【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种抗蚀剂图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、基板分选方法及半导体封装基板或印刷线路板的制造方法。
技术介绍
1、在制造半导体封装基板或印刷线路板的情况下，首先，在基板上层压感光层。接着，通过光掩模对感光层的规定部分照射活性光线来固化曝光部。接着，在剥离去除支撑体之后，用显影液去除感光层的未曝光部，由此在基板上形成抗蚀剂图案。接着，以所形成的抗蚀剂图案为掩模，对形成有抗蚀剂图案的基板实施蚀刻处理或镀敷处理，从而在基板上形成导体图案，最后从基板剥离去除感光层的固化部分(抗蚀剂图案)。
2、在这种半导体封装基板或印刷线路板的制造工序中，若活性光线的曝光因附着于光掩模或感光层的异物等而受阻，则有可能会在抗蚀剂图案上产生缺陷，从而在导体图案上发生断线或短路等的不良情况。因此，以往通过对导体图案进行外观检查而检查了导体图案的断线或短路等的不良情况。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2005-207802号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、通过在形成导体图案之前对抗蚀剂图案进行外观检查，能够在半导体封装基板或印刷线路板的制造中的更早的阶段发现不良情况。并且，通过对抗蚀剂图案形成的产率进行评价，能够有助于改善抗蚀剂图案形成。以往，关于抗蚀剂图案的外观检查，使用扫描型电子显微镜(以下，也称为“sem”)来进行(例如，参考专利文献1)。
3、然而，使用sem的检查为检查
4、因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够在短时间内高精度地评价抗蚀剂图案的抗蚀剂图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、基板分选方法及半导体封装基板或印刷线路板的制造方法。
5、用于解决技术课题的手段
6、[1]本专利技术的抗蚀剂图案的检查方法包括基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光对抗蚀剂图案进行外观检查的外观检查工序。
7、在该抗蚀剂图案的检查方法中，基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光对抗蚀剂图案进行外观检查，因此与使用sem的外观检查相比，能够在短时间内高精度地检测抗蚀剂图案的缺陷。
8、[2]在[1]所述的抗蚀剂图案的检查方法中的外观检查工序中，也可以基于来自基板的发光检测抗蚀剂图案的轮廓，并基于检测到的轮廓对抗蚀剂图案进行外观检查。在该抗蚀剂图案的检查方法中，作为抗蚀剂图案的外观检查，利用基于来自基板的发光检测出的抗蚀剂图案的轮廓，由此能够适当地对抗蚀剂图案进行外观检查。
9、[3]在[2]所述的抗蚀剂图案的检查方法中的外观检查工序中，可以将检测到的轮廓与用于形成抗蚀剂图案的图案数据进行对比。在该抗蚀剂图案的检查方法中，作为抗蚀剂图案的外观检查，将检测到的轮廓与用于形成抗蚀剂图案的图案数据进行对比，由此能够高精度地检测抗蚀剂图案的缺陷。
10、[4]在[2]所述的抗蚀剂图案的检查方法中的外观检查工序中，可以基于检测到的轮廓测量抗蚀剂图案的线宽。在该抗蚀剂图案的检查方法中，作为抗蚀剂图案的外观检查，基于检测到的轮廓测量抗蚀剂图案的线宽，由此能够对抗蚀剂图案的形成状态进行评价。
11、[5]在[1]至[4]中任一项所述的抗蚀剂图案的检查方法中，进一步可以包括：抗蚀剂图案形成工序，在基板上形成抗蚀剂图案；及发光材料含浸工序，在抗蚀剂图案形成工序之后，使发光材料含浸于抗蚀剂图案中。在该抗蚀剂图案的检查方法中，在基板上形成抗蚀剂图案之后使发光材料含浸于抗蚀剂图案中，由此抗蚀剂图案的发光强度增强，因此来自抗蚀剂图案的发光与来自除了抗蚀剂图案以外的区域的发光之间的对比度变大。因此，能够提高基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的轮廓的检测精度。
12、[6]在[5]所述的抗蚀剂图案的检查方法中的抗蚀剂图案形成工序中，可以形成包含有与光反应而变换为发光材料的化合物的抗蚀剂图案。在该抗蚀剂图案的检查方法中，形成包含有与光反应而变换为发光材料的化合物的抗蚀剂图案，由此能够增强抗蚀剂图案的发光强度。由此，能够提高基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的轮廓的检测精度。
13、[7]在[5]或[6]所述的抗蚀剂图案的检查方法中的抗蚀剂图案形成工序中，可以形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蚀剂图案。在该抗蚀剂图案的检查方法中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蚀剂图案，由此能够抑制抗蚀剂图案变得过厚，同时增加来自抗蚀剂图案的发光与来自除了抗蚀剂图案以外的区域的发光之间的对比度。因此，能够提高基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的轮廓的检测精度。
