System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 氧化物、电解质组合物和蓄电器件制造技术_技高网

氧化物、电解质组合物和蓄电器件制造技术

技术编号:44465453 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-04 17:38
本发明专利技术提供能够通过简易的方法制造的氧化物、电解质组合物和蓄电器件。氧化物具有含有Li、La和Zr的石榴石型晶体结构,晶体结构归属于空间群I4<subgt;1</subgt;/acd,8a位处的Li的占有率为30%以上且95%以下,16e位处的Li的占有率为60%以下(0%除外)。氧化物可以含有Sr。电解质组合物和蓄电器件包含该氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及具有含有li、zr和la的石榴石型晶体结构的氧化物、电解质组合物和蓄电器件


技术介绍

1、具有含有li、zr和la的石榴石型晶体结构的氧化物的化学的稳定性高,具有锂离子传导性。例如,li7la3zr2o12(以下称为llz)是相对于li金属稳定的氧化物,理论上在室温下表现出10-4s/cm至10-3s/cm的高离子传导率。llz的晶体结构主要存在立方晶和四方晶。对于llz,显示出低离子传导性的四方晶在室温下稳定,四方晶在高温下转变为显示出10-4s/cm以上的离子传导率的立方晶。为了得到在室温下显示出高离子传导性的氧化物,在专利文献1中公开的现有技术中,将构成llz的特定元素置换为其它元素,使立方晶稳定化。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2016-40767号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、现有技术为了使立方晶稳定,需要精密地控制材料的制备、烧成等方法来制造氧化物。

3、本专利技术是为了解决该问题而进行的,其目的在于提供能够通过简易的方法制造的氧化物、电解质组合物和蓄电器件。

4、用于解决问题的方法

5、用于实现该目的的第一方式为一种具有含有li、la和zr的石榴石型晶体结构的氧化物,其中,晶体结构归属于空间群i41/acd,8a位处的li的占有率为30%以上且95%以下,16e位处的li的占有率为60%以下(0%除外)。

6、第二方式为,在第一方式中,还含有sr。

7、第三方式为一种电解质组合物,其含有第一方式或第二方式的氧化物。

8、第四方式为一种具备两个以上电极层和隔离两个以上电极层的隔膜的蓄电器件,其中,两个以上电极层和隔膜中的至少一者包含第一方式或第二方式的氧化物。

9、第五方式为一种具备包含集流层的两个以上电极层和隔离两个以上电极层的隔膜的蓄电器件,其中,具备设置在电极层与隔膜之间或者设置在集流层上的保护层,保护层包含第一方式或第二方式的氧化物。

10、专利技术效果

11、根据本专利技术的氧化物、电解质组合物和蓄电器件,能够通过简易的方法制造。

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【技术保护点】

1.一种氧化物,其是具有含有Li、La和Zr的石榴石型晶体结构的氧化物,其中,

2.根据权利要求1所述的氧化物,其中,还含有Sr。

3.一种电解质组合物,其含有权利要求1或2所述的氧化物。

4.一种蓄电器件,其是具备两个以上电极层和隔离所述两个以上电极层的隔膜的蓄电器件,其中,所述两个以上电极层和所述隔膜中的至少一者包含权利要求1或2所述的氧化物。

5.一种蓄电器件,其是具备包含集流层的两个以上电极层和隔离所述两个以上电极层的隔膜的蓄电器件,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种氧化物,其是具有含有li、la和zr的石榴石型晶体结构的氧化物,其中,

2.根据权利要求1所述的氧化物,其中,还含有sr。

3.一种电解质组合物,其含有权利要求1或2所述的氧化物。

4.一种蓄电器件,其是具...

【专利技术属性】
技术研发人员:金子雅英竹内雄基菱田智子彦坂英昭
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社
类型:发明
国别省市:

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