【技术实现步骤摘要】
本申请涉及计算机，特别是涉及一种快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、在现代材料科学与半导体制造中，离子注入已成为改变材料性能、改善微观结构的重要技术之一。离子注入通过将高能离子注入到材料表面或内部，改变其物理和化学性质，从而优化材料的电学、热学及机械性能。然而，离子注入过程中不可避免地引入晶格缺陷与内部应力，必须通过后续的快速退火工艺进行修复。快速退火不仅能够修复晶格结构，还可以促进离子的均匀分布，提升材料性能。传统的退火工艺由于缺乏针对性和精准控制，容易导致过高的能量消耗或工艺时间过长。同时，退火过程中各阶段的参数，如升温速率、保持时间、冷却速度等，往往依赖于经验性设定，难以在不同材料与工艺条件下找到最优解。随着工艺复杂性和材料多样性的增加，传统退火方法无法充分适应现代生产需求，进而限制了材料性能的提升和工艺效率的优化。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种快速退火模拟参数调优方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
2、第一方面，本申请提供了快速退火模拟参数调优方法，所述方法包括：
3、获取碳化硅参数文件；
4、解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；
5、将所述系统参数信息输入图注意力网络模型gat，形成初步升温方案；
6、结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；
7、对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行
8、根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间；
9、根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度；
10、输出碳化硅退火结果。
11、在其中一种实施方式中，所述解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息，包括：
12、使用parser语法分析器函数读取所述参数文件，进行字节码转化处理，并将所述系统参数信息保存到列表中；
13、读取所述列表中的所述系统参数信息，并进行初始化赋值。
14、在其中一种实施方式中，所述将所述系统参数信息输入图注意力网络模型，形成初步升温方案，包括：
15、对所述系统参数信息进行标准化处理；
16、将碳化硅粒子作为所述图注意力网络模型中图的节点，并形成邻接矩阵；
17、将标准化处理后的所述系统参数信息作为退火过程中多个时刻的碳化硅材料状态数据输入所述图注意力网络模型。
18、在其中一种实施方式中，所述结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案包括：
19、将节点特征和邻接矩阵输入gat模型中；
20、根据模型预测结果和真实退火结果计算损失；
21、通过最小化损失函数更新模型参数，并迭代多个训练周期，直至损失函数收敛或达到预定精度；
22、将退火数据输入gat模型，并生成最终升温方案；所述最终升温方案包括最佳升温温度区间、升温速率以及升温曲线。
23、在其中一种实施方式中，所述输出碳化硅退火结果，包括：
24、获取退火过程中的关键数据；
25、根据所述关键数据评估退火结果。
26、在其中一种实施方式中，所述关键数据包括碳化硅晶格缺陷的修复效率、离子能量分布、残余应力和应变分布。
27、第二方面，本申请还提供了快速退火模拟参数调优装置，所述装置包括：
28、文件获取模块，用于获取碳化硅参数文件；
29、解析模块，用于解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；
30、第一生成模块，用于将所述系统参数信息输入图注意力网络模型gat，形成初步升温方案；
31、第二生成模块，用于结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；
32、升温模块，用于对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行升温；
33、保温模块，用于根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间；
34、冷却模块，用于根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度；
35、输出模块，用于输出碳化硅退火结果。
36、第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
37、获取碳化硅参数文件；
38、解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；
39、将所述系统参数信息输入图注意力网络模型gat，形成初步升温方案；
40、结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；
41、对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行升温；
42、根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间；
43、根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度；
44、输出碳化硅退火结果。
45、第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
46、获取碳化硅参数文件；
47、解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；
48、将所述系统参数信息输入图注意力网络模型gat，形成初步升温方案；
49、结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；
50、对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行升温；
51、根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间；
52、根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度；
53、输出碳化硅退火结果。
54、第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
55、获取碳化硅参数文件；
56、解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息；
57、将所述系统参数信息输入图注意力网络模型gat，形成初步升温方案；
58、结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案；
59、对碳化硅材料按照所述最终升温方案进行升温；
60、根据所述碳化硅材料特性、工艺需求和工业数据，预测并优化保温时间；
61、根据碳化硅系统状态、用户需求和真实数据，预测并调优冷却路径，所述冷却路径包括冷却温度和冷却速度；
62、输出碳化硅退火结果。
63、上述快速退火模拟参数调优本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种快速退火模拟参数调优方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述系统参数信息输入图注意力网络模型，形成初步升温方案，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述输出碳化硅退火结果，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述关键数据包括碳化硅晶格缺陷的修复效率、离子能量分布、残余应力和应变分布。
7.一种快速退火模拟参数调优装置，其特征在于，所述装置包括：
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种快速退火模拟参数调优方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解析所述参数文件，读取并整理所述参数文件中的系统参数信息，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述系统参数信息输入图注意力网络模型，形成初步升温方案，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述结合历史数据及工艺需求，生成最终升温方案包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述输出碳化硅退火结果，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述关键数据包括碳化硅晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：阳王东，张逸飞，李肯立，戚瑞轩，肖国庆，李鸿露，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：
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