【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、对于单片芯片的尺寸，常规的芯片制造技术正在被推向它们的极限。然而，应用却渴望使用最新技术实现大尺寸集成电路的能力，芯片之间实现高速和小体积互连具有较大的挑战。
2、目前的一种解决方案是使用嵌入在硅衬底中的硅桥(si bridge)芯片的较小的集成电路，以通过硅桥芯片实现芯片与芯片之间的互连，进而提供异质芯片封装。
3、但是，目前封装结构的结构较为复杂，且芯片之间的集成度仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构及封装方法，实现器件芯片通过第二芯片正面和第二芯片背面的任一面或双面供电的方案。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种封装结构，包括：基板，包括键合面；互连芯片，键合于基板的键合面上，互连芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片背面朝向基板并与基板电连接；器件芯片，键合于互连芯片上，器件芯片包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，第二芯片正面朝向互连芯片并与互连芯片电连接，第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接。
3、可选的，器件芯片的器件与第二芯片背面电连接，以通过第二芯片背面供电。
4、可选的，器件芯片包括位于第二芯片背面一侧的背面互连层，背面互连层与互连芯片电连接，背面互连层还与器件芯片的器件电连接。
5、可选的，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构，器
6、可选的，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构，互连芯片中形成有贯穿互连芯片的第二互连结构，第二互连结构与第一互连结构电连接，第二互连结构还与基板电连接。
7、可选的，封装结构还包括：互连焊垫，位于第一芯片背面，并与第二互连结构电连接。
8、可选的，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构，第一互连结构包括被第二芯片正面暴露的第一键合焊垫，互连芯片中形成有贯穿互连芯片的第二互连结构，第二互连结构包括被第一芯片正面暴露的第二键合焊垫，第一键合焊垫和第二键合焊垫相键合。
9、可选的，封装结构还包括：承载板，键合于器件芯片的第二芯片背面上
10、可选的，封装结构还包括：键合介质层，位于器件芯片和承载板之间，器件芯片和承载板通过键合介质层实现键合。
11、可选的，封装结构还包括：导电凸块，位于互连芯片与基板之间，并电连接互连芯片与基板。
12、可选的，封装结构还包括：密封层，填充于相邻导电凸块之间的间隙内并包覆导电凸块。
13、相应的，本专利技术实施例还提供一种封装方法，包括：提供互连芯片，包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面；提供器件芯片，包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面；将器件芯片与互连芯片相键合，第二芯片正面与第一芯片正面相对并相互电连接，并使第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接；提供基板，包括键合面；将互连芯片键合于基板的键合面上，第一芯片背面朝向基板并与基板电连接。
14、可选的，使第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接的步骤中，器件芯片的器件与第二芯片背面电连接，用于通过第二芯片背面对器件芯片的器件供电。
15、可选的，使第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接的步骤包括：将器件芯片的第二芯片正面键合于互连芯片的第一芯片正面上之后，通过第二芯片背面对器件芯片进行背面减薄处理；进行背面减薄处理后，在第二芯片背面形成背面互连层，背面互连层与器件芯片的器件电连接，背面互连层还与互连芯片电连接。
16、可选的，提供器件芯片的步骤中，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构；将器件芯片的第二芯片正面键合于互连芯片的第一芯片正面上的步骤中，第一互连结构与互连芯片电连接；在第二芯片背面形成背面互连层的步骤中，背面互连层与第一互连结构电连接。
17、可选的，提供互连芯片的步骤中，互连芯片中形成有第二互连结构，第二互连结构从第一芯片正面一侧延伸至第一芯片背面一侧；提供器件芯片的步骤中，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构；将器件芯片的第二芯片正面键合于互连芯片的第一芯片正面上的步骤中，第二互连结构与第一互连结构电连接；将互连芯片键合于基板的键合面上的步骤中，第二互连结构与基板电连接。
18、可选的，将互连芯片键合于基板的键合面上之前，封装方法还包括：在第一芯片背面形成与第二互连结构电连接的互连焊垫。
19、可选的，在第一芯片背面形成与内部互连结构电连接的互连焊垫的步骤包括：对第一芯片背面进行背面减薄处理，使第二互连结构被暴露；在被暴露的第二互连结构表面形成互连焊垫。
20、可选的，将器件芯片与互连芯片相键合，并使第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接之后，在第一芯片背面形成与内部互连结构电连接的互连焊垫之前，封装方法还包括：提供承载板；将承载板键合于器件芯片的第二芯片背面上。
21、可选的，提供器件芯片的步骤中，器件芯片中形成有位于第二芯片正面一侧的第一互连结构，第一互连结构包括被第二芯片正面暴露的第一键合焊垫；提供互连芯片的步骤中，互连芯片中形成有第二互连结构，内部互连结构从第一芯片正面一侧延伸至第一芯片背面一侧，第二互连结构包括被第一芯片正面暴露的第二键合焊垫；将器件芯片的第二芯片正面键合于互连芯片的第一芯片正面上的步骤中，第一键合焊垫和第二键合焊垫相键合。
22、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
23、本专利技术实施例提供一种封装结构，互连芯片键合于基板的键合面上，互连芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片背面朝向基板并与基板电连接，器件芯片键合于互连芯片上，器件芯片包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，第二芯片正面朝向互连芯片并与互连芯片电连接，第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接；本专利技术实施例中，互连芯片键合于基板上，实现互连芯片与基板的电连接，器件芯片的第二芯片正面键合于互连芯片上，实现器件芯片的第二芯片正面与互连芯片的电连接，相应实现器件芯片的第二芯片正面与基板的电连接，第二芯片背面经由第二芯片正面与互连芯片电连接，相应实现器件芯片的第二芯片背面与基板的电连接，从而能够实现器件芯片相背的第二芯片正面和第二芯片背面均与基板电连接，相应通过基板能够实现器件芯片通过第二芯片正面和第二芯片背面的任一面或双面供电的方案，提高了封装结构的集成度，同时，第二芯片正面和第一芯片正面相对实现器件芯片和互连芯片的电连接，使得器件芯片与互连芯片的键合易于实现且电连接线路简便。
