【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体制造装置中的真空排气系统及清洁方法。
技术介绍
1、一般而言，在半导体制造处理工艺中，使半导体或绝缘体、金属膜等堆积在半导体晶圆上，进行利用化学气相反应而成膜的cvd(chemical vapor deposition)或干式蚀刻处理，在工艺腔室中，例如使用硅烷(sih4)(4是下标文字，但为了防止文字码的误转换，以下将上下标文字以通常的文字表示)气体等的各种气体。并且，从工艺腔室排出的已使用的气体(排气)被干式泵等抽吸，进而经由气体排气配管被导入至除害装置，在该除害装置中进行除害处理。
2、在这样的半导体制造处理工艺中，若上述已使用的气体被冷却，则在工艺腔室以外的排气配管、干式泵及除害装置的内部作为膜、粉被固态化而附着，其堆积而发生配管堵塞。因此，需要频繁地进行保养维修。
3、特别是，干式泵的排气侧的配管为，排气在被加压至大气压附近的状态下流动，所以在配管内因排气中所含的气体成分所致的反应生成物(以下称为生成物)的堆积变得显著。
4、因此，为了防止生成物的堆积、去除堆积的生成物，使用气体对配管进行清洁。作为所使用的气体，如专利文献1、专利文献2中记载的那样，可列举clf系的气体，例如可列举clf3(三氟化氯)。
5、然而，以往的干式泵的排气配管由于使用弹性体的垫片(用于使构造保持气密性的固定用密封部件)，所以必须在配管的温度成为180℃以下后使清洁用的气体流动。这是因为clf系的气体在180℃以上时显著活化，存在弹性体的垫片受到损害的可能。特别是，clf3
6、已知若该clf3气体纯净则在玻璃容器中直至180℃均稳定，但若成为其以上的温度则由于自由基机制而分解。
7、因此，在处理中不得不令清洁工作等到变为了高温的配管的温度变为180℃以下，处理上花费多余的时间。特别是，由于在配管设置有隔热材料，所以散热下的冷却花费时间。
8、此外，在配管的温度变为180℃以下时，clf系的气体的活性下降，与生成物的反应性下降，所以不得不使用更多的气体。
9、专利文献1：日本特开平2-77579号公报。
10、专利文献2：日本特许第2776700号公报。
11、专利文献3：日本特许第3047248号公报。
12、专利文献1记载的专利技术涉及一种清洁(洗涤)方法,在形成堆积膜的堆积膜形成装置中为了去除附着于反应容器内的反应生成物而使用clf3气体进行去除。
13、专利文献2记载的专利技术涉及一种以下化合物的清洁方法，其特征在于，使以生成的硅氟化铵为主成分的化合物与clf3气体或者f2气体发生接触反应。
14、专利文献3记载的专利技术涉及一种清洁方法，其特征在于,在将处理容器内保持为450℃以上的处理温度的状态下，向该处理容器内供给包含已稀释的clf3的清洁气体并将附着于该处理容器内的多晶硅被膜去除。此外，在(专利技术所要解决的课题)一栏中记载了“报告有特别是在使用clf3时即使不设为等离子状态也可进行清洁。然而，clf3反应性高，所以不考虑在400℃以上使用，通常清洁在400℃以下进行。因此，在400℃以上特别是600℃以上进行成膜的工序中，为了进行clf3清洁而不得不将装置内的温度降温至400℃以下，成为长期间的清洁”。
15、然而，上述的处理容器的排气配管(特别是从干式泵至除害装置间)从排气效率的方面来看需要提高导率，不得不扩大直径，与其对应的金属(金属制)的垫片难以进行开发、制造，所以已知范围内基本上未供给至市场。
16、此外，关于与并非超高真空法兰(conflat flange)那样的凸缘形状而为一般的iso规格或kf规格(nw规格)的凸缘对应、能够重复使用的金属系垫片，其倾向显著。
17、近年来，关于金属(金属制)垫片，开发如上所述的能够用于一般的iso规格或kf规格(nw规格)的凸缘的配管的金属(金属制)垫片。因此，通过使用这样的金属垫片，即使具有上述的凸缘的排气配管的温度超过180℃，也能够保持充分的密封特性。因此，能够使clf系的气体例如clf3活化并使用，能够减少其消耗量，缩短清洁的时间。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供一种能够通过将排气配管的温度加热至超过180℃的温度而减少clf系的气体的消耗量、缩短清洁的时间的真空排气系统及清洁方法。
2、在技术方案1记载的专利技术中，提供一种真空排气系统，前述真空排气系统包含连接于半导体制造装置且经由真空泵向除害装置排气的排气配管，前述真空排气系统的特征在于，通过金属制而构成前述排气配管中使用的密封部件，在前述排气配管的从前述真空泵至前述除害装置的部位，具备加热前述排气配管的加热机构，在导入包含clf系气体或nf系气体的清洁气体时，通过前述加热机构将前述排气配管的温度加热至超过180℃的温度。
3、在技术方案2记载的专利技术中，提供技术方案1记载的真空排气系统，其特征在于，前述密封部件使用对于前述清洁气体耐腐蚀性高的金属材料构成。
4、在技术方案3记载的专利技术中，提供技术方案1或2记载的真空排气系统，其特征在于，前述排气配管使用对于前述清洁气体耐腐蚀性高的金属材料构成。
5、在技术方案4记载的专利技术中，提供一种清洁方法，在包含连接于半导体制造装置且经由真空泵向除害装置排气的排气配管的真空排气系统中，将附着于前述排气配管的生成物通过包含clf系气体或nf系气体的清洁气体去除，前述清洁方法的特征在于，在导入前述清洁气体时，将前述排气配管的从前述真空泵至前述除害装置的部位的温度加热至超过180℃的温度。
6、专利技术效果
7、根据本专利技术的真空排气系统，排气配管及排气配管中使用的密封部件为金属制，能够在高温下使用clf系的气体或nf系的气体，所以能够减少其消耗量，缩短清洁的时间。
8、根据本专利技术的清洁方法，不需要排气配管的冷却时间，所以能够缩短清洁的时间。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种真空排气系统，包含连接于半导体制造装置且经由真空泵向除害装置排气的排气配管，前述真空排气系统的特征在于，
2.如权利要求1所述的真空排气系统，其特征在于，前述密封部件使用对于前述清洁气体耐腐蚀性高的金属材料构成。
3.如权利要求1或2所述的真空排气系统，其特征在于，前述排气配管使用对于前述清洁气体耐腐蚀性高的金属材料构成。
4.一种清洁方法，在包含连接于半导体制造装置且经由真空泵向除害装置排气的排气配管的真空排气系统中，将附着于前述排气配管的生成物通过包含ClF系气体、NF系气体的清洁气体去除，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种真空排气系统，包含连接于半导体制造装置且经由真空泵向除害装置排气的排气配管，前述真空排气系统的特征在于，
2.如权利要求1所述的真空排气系统，其特征在于，前述密封部件使用对于前述清洁气体耐腐蚀性高的金属材料构成。
3.如权利要求1或2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥克典，田中正宏，
申请(专利权)人：埃地沃兹日本有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。