【技术实现步骤摘要】
本申请涉及粒子探测，特别涉及一种α辐射荧光测量装置。
技术介绍
1、相关技术中，α粒子在空气中的射程短(5cm)，常规探测器探测α粒子时需要制备电镀薄源，源与探测器之间距离要小于5cm(有的甚至小于5mm)，探测器窗要非常薄，且半导体探测器还要抽真空。而对于液闪探测器，虽然采用发光方式探测，但需破坏样品溶入闪烁液，造成无法处理的毒性闪烁液和放射性混合废物。这些条件限制了对直接采样的任意基质和规格的α核素样品的便捷及远距离测量。由此可见，相关技术中的测量装置对α粒子的测量麻烦。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例的主要目的在于提供一种测量便捷的α辐射荧光测量装置。
2、为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
3、本申请实施例提供了一种α辐射荧光测量装置，包括：
4、发光腔室，所述发光腔室包括具有容纳腔的透光腔体，以及填充在所述容纳腔内的工作气体，所述容纳腔用于安装α放射源，所述工作气体能在所述α放射源的辐射下发射荧光；
5、光探测组件，所述光探测组件设置在所述发光腔室外的一侧，且朝向所述α放射源，以用于探测所述工作气体发射的荧光。
6、一种实施方式中，所述α辐射荧光测量装置还包括光反射组件，所述光反射组件设置在所述发光腔室外，且所述光反射组件的至少部分区域位于所述发光腔室背离所述光探测组件的一侧，以使所述工作气体发射的部分荧光朝所述光探测组件的一侧反射。
7、一种实施方式中，所述光反射组件包括
8、一种实施方式中，所述反射腔体与所述光探测组件位于所述发光腔室的异侧；和/或，
9、所述透光腔体具有用于取放所述α放射源的取放口，所述取放口与所述反射腔体异侧。
10、一种实施方式中，所述反射腔体靠近所述发光腔室一侧的表面为球面的一部分，且朝背离所述发光腔室的一侧凹陷；和/或，
11、所述反射腔体的材质为聚四氟乙烯；和/或，
12、所述光反射组件还包括设置在所述反射腔体靠近所述发光腔室一侧的第一漫反射层。
13、一种实施方式中，所述光探测组件包括光电倍增管和光过滤器，所述光过滤器设置在所述光电倍增管和所述发光腔室之间，且所述光电倍增管的中心、所述光过滤器的中心和所述发光腔室的中心同轴设置。
14、一种实施方式中，所述透光腔体还具有气流入口和气流出口；
15、所述气流入口和所述气流出口分别位于所述α放射源相对两侧的所述透光腔体的内壁上；和/或，
16、所述气流出口位于所述气流入口的顶侧。
17、一种实施方式中，所述透光腔体至少部分区域为紫外熔融石英玻璃；和/或，
18、所述发光腔室还包括紫外增透膜，所述透光腔体周侧的内表面和外表面的至少其中之一设置有所述紫外增透膜。
19、一种实施方式中，所述发光腔室还包括放射源安装支架，所述放射源安装支架包括架体和托盘，所述托盘设置在所述架体上，且位于所述容纳腔的中心位置，所述托盘用于安装所述α放射源；和/或，
20、所述透光腔体包括腔主体和盖体，所述腔主体的顶部形成有取放口，所述盖体可拆卸地盖设在所述取放口处，所述光探测组件设置在所述腔主体的侧向，所述腔主体为透光材质，所述盖体的材质为聚乙烯。
21、一种实施方式中，所述α辐射荧光测量装置还包括暗室，所述发光腔室、所述光探测组件和所述光反射组件均设置在所述暗室中，所述α辐射荧光测量装置还包括设置在所述暗室内表面的第二漫反射层。
22、本申请实施例提供了一种α辐射荧光测量装置，α辐射荧光测量装置包括发光腔室和光探测组件。发光腔室包括具有容纳腔的透光腔体，以及填充在容纳腔内的工作气体，容纳腔用于安装α放射源，工作气体能在α放射源的辐射下发射荧光。光探测组件设置在发光腔室外的一侧，且朝向α放射源，以用于探测工作气体发射的荧光。由此，一方面，通过α放射源的α粒子引起工作气体辐射发光，再通过光探测组件探测工作气体发射的荧光，从而能够便捷地实现对α粒子的探测，可以提高测量的便捷性。另一方面，由于工作气体和α放射源均位于容纳腔内，因而能够大大提高透光腔体内的工作气体的纯度，可以起到节约工作气体的效果，能够较快进入稳定的测量状态。同时，由于光探测组件是设置在发光腔室外，因而在向容纳腔内填充工作气体的过程中，能够降低对光探测组件造成损伤的风险，可以提高α辐射荧光测量装置的安全性能。
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1.一种α辐射荧光测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述α辐射荧光测量装置还包括光反射组件，所述光反射组件设置在所述发光腔室外，且所述光反射组件的至少部分区域位于所述发光腔室背离所述光探测组件的一侧，以使所述工作气体发射的部分荧光朝所述光探测组件的一侧反射。
3.根据权利要求2所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述光反射组件包括反射腔体，所述光探测组件与所述发光腔室沿第一方向间隔设置，在与所述第一方向垂直的投影面内，所述发光腔室的投影位于所述反射腔体的投影范围内。
4.根据权利要求3所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述反射腔体与所述光探测组件位于所述发光腔室的异侧；和/或，
5.根据权利要求3或4所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述反射腔体靠近所述发光腔室一侧的表面为球面的一部分，且朝背离所述发光腔室的一侧凹陷；和/或，
6.根据权利要求1-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述光探测组件包括光电倍增管和光过滤器，所述光过滤器设置在所述光电
7.根据权利要求1-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述透光腔体还具有气流入口和气流出口；
8.根据权利要求1-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述透光腔体至少部分区域为紫外熔融石英玻璃；和/或，
9.根据权利要求1-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述发光腔室还包括放射源安装支架，所述放射源安装支架包括架体和托盘，所述托盘设置在所述架体上，且位于所述容纳腔的中心位置，所述托盘用于安装所述α放射源；和/或，
10.根据权利要求2-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述α辐射荧光测量装置还包括暗室，所述发光腔室、所述光探测组件和所述光反射组件均设置在所述暗室中，所述α辐射荧光测量装置还包括设置在所述暗室内表面的第二漫反射层。
...【技术特征摘要】
1.一种α辐射荧光测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述α辐射荧光测量装置还包括光反射组件，所述光反射组件设置在所述发光腔室外，且所述光反射组件的至少部分区域位于所述发光腔室背离所述光探测组件的一侧，以使所述工作气体发射的部分荧光朝所述光探测组件的一侧反射。
3.根据权利要求2所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述光反射组件包括反射腔体，所述光探测组件与所述发光腔室沿第一方向间隔设置，在与所述第一方向垂直的投影面内，所述发光腔室的投影位于所述反射腔体的投影范围内。
4.根据权利要求3所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述反射腔体与所述光探测组件位于所述发光腔室的异侧；和/或，
5.根据权利要求3或4所述的α辐射荧光测量装置，其特征在于，所述反射腔体靠近所述发光腔室一侧的表面为球面的一部分，且朝背离所述发光腔室的一侧凹陷；和/或，
6.根据权利要求1-4任意一项所述的α辐射荧光测量装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓清，徐利军，罗瑞，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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