【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅，尤其涉及一种单晶硅的生长设备。
技术介绍
1、目前，随着太阳能技术对高光电转换效率的追求和降低成本的要求，n型单晶硅片大规模应用，topcon(tunnel oxide passivated contact)技术不断发展。但topcon电池技术会产生一定比例的氧环，对氧含量有很高的要求。因此降低硅棒中的氧含量成为当前的主要技术难点。降低氧含量主要方法是降低与硅料接触的坩埚内表面的温度，特别是坩埚底部的温度，因此如何降低坩埚底部的温度是当前行业迫切需要解决的问题。
2、有鉴于此，有必要对现有的单晶硅的生长设备予以改进，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种能够有效降低坩埚底部温度、减少氧杂质含量的单晶硅的生长设备。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种单晶硅的生长设备，包括：
3、坩埚组件，其用以容纳硅料；
4、加热组件，设置在坩埚组件的外侧以对容纳在坩埚组件内的硅料进行加热，包括位于所述坩埚组件外围的第一加热器；
5、隔热组件，其呈环状设置于所述坩埚组件的外侧且在高度方向上延伸，所述隔热组件向上延伸至所述第一加热器的下侧、向下延伸超出所述坩埚组件的埚托的底端。
6、作为本专利技术的进一步改进，所述单晶硅的生长设备还包括设置在所述坩埚组件外侧的保温组件，所述保温组件包括位于所述坩埚组件下侧的底保温壁，所述隔热组件包括支撑于所述底保温壁上的第一隔热环，所述
7、作为本专利技术的进一步改进，所述加热组件还包括位于所述坩埚组件下侧的第二加热器，所述第一隔热环向下延伸超过所述第二加热器。
8、作为本专利技术的进一步改进，所述第一隔热环包括上下相连的上隔热环和下隔热环，所述上隔热环的外径不大于所述第一加热器的外径，所述上隔热环的内径大于所述坩埚组件的埚邦的外径，且所述上隔热环向上延伸至所述埚邦的外侧。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述上隔热环的底端低于所述埚托的底端，所述下隔热环的内径大于所述埚托的外径。
10、作为本专利技术的进一步改进，在上下方向上，所述上隔热环呈内径相同、外径相同的直筒状，所述下隔热环也呈内径相同、外径相同的直筒状，且所述上隔热环自所述下隔热环平直地向上延伸形成。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述上隔热环与所述下隔热环的内径不同、外径也不同，所述下隔热环的外径小于所述第一加热器的内径，所述第一隔热环还具有将所述上隔热环和下隔热环相连的连接环。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述隔热组件还包括与所述埚托相连的第二隔热环，所述第二隔热环在所述坩埚组件的径向方向上位于所述下隔热环的内侧，且在高度方向上与所述下隔热环至少部分地重叠。
13、作为本专利技术的进一步改进，所述第二隔热环的下端缘不高于所述托杆顶端设置的托盘的下端缘。
14、作为本专利技术的进一步改进，所述隔热组件由石墨、石英、氮化硅、氧化铝、陶瓷材料、石墨纤维中的一种或多种材料制成。
15、本专利技术的有益效果：本专利技术单晶硅的生长设备通过在坩埚组件的外侧设置沿高度方向延伸的隔热组件，并使得所述隔热组件向上延伸至所述第一加热器的下侧、向下延伸超出所述坩埚组件的埚托的底端，从而通过在热场底部增加隔热组件的方式，有效地减少所述第一加热器向坩埚的底部辐射热量，降低坩埚底部的温度，减缓坩埚与熔硅反应，一氧化硅生成量明显减少，从而在不影响现有热场整体结构的条件下，降低晶棒中的氧含量。
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1.一种单晶硅的生长设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述单晶硅的生长设备还包括设置在所述坩埚组件外侧的保温组件，所述保温组件包括位于所述坩埚组件下侧的底保温壁，所述隔热组件包括支撑于所述底保温壁上的第一隔热环，所述第一隔热环自所述底保温壁向上延伸超出所述埚托的顶端。
3.如权利要求2所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述加热组件还包括位于所述坩埚组件下侧的第二加热器，所述第一隔热环向下延伸超过所述第二加热器。
4.如权利要求2所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述第一隔热环包括上下相连的上隔热环和下隔热环，所述上隔热环的外径不大于所述第一加热器的外径，所述上隔热环的内径大于所述坩埚组件的埚邦的外径，且所述上隔热环向上延伸至所述埚邦的外侧。
5.如权利要求4所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述上隔热环的底端低于所述埚托的底端，所述下隔热环的内径大于所述埚托的外径。
6.如权利要求4所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：在上下方向上，所述上隔热环呈内径相同、外径相同的直筒状
7.如权利要求4所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述上隔热环与所述下隔热环的内径不同、外径也不同，所述下隔热环的外径小于所述第一加热器的内径，所述第一隔热环还具有将所述上隔热环和下隔热环相连的连接环。
8.如权利要求4所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述隔热组件还包括与所述埚托相连的第二隔热环，所述第二隔热环在所述坩埚组件的径向方向上位于所述下隔热环的内侧，且在高度方向上与所述下隔热环至少部分地重叠。
9.如权利要求8所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述第二隔热环的下端缘不高于所述托杆顶端设置的托盘的下端缘。
10.如权利要求1至9中任一项所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述隔热组件由石墨、石英、氮化硅、氧化铝、陶瓷材料、石墨纤维中的一种或多种材料制成。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的生长设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述单晶硅的生长设备还包括设置在所述坩埚组件外侧的保温组件，所述保温组件包括位于所述坩埚组件下侧的底保温壁，所述隔热组件包括支撑于所述底保温壁上的第一隔热环，所述第一隔热环自所述底保温壁向上延伸超出所述埚托的顶端。
3.如权利要求2所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述加热组件还包括位于所述坩埚组件下侧的第二加热器，所述第一隔热环向下延伸超过所述第二加热器。
4.如权利要求2所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述第一隔热环包括上下相连的上隔热环和下隔热环，所述上隔热环的外径不大于所述第一加热器的外径，所述上隔热环的内径大于所述坩埚组件的埚邦的外径，且所述上隔热环向上延伸至所述埚邦的外侧。
5.如权利要求4所述的单晶硅的生长设备，其特征在于：所述上隔热环的底端低于所述埚托的底端，所述下隔热环的内径大于所述埚托的外径。
6.如权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，贾晨晨，何金凯，王成龙，刘磊，
申请(专利权)人：协鑫新上海光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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