【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过在基板上执行例如沉积工艺的处理工艺在基板上制造薄膜的方法、薄膜和基板处理设备。
技术介绍
1、一般来说，薄膜层、薄膜电路图案或光学图案应形成在基板上，以用于制造半导体装置、显示装置、太阳能电池等。为此，处理工艺是在基板上进行的，处理工艺的示例包括在基板上沉积包含特定材料的薄膜的沉积工艺、通过使用光敏材料选择性地曝光薄膜的一部分的光刻工艺、去除薄膜中选择性地曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。通过在基板上执行这样的处理工艺，可以在基板上制造薄膜。
2、近来，半导体装置、显示装置和太阳能电池已被更加小型化且还被发展为具有更薄的厚度，为此，薄膜的厚度应为薄的。然而，在于薄膜晶体管(tft)中被实施为半导体层和栅极层之间的绝缘层的薄膜中，因为薄膜的厚度变薄，所以会有由于隧穿现象(tunnelingphenomenon)而发生电流泄漏的问题。
3、因此，尽管薄膜的厚度被实施为薄的，仍需要开发用于减少电流泄漏的薄膜。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术在于解决上述问题，并且在于提供一种制造薄膜的方法和薄膜，其尽管具有薄的厚度仍可以减少电流泄漏。
3、技术方案
4、为了达成上述目的，本专利技术可以包括以下要素。
5、根据本专利技术，制造薄膜的方法可以包括：喷射包含高k介电材料的第一源气体以在基板上形成第一薄膜层的第一形成步骤；喷射包含高k介电材料的第二源气体以在基板上形成第二薄膜层的第二形成步骤；
6、根据本专利技术的薄膜可以包括：第一薄膜层，第一薄膜层通过使用高k介电材料形成在基板上并且通过等离子体结晶；以及第二薄膜层，第二薄膜层通过使用高k介电材料形成在基板上。
7、根据本专利技术的基板处理设备可以包括：腔室；基板支撑单元，基板支撑单元在腔室中支撑基板；上圆顶，上圆顶设置在腔室的上表面上；以及天线，天线设置在上圆顶之上以产生感应耦合等离子体，其中，上圆顶可以由陶瓷形成。
8、有益效果
9、根据本专利技术，可以实现以下效果。
10、本专利技术可以被实施为使得所有的第一薄膜层和第二薄膜层由高k介电材料形成，并且使得第一薄膜层和第二薄膜层中的至少一者结晶，因此，尽管形成为具有更薄的厚度，但仍可以进一步减少电流泄漏。因此，本专利技术可以制造更精细且具有更薄的厚度的薄膜晶体管等，并且可以进一步减少电流泄漏，从而有助于进一步提高薄膜晶体管等的性能。
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1.一种制造薄膜的方法，包括：
2.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，还包括：在执行所述第一形成步骤之前，从形成在所述基板上的下部膜去除氧化物膜的去除步骤，
3.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一源气体和所述第二源气体包含不同的高k介电材料。
4.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一形成步骤通过使用包含铪(Hf)和锆(Zr)中的至少一种高k介电材料的第一源气体来形成所述第一薄膜层，并且
5.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一形成步骤包括：
6.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤包括使所述第一薄膜层结晶的第一结晶步骤，并且
7.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一沉积步骤通过将氧气(O2)的等离子体用作所述第一反应气体来一起执行沉积和结晶。
8.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一沉积步骤喷射作为所述第一反应气体的臭氧(O3)。
9.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤包括使所述第一薄膜层结
10.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤通过使用包含氦气(He)、氩气(Ar)、氨气(NH3)、氧气(O2)和氢气(H2)中的至少一者的等离子体气体来产生等离子体。
11.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤使所述第一薄膜层和所述第二薄膜层以不同的结晶速率结晶。
12.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤仅使所述第一薄膜层结晶。
13.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，还包括：在所述基板上形成第三薄膜层的第三形成步骤，
14.一种薄膜，包括：
15.如权利要求14所述的薄膜，其中，所述第二薄膜层以与所述第一薄膜层的结晶速率不同的结晶速率结晶，或由非晶形的材料形成。
16.如权利要求14所述的薄膜，其中，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层通过使用不同的高k介电材料来形成。
17.如权利要求14所述的薄膜，其中，所述第一薄膜层通过使用铪(Hf)和锆(Zr)中的至少一种高k介电材料来形成，并且
18.如权利要求14所述的薄膜，还包括形成在所述基板上的第三薄膜层，并且
19.一种基板处理设备，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造薄膜的方法，包括：
2.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，还包括：在执行所述第一形成步骤之前，从形成在所述基板上的下部膜去除氧化物膜的去除步骤，
3.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一源气体和所述第二源气体包含不同的高k介电材料。
4.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一形成步骤通过使用包含铪(hf)和锆(zr)中的至少一种高k介电材料的第一源气体来形成所述第一薄膜层，并且
5.如权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一形成步骤包括：
6.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤包括使所述第一薄膜层结晶的第一结晶步骤，并且
7.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一沉积步骤通过将氧气(o2)的等离子体用作所述第一反应气体来一起执行沉积和结晶。
8.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述第一沉积步骤喷射作为所述第一反应气体的臭氧(o3)。
9.如权利要求5所述的制造薄膜的方法，其中，所述结晶步骤包括使所述第一薄膜层结晶的第一结晶步骤，并且
10.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：甦财郁，陈世焕，严程煜，宋旻进，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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