14、[8]本专利技术的抗蚀剂图案的制造方法包括：抗蚀剂图案形成工序，在基板上形成抗蚀剂图案；及发光材料含浸工序，在抗蚀剂图案形成工序之后，使发光材料含浸于抗蚀剂图案中。
15、在该抗蚀剂图案的制造方法中，在基板上形成抗蚀剂图案之后使发光材料含浸于抗蚀剂图案中，由此抗蚀剂图案的发光强度增强，因此来自抗蚀剂图案的发光与来自除了抗蚀剂图案以外的区域的发光之间的对比度变大。因此，例如，在基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光检测抗蚀剂图案的轮廓的情况下，能够提高检测精度。并且，在进行抗蚀剂图案的线宽的测定等的情况下，容易将焦点对准抗蚀剂图案的表面或抗蚀剂图案的轮廓。
16、[9]在[8]所述的抗蚀剂图案的制造方法中的抗蚀剂图案形成工序中，可以形成包含有与光反应而变换为发光材料的化合物的抗蚀剂图案。在该抗蚀剂图案的制造方法中，形成包含有与光反应而变换为发光材料的化合物的抗蚀剂图案，由此能够增强抗蚀剂图案的发光强度。由此，例如能够提高基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的轮廓的检测精度。
17、[10]在[8]或[9]所述的抗蚀剂图案的制造方法中的抗蚀剂图案形成工序中，可以形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蚀剂图案。在该抗蚀剂图案的制造方法中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蚀剂图案，由此能够抑制抗蚀剂图案变得过厚，同时增加来自抗蚀剂图案的发光与来自除了抗蚀剂图案以外的区域的发光之间的对比度。因此，例如能够提高基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的轮廓的检测精度。
18、[11]本专利技术的基板分选方法包括：外观检查工序，基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光对抗蚀剂图案进行外观检查；及评价工序，基于外观检查工序中的外观检查对抗蚀剂图案进行评价。
19、在该基板分选方法中，通过基于来自基板的发光的抗蚀剂图案的外观检查对抗蚀剂图案进行评价，因此与使用sem的外观检查相比，能够在短时间内高精度地分选基板。
20、[12]在[11]所述的基板分选方法中的评价工序中，可以根据抗蚀剂图案的缺陷的数量或形状对抗蚀剂图案进行评价。在该基板分选方法中，根据抗蚀剂图案的缺陷本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抗蚀剂图案的检查方法，其包括基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光对所述抗蚀剂图案进行外观检查的外观检查工序。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
3.根据权利要求2所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
4.根据权利要求2所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的抗蚀剂图案的检查方法，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
7.根据权利要求5或6所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
8.一种抗蚀剂图案的制造方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
10.根据权利要求8或9所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
11.一种基板分选方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的基板分选方法，其中，
13.根据权利要求11或12所述的基板分选方法，其中，
14.一种半导体封装基板或印刷线路板的制造方法，其包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种抗蚀剂图案的检查方法，其包括基于来自形成有抗蚀剂图案的基板的发光对所述抗蚀剂图案进行外观检查的外观检查工序。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
3.根据权利要求2所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
4.根据权利要求2所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的抗蚀剂图案的检查方法，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的抗蚀剂图案的检查方法，其中，
7.根...
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