【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备领域，特别是涉及一种基板处理装置。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，基板处理装置可以通过将多张基板浸没在处理槽内，由处理液对多张基板同时进行清洗或刻蚀等工艺处理。为提高基板液处理的均匀性，例如基板刻蚀均匀性，通常会在处理槽内配置鼓泡器，用以向处理液中供给气体，对处理液进行搅动以促进基板表面的传质效率，以此提高基板刻蚀的均匀性。
2、然而，由于处理液的温度通常优选在140-180℃，向处理液供给的气体为常温(如25℃)气体，所供给的气体温度通常远远小于处理液的温度。持续供给的常温(如25℃)气体会对处理液温度产生较大影响，从而影响工艺结果。因此，对于配置鼓泡器的处理槽，需要尽可能减小鼓泡器所供给的气体与处理槽中的处理液之间的温度差。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够提高进入装有处理液的处理槽体内的气泡温度的基板处理装置。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基板处理装置，包括：处理槽，用于收容多个基板及贮存浸没所述多个基板的处理液；至少一个鼓泡器，配置在所述处理槽中，且位于所述多个基板的下方，浸没在所述处理液中，用于向所述处理液供给气体以形成气泡，所述鼓泡器包括：喷气部，所述喷气部的上部具有多个朝向所述多个基板设置的喷气孔；进气部，所述进气部位于所述喷气部的下方，用于向所述喷气部输送气体；其中，所述进气部为弯曲盘旋的管状结构。
3、优选地，所述进气部为弯曲盘旋的螺旋形或z字形管状结构。
4、优选地，所述喷气部包括沿所述多个基板的排列方向延伸的喷气管，所述喷气孔沿所述喷气管的延伸方向排列。
5、优选地，所述喷气部包括喷气盒，所述喷气盒的顶部设置所述喷气孔。
6、优选地，所述喷气部的底部设置进气口，所述进气部的一端沿竖直方向延伸且连接所述进气口。
7、优选地，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部配置为所述鼓泡器的喷气部。
8、优选地，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部用于容纳所述喷气部，所述鼓泡盒的顶部为敞口或者所述鼓泡盒的顶部设置与所述喷气孔对应的喷孔。
9、优选地，所述处理槽中还包括至少一个供液器，所述供液器位于所述多个基板的下方，与所述鼓泡器错开排布；所述供液器具有至少一个进液口和多个喷液孔，所述供液器的内部形成供液腔，其中，所述进液口用于向所述供液器供给所述处理液，所述多个喷液孔朝向所述多个基板设置，沿所述多个基板的排列方向排布，用于向所述处理槽供给所述处理液。
10、优选地，所述供液器为沿所述多个基板的排列方向延伸的供液管，或者，所述供液器为顶部设置所述多个喷液孔的供液盒。
11、优选地，所述供液腔内部配置有沿所述喷液孔的排布方向延伸的扩散板，所述扩散板位于所述供液器的进液口与喷液孔之间，所述扩散板的板面朝向所述喷液孔；所述扩散板设置有多个贯穿所述板面的扩散孔，所述多个扩散孔沿所述喷液孔的排布方向排布。
12、优选地，所述扩散板以水平姿态设置。
13、优选地，所述扩散板以倾斜姿态设置，所述扩散板沿自身的延伸方向倾斜。
14、优选地，所述扩散孔和所述喷液孔在孔心方向上错开分布。
15、优选地，所述多个喷液孔包括第一喷液孔和第二喷液孔；其中，所述第一喷液孔开口方向竖直向上，所述第二喷液孔位于所述第一喷液孔的两侧且开口方向与竖直方向呈锐角夹角。
16、优选地，所述第一喷液孔与所述进液口的距离小于所述第二喷液孔与所述进液口的距离，所述第一喷液孔的孔径不大于所述第二喷液孔。
17、优选地，所述供液器内部配置有上下排布的两个以上所述扩散板。
18、如上所述，本专利技术提供一种基板处理装置，具有以下有益效果：
19、1)将鼓泡器的进气部浸没在温度相对恒定的处理液中，并且配置进气部为弯曲盘旋状结构，有效增加了气源气体与处理液的换热面积和换热时间，因此气源气体在流经进气部时被处理液加热，有效减小鼓泡器喷出的气体与处理槽内的处理液之间的温度差，保证处理槽内在合适的温度范围内，有助于提高反应速率和选择性，提升工艺质量；
20、2)为鼓泡器配置鼓泡盒，增加能够有效增加鼓泡器的喷气效率和喷气的均匀性，并且减少甚至避免弯曲盘旋的进气部的弯折处形成处理液的流动死区，提升工艺质量；
21、3)将供液器设置为供液盒，能够有效增加供液器的供液效率和供液的均匀性，通过在供液器的内部增加扩散板以及增加倾斜的第二喷液孔，进一步增加供液器供给在处理槽中的处理液的流动均匀性，并使得处理液的搅动覆盖范围更大，减少处理槽中的处理液的淤滞区域(即流动死区)。