24、本专利技术实施例提供一种封装方法，提供互连芯片，包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面；提供器件芯片，包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，将器件芯片与互连芯片相键合，第二芯片正面与第一芯片正面相对并相互电连本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片的器件与所述第二芯片背面电连接，以通过所述第二芯片背面供电。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片包括位于所述第二芯片背面一侧的背面互连层，所述背面互连层与所述互连芯片电连接，所述背面互连层还与所述器件芯片的器件电连接。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述器件芯片的背面互连层与所述互连芯片通过所述第一互连结构电连接。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述互连芯片中形成有贯穿所述互连芯片的第二互连结构，所述第二互连结构与所述第一互连结构电连接，所述第二互连结构还与所述基板电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：互连焊垫，位于所述第一芯片背面，并与所述第二互连结构电连接。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：承载板，键合于所述器件芯片的第二芯片背面上。
9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：键合介质层，位于所述器件芯片和承载板之间，所述器件芯片和承载板通过所述键合介质层实现键合。
10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：导电凸块，位于所述互连芯片与所述基板之间，并电连接所述互连芯片与所述基板。
11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：密封层，填充于相邻所述导电凸块之间的间隙内并包覆所述导电凸块。
12.一种封装方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，使所述第二芯片背面经由第二芯片正面与所述互连芯片电连接的步骤中，所述器件芯片的器件与所述第二芯片背面电连接，用于通过所述第二芯片背面对所述器件芯片的器件供电。
14.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，使所述第二芯片背面经由第二芯片正面与所述互连芯片电连接的步骤包括：将所述器件芯片的第二芯片正面键合于所述互连芯片的第一芯片正面上之后，通过所述第二芯片背面对所述器件芯片进行背面减薄处理；
15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，提供所述器件芯片的步骤中，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构；
16.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，提供所述互连芯片的步骤中，所述互连芯片中形成有第二互连结构，所述第二互连结构从所述第一芯片正面一侧延伸至第一芯片背面一侧；
17.权利要求16所述的封装方法，其特征在于，将所述互连芯片键合于所述基板的键合面上之前，所述封装方法还包括：在所述第一芯片背面形成与所述第二互连结构电连接的互连焊垫。
18.如权利要求17所述的封装方法，其特征在于，在所述第一芯片背面形成与所述内部互连结构电连接的互连焊垫的步骤包括：对所述第一芯片背面进行背面减薄处理，使所述第二互连结构被暴露；
19.如权利要求16所述的封装方法，其特征在于，将所述器件芯片与所述互连芯片相键合，并使所述第二芯片背面经由所述第二芯片正面与所述互连芯片电连接之后，在所述第一芯片背面形成与所述内部互连结构电连接的互连焊垫之前，所述封装方法还包括：提供承载板；将所述承载板键合于所述器件芯片的第二芯片背面上。
20.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，提供所述器件芯片的步骤中，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述第一互连结构包括被所述第二芯片正面暴露的第一键合焊垫；
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片的器件与所述第二芯片背面电连接，以通过所述第二芯片背面供电。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片包括位于所述第二芯片背面一侧的背面互连层，所述背面互连层与所述互连芯片电连接，所述背面互连层还与所述器件芯片的器件电连接。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述器件芯片的背面互连层与所述互连芯片通过所述第一互连结构电连接。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述互连芯片中形成有贯穿所述互连芯片的第二互连结构，所述第二互连结构与所述第一互连结构电连接，所述第二互连结构还与所述基板电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：互连焊垫，位于所述第一芯片背面，并与所述第二互连结构电连接。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面一侧的第一互连结构，所述第一互连结构包括被所述第二芯片正面暴露的第一键合焊垫，所述互连芯片中形成有贯穿所述互连芯片的第二互连结构，所述第二互连结构包括被所述第一芯片正面暴露的第二键合焊垫，所述第一键合焊垫和第二键合焊垫相键合。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：承载板，键合于所述器件芯片的第二芯片背面上。
9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：键合介质层，位于所述器件芯片和承载板之间，所述器件芯片和承载板通过所述键合介质层实现键合。
10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：导电凸块，位于所述互连芯片与所述基板之间，并电连接所述互连芯片与所述基板。
11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：密封层，填充...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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