷，并且第一清洁刷和第二清洁刷均与转杆连接，转杆可带动第一清洁刷和第二清洁刷在分离室内旋转，从而能够对分离室内壁和底壁的残留物进行清除。
18、可选的，所述生成模块内设置有加热元件，所述加热元件为微波加热装置或激光加热装置。
19、通过采用上述技术方案，超临界二氧化碳生成模块中的加热元件可替换为微波加热装置或激光加热装置等不同的加热方式，以适应不同的清洗需求和工艺条件。
20、另一方面，本申请提供一种半导体清洗装置的使用方法，使用如上述的半导体清洗装置对晶圆进行清洗，包括如下步骤：
21、s1：将待清洗的半导体放置在清洗室的清洗台上，并由顶升吸附组件进行固定；
22、s1：启动生成模块，产生超临界状态的二氧化碳；
23、s1：将超临界状态下的二氧化碳通入清洗室内，对半导体表面进行清洗；
24、s1：通过回收模块回收清洗后的二氧化碳，并进行再利用。
25、通过采用上述技术方案，利用超临界状态下的二氧化碳能够有效对晶圆表面进行清洗，显著提高晶圆清洗质量，同时清洗完晶圆的二氧化碳能够在回收模块内进行重新回收，使得回收后的二氧化碳能够重复利用，有效节省生产成本。
26、综上所述，本申请包括以下至少一种有益效果：
27、1.通过采用超临界状态下的二氧化碳对晶圆表面进行清洗，能够显著提高晶圆清洗质量，能够避免化学试剂清洗带来的污染，同时也能够有效减少晶圆清洗的成本；
28、2.通过采用在清洗台内设置顶升吸附组件，能够进一步提高晶圆的放置牢固程度，同时也便于晶圆的取放；
29、3.通过采用在回收模块的分离室内设置能够旋转的第一清洁刷和第二清洁刷，使得可通过清洁刷刮除分离室内壁上残留的污垢，保持分离室的清洁状态。...
【技术保护点】
1.一种半导体清洗装置，其特征在于：包括生成模块（1）、清洗模块（2）和回收模块（3），其中所述生成模块（1）用于产生超临界状态的二氧化碳，并将超临界状态的二氧化碳送入清洗模块（2）内，所述清洗模块（2）用于对半导体进行清洗，所述回收模块（3）与清洗模块（2）连通，用于回收清洗后的二氧化碳并进行再利用；
2.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述顶升吸附组件包括多根竖直的顶升杆（233），多根所述顶升杆（233）间隔分布，且均内部中空，所述顶升杆（233）顶部一端连通有吸附嘴（234），所有所述吸附嘴（234）均位于同一水平位置，所述吸附嘴（234）顶部伸出清洗台（23）外，所述顶升杆（233）底部一端均连通有吸气件（238），所述吸气件（238）用于抽取顶升杆（233）内部的空气，以便在顶升杆（233）内形成负压。
3.根据权利要求2所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述顶升杆（233）底部设置有顶升板（235），所述顶升板（235）竖直滑动连接于清洗台（23）内部，所述顶升板（235）底部设置有用于驱使升降的驱动件（236），所述顶升板（
4.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述清洗室（21）内设置有温度控制组件，所述温度控制组件包括环绕清洗台（23）设置的加热和制冷盘管（24），以便对清洗室（21）内部的温度进行调节，所述清洗室（21）内还设置有温度传感器。
5.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述清洗室（21）内设置有超声波振动组件（26），所述超声波振动组件（26）安装于清洗室（21）的内壁上，用于在晶圆（5）清洗过程中产生超声波。
6.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述回收模块（3）包括分离室（31），所述分离室（31）的进口端与清洗室（21）的出口端连通，所述分离室（31）的出口端还连通有循环管道（33），所述循环管道（33）的出口端与清洗室（21）的进口端连通，通过对所述分离室（31）减压，分离析出二氧化碳中的污染物。
7.根据权利要求6所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述分离室（31）内设置有清洁组件，所述清洁组件包括紧贴分离室（31）内部且竖直放置的第一清洁刷（34），和与分离室（31）内底壁接触的第二清洁刷（35），所述分离室（31）内转动连接有转杆（36），所述第一清洁刷（34）和第二清洁刷（35）均与转杆（36）连接，以便分别对内壁和底壁的残留物进行清除。
8.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述生成模块（1）内设置有加热元件，所述加热元件为微波加热装置或激光加热装置。
9.一种半导体清洗装置的使用方法，其特征在于：使用如权利要求1-8中任意一项所述的半导体清洗装置对晶圆进行清洗，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗装置，其特征在于：包括生成模块（1）、清洗模块（2）和回收模块（3），其中所述生成模块（1）用于产生超临界状态的二氧化碳，并将超临界状态的二氧化碳送入清洗模块（2）内，所述清洗模块（2）用于对半导体进行清洗，所述回收模块（3）与清洗模块（2）连通，用于回收清洗后的二氧化碳并进行再利用；
2.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述顶升吸附组件包括多根竖直的顶升杆（233），多根所述顶升杆（233）间隔分布，且均内部中空，所述顶升杆（233）顶部一端连通有吸附嘴（234），所有所述吸附嘴（234）均位于同一水平位置，所述吸附嘴（234）顶部伸出清洗台（23）外，所述顶升杆（233）底部一端均连通有吸气件（238），所述吸气件（238）用于抽取顶升杆（233）内部的空气，以便在顶升杆（233）内形成负压。
3.根据权利要求2所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述顶升杆（233）底部设置有顶升板（235），所述顶升板（235）竖直滑动连接于清洗台（23）内部，所述顶升板（235）底部设置有用于驱使升降的驱动件（236），所述顶升板（235）内开设有相互连通的导气通道（237），所述导气通道（237）一端与各顶升杆（233）相连通，另一端与吸气件（238）相连通。
4.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于：所述清洗室（21）内设置有温度控制组件，所述温度控制组件包括环绕清洗台（23）设置的加热和制冷...
【专利技术属性】
技术研发人员：白久，赵颖毅，林晨，
申请(专利权)人：宏芯气体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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