【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及油气藏开发，尤其涉及一种水侵波及系数的确定、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、水侵波及系数作为水驱气藏采收率标定的关键参数，是个无量纲，取值范围0～1；一定程度上，水侵波及系数直接决定着水驱气藏开发效果的好坏与最终采收率的高低，因此准确预测水驱气藏水侵波及系数对于边、底水气藏采收率标定及提高采收率对策的制定十分关键。
2、目前只能根据水侵量和产水量计算水驱气藏水侵波及系数，相关技术中给出了根据动态水侵量和产水量计算水驱气藏水侵波及系数计算公式，更多的是对当前水侵波及系数的评价，由于不清楚废弃时水侵量和产水量，无法预测水驱气藏废弃时水侵波及系数，直接影响着水驱气藏采收率标定及提高采收率效果评价工作。因此，迫切需要建立一种预测水驱气藏废弃时水侵波及系数的方法。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种水侵波及系数的确定、装置、电子设备及存储介质，可以准确预测水驱气藏废弃时水侵波及系数。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种水侵波及系数的确定方法，包括：
3、获取水驱气藏的储层基础参数、地质分层数据及测井曲线；
4、根据所述地质分层数据及所述测井曲线，计算所述水驱气藏的每个储层的渗透率均值及厚度；
5、针对所述水驱气藏的每个储层，根据所述储层基础参数、所述储层的渗透率均值及厚度，确定所述储层的水侵见水时生产水气比；
6、根据所述水侵见水时生产水气比，从所述水驱气藏的所有储层中确定废弃时水侵见水层
7、根据所述储层基础参数、所述废弃时水侵未见水层的渗透率均值及所述水驱气藏的每个储层的厚度，计算废弃时水侵波及系数。
8、根据本专利技术的另一方面，提供了一种水侵波及系数的确定装置，包括：
9、储层参数获取模块，用于获取水驱气藏的储层基础参数、地质分层数据及测井曲线；
10、渗透率均值计算模块，用于根据所述地质分层数据及所述测井曲线，计算所述水驱气藏的每个储层的渗透率均值及厚度；
11、生产水气比确定模块，用于针对所述水驱气藏的每个储层，根据所述储层基础参数、所述储层的渗透率均值及厚度，确定所述储层的水侵见水时生产水气比；
12、储层分类模块，用于根据所述水侵见水时生产水气比，从所述水驱气藏的所有储层中确定废弃时水侵见水层和废弃时水侵未见水层；
13、水侵波及系数计算模块，用于根据所述储层基础参数、所述废弃时水侵未见水层的渗透率均值及所述水驱气藏的每个储层的厚度，计算废弃时水侵波及系数。
14、根据本专利技术的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
15、至少一个处理器；以及
16、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
17、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术任一实施例所述的水侵波及系数的确定方法。
18、根据本专利技术的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的水侵波及系数的确定方法。
19、本专利技术实施例的水侵波及系数的确定方案，包括：获取水驱气藏的储层基础参数、地质分层数据及测井曲线；根据所述地质分层数据及所述测井曲线，计算所述水驱气藏的每个储层的渗透率均值及厚度；针对所述水驱气藏的每个储层，根据所述储层基础参数、所述储层的渗透率均值及厚度，确定所述储层的水侵见水时生产水气比；根据所述水侵见水时生产水气比，从所述水驱气藏的所有储层中确定废弃时水侵见水层和废弃时水侵未见水层；根据所述储层基础参数、所述废弃时水侵未见水层的渗透率均值及所述水驱气藏的每个储层的厚度，计算废弃时水侵波及系数。通过本专利技术实施例提供的技术方案，可以准确计算水驱气藏废弃时水侵波及系数，为水驱气藏采收率标定及提高采收率工作提供技术支撑，可有效提高水驱气藏开发效果。
20、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种水侵波及系数的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述水侵见水时生产水气比，从所述水驱气藏的所有储层中确定废弃时水侵见水层和废弃时水侵未见水层，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对所述水驱气藏的每个储层，根据所述储层基础参数、所述储层的渗透率均值及厚度，确定所述储层的水侵见水时生产水气比，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述储层基础参数包括原始含气饱和度下储层气相相对渗透率，水驱后储层水相相对渗透率，储层温度、原始地层压力、地层水粘度、地层水体积系数、天然气体积系数及天然气PVT数据；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述储层基础参数包括储层原始含气饱和度及水驱后储层残余气饱和度；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述水驱气藏水体参数、所述储层原始含气饱和度、所述水驱后储层残余气饱和度及生产允许的最小井底压力，计算水驱气藏极限水侵波及系数，包括：
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根
8.一种水侵波及系数的确定装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的水侵波及系数的确定方法。
...【技术特征摘要】
1.一种水侵波及系数的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述水侵见水时生产水气比，从所述水驱气藏的所有储层中确定废弃时水侵见水层和废弃时水侵未见水层，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对所述水驱气藏的每个储层，根据所述储层基础参数、所述储层的渗透率均值及厚度，确定所述储层的水侵见水时生产水气比，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述储层基础参数包括原始含气饱和度下储层气相相对渗透率，水驱后储层水相相对渗透率，储层温度、原始地层压力、地层水粘度、地层水体积系数、天然气体积系数及天然气pvt数据；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述储层基础参数包括储层原始含气饱和度及水驱后储层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘华勋，高树生，位云生，叶礼友，焦春艳，安为国，朱文卿，
申请(专利权)人：中国石油天然气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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