【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及抗蚀剂顶涂层组合物(resist topcoat composition，抗蚀剂表涂层组合物)和使用所述组合物形成图案的方法。
技术介绍
1、近来，半导体工业已经开发了提供尺寸在几纳米至几十纳米的图案的超微技术。这种超微技术应伴有有效的光刻工艺。
2、现有的光刻工艺涉及在半导体衬底(substrate)上形成材料层，在其上涂覆光刻胶(photoresist，光致抗蚀剂)层，曝光并显影以形成光刻胶图案，然后使用光刻胶图案作为掩模蚀刻所述材料层。
3、随着光刻工艺的发展，图案集成度(degree of pattern integration，图案一体化程度)日益增加，并且正在研究用于解决在该工艺中出现的各种问题的材料和技术。
4、例如，如果极紫外光(euv)被辐射到光刻胶上，由于euv光的每个光子的高能量，可能存在大量光或少量光被随机辐射的区域(这可以被称为光散粒噪声(photo shotnoise))，或者光刻胶的顶部和底部之间的euv吸收差异可能导致图案分布劣化，如图案的粗糙度(例如，ler：线边缘粗糙度，lwr：线宽粗糙度)和/或ipu(点内均匀性(in-pointuniformity))，因此进一步开发改善这种图案分散劣化的技术将是有用的。
技术实现思路
1、本公开的一些实施方式提供了能够通过防止或减少图案劣化来减少图案分散的抗蚀剂顶涂层组合物。
2、一些实施方式提供了使用抗蚀剂顶涂层组合物形成图案的方法。p>
3、一些实施方式提供了抗蚀剂顶涂层组合物，包含：共聚物，该共聚物包括由化学式m-1表示的第一结构单元、由化学式m-2表示的第二结构单元和由化学式m-3a或化学式m-3b表示的第三结构单元；以及溶剂。
4、
5、在化学式m-1和化学式m-2中，
6、r1和r2各自独立地是氢或者取代或未取代的c1至c10烷基，
7、l1和l2各自独立地是单键(例如，单共价键)、取代或未取代的c1至c10亚烷基或它们的组合，
8、x1是单键(例如，单共价键)、-o-、-s-、-s(o)-、-s(o)2-、-c(o)-、-(co)o-、-o(co)-、-o(co)o-、-nra-(其中，ra是氢、氘或者取代或未取代的c1至c10烷基)或它们的组合，
9、r5是氢、氟、羟基、取代或未取代的c1至c20烷基或它们的组合，
10、r6是氢或c(＝o)rb，
11、rb是取代或未取代的c1至c10烷基，
12、选自r5、l1和l2中的至少一个包含氟和羟基，
13、r7是氢、卤素、羟基、取代或未取代的c1至c10烷基或它们的组合，m1是1至4的整数中的一个，并且
14、*是连接点；
15、
16、
17、在化学式m-3a和化学式m-3b中，
18、r3和r4各自独立地是氢或者取代或未取代的c1至c10烷基，
19、x2是n或crc，
20、rc是氢或者取代或未取代的c1至c10烷基，
21、l3至l7各自独立地是单键(例如，单共价键)、取代或未取代的c1至c10亚烷基、取代或未取代的c6至c12亚芳基或它们的组合，
22、r8至r14各自独立地是氢、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c6至c20芳基或它们的组合，
23、n1是1至3的整数中的一个，并且
24、*是连接点(例如，与共聚物的另一部分的连接点)。
25、一些实施方式提供了形成图案的方法，包括在衬底上涂覆并加热光刻胶组合物以形成光刻胶层，在光刻胶层上涂覆并加热上述抗蚀剂顶涂层组合物以形成顶涂层，以及将顶涂层和光刻胶层曝光并显影以形成抗蚀剂图案。
26、根据一些实施方式的抗蚀剂顶涂层组合物可以从光刻胶的顶部去除过量的活化酸，如果暴露于euv，以防止或减少图案分散劣化，例如由于光刻胶的顶部和底部之间的euv吸收差异导致的图案的粗糙度(ler、lwr)和/或ipu，由此减少图案分散，显著改善柱状图案的ipu并且有助于形成光刻胶的精细图案。
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1.一种抗蚀剂顶涂层组合物，包含：
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
5.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
6.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
7.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
8.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
9.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
10.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
11.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
12.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
13.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
14.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
15.一种形成图案的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种抗蚀剂顶涂层组合物，包含：
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
5.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
6.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
7.根据权利要求1所述的抗蚀剂顶涂层组合物，其中
8.根据权利要求1所述的抗蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤，南宫烂，河京珍，宋大锡，金旼秀，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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