【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光元件与荧光体板不经由树脂粘接剂层等而直接接合的构造的半导体发光装置。
技术介绍
1、在专利文献1、2等中公开了在发光元件上搭载荧光体板时，不使用粘接剂而通过表面活化接合(sab：surface activated bonding)直接接合的发光装置的制造方法。在通过这些制造方法制造的发光装置中，不包含折射率与发光元件、荧光体板不同的粘接剂层(特别是折射率比发光元件、荧光体板的折射率低的粘接剂层)，因此来自发光装置的光的取出效率提高。
2、具体而言，专利文献1的制造方法中，将预先单片化的发光元件排列在中继基板上，对发光元件与荧光体陶瓷的接合面分别进行研磨后，配置在真空装置内。在真空装置内，对各接合面分别照射稀有气体元素(he、ne、ar、kr中的至少一种)的离子束后，使接合面彼此接触并加压，由此进行接合。将接合后的发光元件和荧光体陶瓷从真空装置取出后，通过切割将荧光体陶瓷按每个发光装置进行切断，进行单片化。
3、另一方面，在专利文献2中公开了如下方法：在通过表面活化接合将发光元件的基板与荧光体板直接接合之后，将发光元件和荧光体板这两方按每个发光装置进行割断，由此制造各个发光装置。该制造方法通过表面活化接合将形成有多个发光元件的元件基板与荧光体板接合。在接合之前，通过磨削、研磨方法使元件基板变薄，对变薄的元件基板的成为元件间边界的位置照射激光，形成龟裂。使荧光体板与形成有龟裂的元件基板接触，通过加压而利用表面活化接合进行接合。然后，利用刀片将荧光体板切削至荧光体板的厚度的中途。从发光元
4、现有技术文献
5、专利文献
6、[专利文献1]日本特开2019-220675号公报
7、[专利文献2]日本特开2021-197542号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、专利文献1的制造方法对发光元件与荧光体陶瓷的接合面照射稀有气体元素的离子束来进行表面处理，因此需要在真空装置中配置发光元件和荧光体陶瓷。照射离子束后，不使真空装置向大气开放，在真空中使发光元件与荧光体陶瓷的接合面接触而接合。因此，需要在真空中进行表面活化处理、对准、基板加热、基板加重等全部操作，装置结构复杂化，且装置价格变高，因此成为产品的成本增加的原因。
3、另外，专利文献1的制造方法中，预先将发光元件单片化而排列，在其上表面活化接合荧光体陶瓷后，将荧光体陶瓷按每个发光装置切断而单片化，因此，单片化的发光装置也存在荧光体陶瓷的尺寸必然大于发光元件的问题。
4、另一方面，专利文献2的制造方法虽然不预先将发光元件单片化，但为了之后能够割断元件基板，预先利用激光在元件基板中导入裂纹，因此元件基板的强度降低。因此，在使荧光体板与元件基板接触并加压而进行表面活化接合时，为了防止元件基板破裂，需要限制加压的载荷。
5、另外，在将元件基板与荧光体板接合之后的工序中，由于内部应力、外部应力等，元件基板有可能破裂。在元件基板产生翘曲或施加了外力的情况下，元件基板与荧光体板有可能在接合面剥离。
6、进而，为了将接合后的元件基板与荧光体板割断，切削至荧光体板的厚度的中途，在剩余的厚度部分，在荧光体板中未形成龟裂、切口。因此，在荧光体板的未被切削的剩余的厚度部分中，当为了割断而被按压时，存在在与元件基板的裂纹位置错开的位置破裂的可能性、龟裂在相对于元件基板的裂纹的方向倾斜的方向上扩展而破裂的可能性。在荧光体板在相对于元件基板的裂纹位置及方向错开的位置或倾斜方向上破裂的情况下，成为侧面形状紊乱的不合格品，因此使完成品的成品率降低。
7、本专利技术的目的在于，在通过表面活化接合将荧光体板与发光元件接合、并将荧光体板与发光元件分割而制造各个半导体发光层的方法中，提高制造成品率。
8、用于解决课题的手段
9、为了实现上述目的，本专利技术提供一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置在包含半导体发光层的发光元件上接合有荧光体板，该荧光体板吸收从半导体发光层发出的光而发出荧光，半导体发光装置的制造方法具有：发光元件研磨工序，对发光元件板的上表面进行研磨，发光元件板包含在主平面方向上隔着间隙配置的多个半导体发光层；荧光体研磨工序，研磨荧光体板的下表面；层叠工序，以发光元件板的上表面与荧光体板的下表面对置的方式，在发光元件上搭载荧光体板，进行加热及加压，形成在发光元件板上接合有荧光体板的层叠体；切口形成工序，从层叠体的荧光体板侧，在与多个半导体发光层之间的间隙对应的位置切入规定深度的切口；缺口形成工序，从层叠体的发光元件侧，在多个半导体发光层之间的间隙处形成缺口；以及单片化工序，将切口的前端与缺口的前端之间的层叠体割断而将半导体发光装置单片化。切口的深度和缺口的深度的合计比层叠体的厚度浅，切口和缺口中的一方以超过荧光体板与发光元件板的接合面的深度形成。
10、切口的深度及缺口的深度的合计比层叠体的厚度浅，切口和缺口中的一方以超过荧光体板与发光元件板的接合面的深度而形成。
11、专利技术效果
12、根据本专利技术的半导体发光装置，能够提高通过表面活化接合将荧光体板与发光元件接合、并将荧光体板与发光元件分割而制造各个半导体发光层的方法的制造成品率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置在包含半导体发光层的发光元件上接合有荧光体板，该荧光体板吸收从所述半导体发光层发出的光而发出荧光，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置在包含半导体发光层的发光元件上接合有荧光体板，该荧光体板吸收从所述半导体发光层发出的光而发出荧光，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。