System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体封装及其制造方法技术_技高网

半导体封装及其制造方法技术

技术编号:44470597 阅读:1 留言:0更新日期:2025-03-04 17:41
本公开涉及半导体封装。示例半导体封装包括第一半导体芯片、第一半导体芯片上的第二半导体芯片、设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上的第一接合焊盘以及设置在第二半导体芯片的面向第一表面的第二表面上的第二接合焊盘。第二接合焊盘与第一接合焊盘接触,并且包括与第一接合焊盘接触的第三表面以及与第三表面相对的第四表面。第二半导体芯片包括与第四表面接触的第一布线焊盘以及与第一布线焊盘和第二接合焊盘间隔开的第二布线焊盘。第二布线焊盘的厚度小于第一布线焊盘的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体封装和半导体封装制造方法,包括具有改进的产品可靠性的半导体封装。


技术介绍

1、随着电子工业的发展,对电子元件的更高功能、更高速度和更小尺寸的需求不断增加。响应于这种趋势,可以使用用于在单个封装布线结构上堆叠和安装多个半导体芯片或者将封装彼此堆叠的方法。

2、近年来,通过使用直接接合来竖直地堆叠多个管芯,来减小堆叠芯片之间的互连长度。


技术实现思路

1、总体上,根据一些方面,一种半导体封装包括:第一半导体芯片;第一半导体芯片上的第二半导体芯片;第一接合焊盘,设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上;以及第二接合焊盘,设置在第二半导体芯片的面向第一表面的第二表面上,并且与第一接合焊盘接触,其中第二接合焊盘包括与第一接合焊盘接触的第三表面以及与第三表面相对的第四表面,其中第二半导体芯片包括与第二接合焊盘的第四表面接触的第一布线焊盘以及与第一布线焊盘间隔开并且不与第二接合焊盘接触的第二布线焊盘,其中第二布线焊盘的厚度小于第一布线焊盘的厚度。

2、总体上,根据一些方面,一种半导体封装包括:第一半导体芯片;第一半导体芯片上的第二半导体芯片;第一接合焊盘,设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上;以及第二接合焊盘,设置在第二半导体芯片的面向第一表面的第二表面上,并且与第一接合焊盘接触,其中第二半导体芯片包括与第二接合焊盘接触的第一布线焊盘以及与第一布线焊盘间隔开并且不与第二接合焊盘接触的第二布线焊盘,其中第一布线焊盘包括与第二接合焊盘接触的第三表面以及与第三表面相对的第四表面,其中,第二布线焊盘包括面向第一半导体芯片的第五表面以及与第五表面相对的第六表面,第四表面与第六表面设置在相同平面上,并且基于第一半导体芯片的第一表面,第三表面位于第五表面下方。

3、总体上,根据一些方面,一种半导体封装包括:封装衬底;封装衬底上的第一半导体芯片;第一半导体芯片上的第二半导体芯片;第一接合焊盘,设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上;第二接合焊盘,设置在第二半导体芯片的面对第一表面的第二表面上,并与第一接合焊盘接触;以及模制膜,设置在封装衬底上,并且覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中第二接合焊盘包括与第一接合焊盘接触的第三表面以及与第三表面相对的第四表面,第一半导体芯片包括与第一接合焊盘接触的第一贯通电极以及连接到第一贯通电极的第一布线结构,其中第二半导体芯片包括与第二接合焊盘的第四表面接触的第一布线焊盘、包括与第一布线焊盘间隔开并且不与第二接合焊盘接触的第二布线焊盘的第二布线结构、以及连接到第二布线结构的第二贯通电极,其中第一接合焊盘和第二接合焊盘包括铜,第一布线焊盘和第二布线焊盘包括铝,并且第二布线焊盘的厚度为第一布线焊盘的厚度的50%或更小。

4、总体上,根据一些方面,一种用于制造半导体封装的方法包括:在第一半导体芯片的第一表面上形成第一接合焊盘;在第二半导体芯片的第二表面上形成具有第一厚度的第一布线焊盘和具有比第一厚度小的第二厚度的第二布线焊盘;在第二半导体芯片的第二表面上形成绝缘膜,该绝缘膜围绕第一布线焊盘的侧表面并覆盖第二布线焊盘;在第一布线焊盘上形成第二接合焊盘;以及将第一接合焊盘与第二接合焊盘接合。

5、然而,本公开的各方面不限于在此阐述的内容。通过参考下面给出的本公开的详细解释,本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装,

3.根据权利要求1所述的半导体封装,包括:

4.根据权利要求3所述的半导体封装,

5.根据权利要求1所述的半导体封装,

6.根据权利要求5所述的半导体封装,

7.根据权利要求1所述的半导体封装,

8.根据权利要求1所述的半导体封装,

9.根据权利要求1所述的半导体封装,

10.根据权利要求1所述的半导体封装,

11.根据权利要求1所述的半导体封装,包括:

12.一种半导体封装,包括:

13.根据权利要求12所述的半导体封装,

14.根据权利要求12所述的半导体封装,

15.根据权利要求12所述的半导体封装,

16.根据权利要求12所述的半导体封装,

17.根据权利要求16所述的半导体封装,

18.根据权利要求12所述的半导体封装,

19.根据权利要求12所述的半导体封装,

20.一种半导体封装,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装,

3.根据权利要求1所述的半导体封装,包括:

4.根据权利要求3所述的半导体封装,

5.根据权利要求1所述的半导体封装,

6.根据权利要求5所述的半导体封装,

7.根据权利要求1所述的半导体封装,

8.根据权利要求1所述的半导体封装,

9.根据权利要求1所述的半导体封装,

10.根据权利要求1所述的半导体封装,

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【专利技术属性】
技术研发人员:池永根
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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