溅射靶以及溅射靶的制造方法技术

技术编号：44463020 阅读：0 留言：0更新日期：2025-03-04 17:36

本发明专利技术涉及溅射靶以及溅射靶的制造方法。一种溅射靶的制造方法，其包括以下步骤：准备10mol％以上且85mol％以下的Co、0mol％以上且47mol％以下的Pt、0mol％以上且47mol％以下的Cr作为金属粉末，向所述金属粉末中至少加入0.3mol％以上且4.0mol％以下的B<subgt;6</subgt;O作为氧化物粉末进行混合，在900℃～1200℃下对所得到的粉末进行烧结，得到溅射靶，所述溅射靶在将Cu设为射线源的XRD衍射图谱的2θ＝30～35°的范围具有B<subgt;6</subgt;O(110)的衍射峰，在2θ＝35～40°的范围具有B<subgt;6</subgt;O(104)的衍射峰，且B溶出量为500μg/L/cm<supgt;2</supgt;以下。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种溅射靶以及溅射靶的制造方法。

技术介绍

1、在硬盘驱动器所代表的磁记录的领域中，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用了以作为强磁性金属的co为基底的材料。在磁记录用溅射靶中，大多使用了由强磁性合金和非磁性材料构成的复合材料，已知添加有氧化硼作为非磁性材料的溅射靶。

2、例如，在日本专利第5878242号公报(专利文献1)中记载了如下的例子：一种磁记录膜形成用溅射靶，其包含如下烧结体：该烧结体至少包含钴作为金属、且包含硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金以及氧化物，在包含氧化物的相中存在cr(bo3)、co2b2o5、co3b2o6中的至少一种以上。通过使用cr(bo3)等复合氧化物来进行烧结，能得到品质更高、生产效率更良好的含硼溅射靶。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5878242号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、添加氧化硼作为非磁性材料的溅射靶存在如下问题：烧结后氧化硼的粒子变大，若为了抑制晶粒生长而降低烧结温度，则密度得不到提高，会大量产生颗粒。

3、例如，由于作为非磁性材料之一的b2o3的熔点低，因此若直接使用b2o3原料，则在熔点以下进行了烧结时，密度有时会无法充分提高，大量产生颗粒的风险上升。但是，在熔点以上进行了烧结的情况下，不仅在烧结中b2o3熔解而成为组成不均的原因，还形成粗大的粒子并大量产生颗粒，难以稳定地得到品质高的溅射靶。

4、另一方面，例如，在专利文献1中，通过利用cr(bo3)、co2b2o5、co3b2o6等熔点高的复合氧化物，提高烧结温度而提高密度，抑制了溅射过程中的颗粒产生。但是，例如若在co－pt－b2o3－sio2等的制作中利用co2b2o5、co3b2o6，则会变为使用金属b，根据烧结条件，金属b与sio2进行反应而产生大的粒子，若将由此得到的烧结体用作靶，则有时会大量产生颗粒。金属b与氧化物的反应即使是sio2以外的氧化物也能发生。

5、鉴于上述问题，本公开提供一种能减少颗粒的产生的溅射靶及其制造方法。

6、用于解决问题的方案

7、本专利技术的实施方式的溅射靶在一个方案中，为一种溅射靶，其特征在于，包含10mol％以上且85mol％以下的co、0mol％以上且47mol％以下的pt、0mol％以上且47mol％以下的cr作为金属成分，至少包含b6o作为氧化物成分。

8、专利技术效果

9、根据本公开，能提供一种能减少颗粒的产生的溅射靶及其制造方法。

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【技术保护点】

1.一种溅射靶的制造方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

4.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

5.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

6.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

7.一种溅射靶，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种溅射靶的制造方法，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中，

4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：古谷祐树，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：

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