【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片测试领域，尤其涉及一种微型发光芯片测试方法以及测试模组。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro led，micro light emitting diode)显示面板由微米级半导体发光芯片阵列组成，是新型显示技术与led(light emitting diode，发光二极管)技术二者复合集成的综合性技术，其具有自发光、高效率、低功耗、高集成、高稳定性、全天候工作的优点。
2、由于微型发光二极管的芯片尺寸小，微型发光二极管的晶片无法被切割成单颗的芯片，在微型发光二极管的实际开发过程中，无法使用类似mini led(mini lightemitting diode，次毫米发光二极管)芯片的方式测试单颗微型发光二极管的性能。由于缺乏单颗微型发光二极管的性能数据，微型发光二极管产品的性能优化需要借助于巨量转移后的tft(thin film transistor，薄膜晶体管)背板，这样成本非常高，并且工艺周期长。
3、因此，如何低成本地获取到单颗微型发光二极管的性能数据是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种微型发光芯片测试方法以及测试模组，旨在解决微型发光二极管产品的性能优化需要借助于巨量转移后的tft背板，成本高且工艺周期长的问题。
2、一种微型发光芯片测试方法，包括：
3、提供芯片基板，所述芯片基板上设置有多颗微型发光芯片；
4、提供检测基板，所述检测基板上包括与
5、将所述微型发光芯片巨量转移至所述检测基板，每颗转移的所述微型发光芯片设于一个所述导电单元上，所述微型发光芯片的电极与一对所述引出部均电连接，每一所述引出部在转移所述微型发光芯片后存在露出的键合区域；
6、将所述检测基板分割为多个尺寸大于所述微型发光芯片的测试模组，各所述测试模组包括一个所述导电单元以及位于所述导电单元上的所述微型发光芯片；
7、对所述测试模组逐一进行性能检测，性能检测过程中，测试线路通过所述键合区域与所述微型发光芯片实现电连接。
8、上述微型发光芯片测试方法，通过巨量转移后分割检测基板的方式，将难以以单颗为单位进行操作的微型发光芯片形成为体积更大的且单颗独立的测试模组，更容易进入到后续的检测工序中，在一些实施方式中可完成单颗微型发光芯片的检测。
9、可选地，所述对所述测试模组逐一进行性能检测的步骤包括：。
10、提供至少两个对应不同测试项目的测试冶具基板，所述测试冶具基板上均设有测试线路；
11、将不同的测试模组分别设置到不同测试项目的所述测试冶具基板上，每一所述引出部对应与所述测试线路相连接；
12、通过不同的所述测试冶具基板上的所述测试线路驱动对应的所述微型发光芯片，以进行至少两种不同的性能检测。
13、将不同测试模组分别设置到不同测试项目所需的测试冶具基板上，实现对微型发光芯片不同性能的测试的目的，在一些实施方式中能够进行并行地测试，测试效率高。
14、可选地，所述测试模组为最短边不小于100um，最长边不大于500um的四边形。
15、在同一检测基板上能够形成较多测试模组，且各测试模组的尺寸能够较为容易地被单颗的进行操作，在一些实施过程中避免了单颗微型发光芯片过小而无法被单独进行检测的情况。
16、可选地，每一所述引出部包括与所述微型发光芯片的电极直接连接的固晶区域，以及与所述固晶区域连接的的焊盘区域，所述焊盘区域大于所述固晶区域，所述焊盘区域为以下任一种：
17、最短边不小于100um，最长边不大于300um的四边形；
18、半径不小于100um，不大于300um的圆形。
19、一些实施过程中，能够采用打线连接等传统方式对焊盘区域进行电连接，无需采用传统的tft背板来完成对微型发光芯片阵列的驱动，从而实现更简单且低成本的单颗微型发光芯片的检测。
20、可选地，每对所述引出部中，两个所述引出部之间的间隔大于所述微型发光芯片上两个所述电极之间的间隔。
21、引出部设置略大的间隔能够降低后续加工的精度的需求，且微型发光芯片与检测基板之间的键合材料溢出时，也由于两个引出部之间存在更大的绝缘间隔，不容易直接短路。
22、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种测试模组，包括：
23、由检测基板分割而成的子基板，所述子基板包括一个导电单元，所述导电单元包括一对相绝缘的引出部；
24、设于所述导电单元上的微型发光芯片，所述子基板的尺寸大于所述微型发光芯片；所述微型发光芯片的电极与一对所述引出部均电连接，每一所述引出部在设置所述微型发光芯片后存在露出的键合区域，所述键合区域用于在性能检测过程中使测试线路与所述微型发光芯片实现电连接。
25、难以以单颗为单位进行操作的微型发光芯片形成为体积更大的且单颗独立的测试模组，更容易进入到后续的检测工序中，采用本申请的测试模组，在一些实施过程中可完成对其上设置的单颗微型发光芯片的检测。
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1.一种微型发光芯片测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述提供检测基板的步骤包括：
3.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述对所述测试模组逐一进行性能检测的步骤包括：
4.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述对所述测试模组逐一进行性能检测的步骤包括：
5.如权利要求3或4所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，将所述测试模组设置到所述测试冶具基板上的步骤包括：
6.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述测试模组为最短边不小于100um，最长边不大于500um的四边形。
7.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，每一所述引出部在转移所述微型发光芯片后露出的键合区域的面积不小于所述微型发光芯片的每一电极的面积。
8.如权利要求7所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，每一所述引出部包括与所述微型发光芯片的电极直接连接的固晶区域，以及与所述固晶区域连接的焊盘区域，所述焊盘区域大于所
9.如权利要求6-8任一项所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，每对所述引出部中，两个所述引出部之间的间隔大于所述微型发光芯片上两个所述电极之间的间隔。
10.一种测试模组，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光芯片测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述提供检测基板的步骤包括：
3.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述对所述测试模组逐一进行性能检测的步骤包括：
4.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述对所述测试模组逐一进行性能检测的步骤包括：
5.如权利要求3或4所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，将所述测试模组设置到所述测试冶具基板上的步骤包括：
6.如权利要求1所述的微型发光芯片测试方法，其特征在于，所述测试模组为最短边不小于100um，最长边不大于50...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，赵永周，陈德伪，王子川，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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