【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及形成半导体结构。更具体地，本公开涉及在半导体器件的制造期间形成半导体结构和相关的计算机程序产品。
技术介绍
1、例如在半导体器件的制造期间，材料层通常沉积到衬底上。材料层沉积通常通过将衬底加热到期望的沉积压力，并在选择的环境条件下将衬底暴露于材料层前体以使材料层沉积到衬底上来完成。一旦材料层发展出所需的一种或多种性质，衬底通常被送去进一步处理，以适合于正在制造的器件。
2、在一些材料层沉积方法中，沉积可能需要将衬底暴露于一种以上的材料层前体。在前体包括具有完全不同的结合亲和力和/或迁移倾向的成分(例如硼)的情况下，可能需要采取对策来抵消完全不同的亲和力和迁移倾向，例如通过在沉积覆盖层之前停止一层的沉积。虽然通常令人满意，但采用这种对策的沉积过程可能会延长沉积过程。
3、这种系统和方法已经被普遍接受用于它们的预期目的。然而，仍需要形成半导体结构、半导体处理系统和相关计算机程序产品的改进方法。本公开提供了对这种需求的解决方案。
技术实现思路
1、提供了一种形成半导体处理系统的方法。该方法包括：将衬底安置在布置在半导体处理系统的室装置内的衬底支撑件上；以第一含硼前体质量流量将含硼前体流动到室装置；以及使用含硼前体沉积第一sige:b层的第一部分。将含硼前体的质量流量增加至中间含硼前体流量；使用含硼前体沉积第一sige:b层的第二部分；将到室装置的含硼前体的质量流量进一步增加至第二含硼前体质量流量；以及使用含硼前体将第二sige:b层沉积到第一sige
2、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括：在第一部分沉积间隔期间形成第一sige:b层的第一部分，在第二部分沉积间隔期间形成第一sige:b层的第二部分，并且第二部分沉积间隔比第一部分沉积间隔短。
3、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第一sige:b层中间含硼前体质量流量介于第一sige:b层第一含硼前体质量流量的约110％和约200％之间。该方法可以包括第一sige:b层第二含硼前体的质量流量介于第一sige:b层中间含硼前体质量流量的约150％和约250％之间。
4、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第二部分沉积间隔介于第一部分沉积间隔的约10％和约40％之间。
5、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在第一部分沉积间隔期间含硼前体的质量流量可以基本恒定。
6、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在第二部分沉积间隔期间含硼前体的质量流量可以逐渐增加。
7、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在第一sige:b层的第一部分的沉积期间，将含硅前体流动到室装置；在第一sige:b层的第一部分的沉积期间，使含锗前体流动到室装置；以及在第一sige:b层的第二部分的沉积期间，增加含锗前体质量流量(和/或质量)与含硅前体质量流量(和/或质量)的比率。
8、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括：在sige:b层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率包括：在第一sige:b层的第一部分的沉积期间，使含锗前体以第一含锗前体质量流量流动到室装置；在第一sige:b层的第二部分的沉积期间，将第一含锗前体质量流量增加到第二含锗前体质量流量；以及在第二sige:b层的沉积期间，使含锗前体以第二含锗前体质量流量流动到室装置。
9、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第二含锗前体质量流量可以介于第一含锗前体质量流量的约150％和约400％之间。
10、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在第二sige:b层的沉积期间第二含锗前体质量流量可以保持基本恒定。
11、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在限定第一sige:b层与第二sige:b层界面期间，含锗前体的质量流量可以保持基本恒定。
12、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在sige:b层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率可以包括：在第一sige:b层的第一部分的沉积期间，使含硅前体以第一含硅前体质量流量流动到室装置；在第一sige:b层的第二部分的沉积期间，将第一含硅前体质量流量增加至第二含硅前体质量流量；以及在第二sige:b层的沉积期间，使含硅前体以第二含硅前体质量流量流动到室装置。
13、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第二含硅前体质量流量可以介于第一含硅前体质量流量的约105％和约125％之间。
14、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在限定第一sige:b层和第二sige:b层之间的第一sige:b层与第二sige:b层界面期间，流动到室装置的第一含硅前体质量流量保持恒定。
15、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括在第一sige:b层的第一部分的沉积期间，使蚀刻剂以第一蚀刻剂质量流量流动到室装置；在沉积第一sige:b层的第二部分期间，将蚀刻剂的流量增加到第二蚀刻剂质量流量；以及在第二sige:b层的沉积期间，使蚀刻剂以第二蚀刻剂质量流量流动到室装置。
16、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第二蚀刻剂质量流量介于第一蚀刻剂质量流量的约150％和约600％之间。
17、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括连续且没有中断地沉积第一sige:b层和第二sige:b层。
18、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括衬底具有限定在衬底的上表面内的沟槽。该方法还可以包括将硅锗(sige)层沉积到界定沟槽的下表面和侧壁上，并且第一sige:b层沉积到sige层上。