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1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述进气部为弯曲盘旋的螺旋形或Z字形管状结构。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部包括沿所述多个基板的排列方向延伸的喷气管，所述喷气孔沿所述喷气管的延伸方向排列。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部包括喷气盒，所述喷气盒的顶部设置所述喷气孔。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部的底部设置进气口，所述进气部的一端沿竖直方向延伸且连接所述进气口。
6.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部配置为所述鼓泡器的喷气部。
7.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部用于容纳所述喷气部，所述鼓泡盒的顶部为敞口或者所述鼓泡盒的顶部设置有与所述喷气孔对应的喷孔。
8.根据权利
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述供液器为沿所述多个基板的排列方向延伸的供液管，或者，所述供液器为顶部设置所述多个喷液孔的供液盒。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述供液腔内部配置有沿所述喷液孔的排布方向延伸的扩散板，所述扩散板位于所述供液器的进液口与喷液孔之间，所述扩散板的板面朝向所述喷液孔；所述扩散板设置有多个贯穿所述板面的扩散孔，所述多个扩散孔沿所述喷液孔的排布方向排布。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述扩散板以水平姿态设置。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述扩散板以倾斜姿态设置，所述扩散板沿自身的延伸方向倾斜。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述扩散孔和所述喷液孔在孔心方向上错开分布。
14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个喷液孔包括第一喷液孔和第二喷液孔；其中，所述第一喷液孔开口方向竖直向上，所述第二喷液孔位于所述第一喷液孔的两侧且开口方向与竖直方向呈锐角夹角。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一喷液孔与所述进液口的距离小于所述第二喷液孔与所述进液口的距离，所述第一喷液孔的孔径不大于所述第二喷液孔。
16.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述供液器内部配置有上下排布的两个以上所述扩散板。
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述进气部为弯曲盘旋的螺旋形或z字形管状结构。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部包括沿所述多个基板的排列方向延伸的喷气管，所述喷气孔沿所述喷气管的延伸方向排列。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部包括喷气盒，所述喷气盒的顶部设置所述喷气孔。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷气部的底部设置进气口，所述进气部的一端沿竖直方向延伸且连接所述进气口。
6.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部配置为所述鼓泡器的喷气部。
7.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括鼓泡盒，所述鼓泡盒的下部用于容纳所述进气部，所述鼓泡盒的上部用于容纳所述喷气部，所述鼓泡盒的顶部为敞口或者所述鼓泡盒的顶部设置有与所述喷气孔对应的喷孔。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理槽中还包括至少一个供液器，所述供液器位于所述多个基板的下方，与所述鼓泡器错开排布；所述供液器具有至少一个进液口和多个喷液孔，所述供液器的内部形成供液腔，其中，所述进液口用于向所述供液器供给所述处理液，所述多个喷液孔朝向所述多个基板设置且沿所述多个基板的排列方向排布，用于向所述处...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓雪飞，徐融，王俊，张晓燕，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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