【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及声波谐振领域，特别是涉及一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件。
技术介绍
1、随着通信技术的不断发展，越来越多的设备需要与其他设备进行信息交换，而设备的小型化成了必然的发展目标，这也对移动通信设备提出了更高的要求。
2、在同一通信设备中采用多种滤波器技术不可避免的增加器件的尺寸，怎样降低器件的尺寸已经成为急需解决的问题。传统结构中，saw（声表面波）滤波器一般采用铌酸锂、钽酸锂、甚至氧化锌作为压电层，而baw（体声波）滤波器一般采用氮化铝或掺钪氮化铝作为压电层。压电材料的不同限制了将saw和baw滤波器在同一片晶圆上同时制作，分开制作的saw和baw滤波器在最终使用时的尺寸必然大于将saw和baw滤波器制作在同一片晶圆上的结构。因此迫切需求一种更高性能的谐振器能与saw或baw滤波器高度集成，如在同一片晶圆上制备。
3、因此，如何在不阻碍滤波器小型化的同时，改善谐振器的结构以实现滤波器的小型化，并同时改善滤波器的性能是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件，以解决现有技术中不能在不阻碍谐振器小型化的同时，提升谐振器的性能的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种西沙瓦波声表面波谐振器，从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；
3、所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮
4、所述定向导能结构包括空腔和/或布拉格结构层。
5、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，定向导能结构仅包括所述空腔；
6、所述衬底与所述第一压电层的接触面包括凹槽，所述凹槽与所述第一压电层围成所述空腔。
7、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，所述布拉格结构层包括多个交替设置的第一声阻抗层与第二声阻抗层；所述第一声阻抗层的声阻抗高于所述第二声阻抗层的声阻抗；
8、所述布拉格结构层包括的声阻抗层的层数范围为2层至12层，包括端点值。
9、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，还包括谐振导电层；
10、所述谐振导电层设置于所述定向导能结构及所述第一压电层之间。
11、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，所述第二压电层及所述叉指电极在所述衬底上的正投影完全重叠或部分重叠。
12、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，还包括反射栅；
13、所述反射栅沿第一方向设置于所述叉指电极的两侧；
14、所述第一方向为所述叉指电极的排列方向。
15、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，还包括二氧化硅层，所述二氧化硅层设置于所述衬底与所述定向导能结构之间。
16、可选地，在所述的西沙瓦波声表面波谐振器中，所述第一压电层与所述第二压电层为相同的材料层。
17、一种裸芯片，所述裸芯片包括体声波谐振器及如上述任一种所述的西沙瓦波声表面波谐振器。
18、一种通信组件，所述通信组件包括如上述任一种所述的裸芯片。
19、本专利技术所提供的西沙瓦波声表面波谐振器，从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、氧化锌层及压电陶瓷层中的至少一种；所述定向导能结构包括空腔和/或布拉格结构层。本专利技术通过第一压电层、第二压电层及叉指电极激发西沙瓦波的声表面波，同时限定两压电层材料，使西沙瓦波声表面波谐振器可以与其他体声波谐振器直接集成在同一裸芯片上，并在所述第一压电层下方插入定向导能结构，降低了了西沙瓦波的能量向衬底的方向的泄漏，将更多的西沙瓦波能量集中到谐振器的有效区，从而在大大减小声表面波谐振器与体声波谐振器组成的复合谐振器的空间占用的同时，提升了谐振器的机电耦合系数，增加了谐振器的输出功率。本专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的裸芯片及通信组件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；
2.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，定向导能结构仅包括所述空腔；
3.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，所述布拉格结构层包括多个交替设置的第一声阻抗层与第二声阻抗层；所述第一声阻抗层的声阻抗高于所述第二声阻抗层的声阻抗；
4.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，还包括谐振导电层；
5.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，所述第二压电层及所述叉指电极在所述衬底上的正投影完全重叠或部分重叠。
6.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，还包括反射栅；
7.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，还包括二氧化硅层，所述二氧化硅层设置于所述衬底与所述定向导能结构之间。
8.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，所述第一压电层与所述第二压电层为相同的材料层。
...【技术特征摘要】
1.一种西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；
2.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，定向导能结构仅包括所述空腔；
3.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，所述布拉格结构层包括多个交替设置的第一声阻抗层与第二声阻抗层；所述第一声阻抗层的声阻抗高于所述第二声阻抗层的声阻抗；
4.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，还包括谐振导电层；
5.如权利要求1所述的西沙瓦波声表面波谐振器，其特征在于，所述第二压电层及所述叉指电极在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张标，陈高鹏，
申请(专利权)人：睿思微系统烟台有限公司，
类型：发明
国别省市：
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