19、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括第一sige:b层沉积在沟槽内并且沉积到sige层上，第二sige:b层突出到衬底的上表面上方，并且该方法还包括将掺硼硅层沉积到第二sige:b层上。
20、除了上述的一个或多个特征之外，或者作为替代，该方法的其他示例可以包括将sige中间层沉积到第二sige:b层上。可以设想，掺硼硅(si:b)层可以沉积到sige中间层上。
21、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种制造半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一SiGe:B层的第一部分在第一部分沉积间隔期间形成，其中，所述第一SiGe:B层的第二部分在第二部分沉积间隔期间形成，并且其中第二部分沉积间隔比第一部分沉积间隔短。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二部分沉积间隔介于所述第一部分沉积间隔的约10％和约40％之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含硼前体的质量流量在所述第一部分沉积间隔期间基本恒定。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含硼前体的质量流量在所述第二部分沉积间隔期间逐渐增加。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述SiGe:B层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二含锗前体质量流量介于所述第一含锗前体质量流量的150％和400％之间。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二SiGe:B层的沉积
10.根据权利要求7所述的方法，其中，在限定所述第一SiGe:B层与第二SiGe:B层界面期间，所述含锗前体的质量流量保持恒定。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述SiGe:B层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二含硅前体质量流量介于所述第一含硅前体质量流量的约105％和约125％之间。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，在限定所述第一SiGe:B层和第二SiGe:B层之间的第一SiGe:B层与第二SiGe:B层界面期间，流动到室装置的第一含硅前体质量流量保持恒定。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二蚀刻剂质量流量介于所述第一蚀刻剂质量流量的约150％和约600％之间。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一SiGe:B层和第二SiGe:B层被连续且没有中断地沉积。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括限定在衬底的上表面内的沟槽，所述方法还包括将硅锗(SiGe)层沉积到界定沟槽的下表面和侧壁上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一SiGe:B层沉积在所述沟槽内并且沉积到所述SiGe层上，其中，所述第二SiGe:B层突出到衬底的上表面上方，并且其中，所述方法还包括将掺硼硅层沉积到第二SiGe:B层上。
19.根据权利要求1所述的方法，还包括：
20.一种使用根据权利要求1所述的方法形成的半导体结构，其中第二SiGe:B层具有比第一SiGe:B层更大的厚度，其中第二SiGe:B层具有比第一SiGe:B层更大的锗浓度，并且其中第二SiGe:B层具有比第一SiGe:B层更大的硼浓度。
21.根据权利要求19所述的半导体结构，还包括：
22.一种计算机程序产品，包括具有指令的非暂时性机器可读介质，当由处理器读取时，指令使处理器：
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一sige:b层的第一部分在第一部分沉积间隔期间形成，其中，所述第一sige:b层的第二部分在第二部分沉积间隔期间形成，并且其中第二部分沉积间隔比第一部分沉积间隔短。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二部分沉积间隔介于所述第一部分沉积间隔的约10％和约40％之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含硼前体的质量流量在所述第一部分沉积间隔期间基本恒定。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含硼前体的质量流量在所述第二部分沉积间隔期间逐渐增加。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述sige:b层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二含锗前体质量流量介于所述第一含锗前体质量流量的150％和400％之间。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二sige:b层的沉积期间，所述第二含锗前体质量流量保持基本恒定。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，在限定所述第一sige:b层与第二sige:b层界面期间，所述含锗前体的质量流量保持恒定。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述sige:b层的第二部分的沉积期间，增加流动到室装置的含锗前体与含硅前体的比率包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二含硅前体质量流量介于所述第一含硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·苏亚雷斯，A·卡杰巴夫瓦拉，A·穆拉利，C·米斯金，A·德莫斯，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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