【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种封装结构及其制造方法、封装器件。
技术介绍
1、近来，在电子产品市场中对便携式装置的需求迅速增加，因此，不断要求安装在电子产品上的电子组件的小型化和轻量化。随着对电子产品的优异性能、高速度和紧凑性的要求，封装结构需要良好的性能。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种封装结构，包括：
2、第一互连层；
3、芯片，位于所述第一互连层上；
4、填充层，位于所述第一互连层上，以及填充在所述第一互连层与所述芯片之间；
5、塑封层，覆盖所述第一互连层、所述芯片和所述填充层，所述塑封层的宽度大于所述第一互连层的宽度，所述填充层的宽度小于所述塑封层的宽度。
6、在一些实施例中，所述第一互连层的宽度大于所述填充层的宽度。
7、在一些实施例中，还包括第二互连层，所述第二互连层位于所述第一互连层上，所述芯片位于所述第二互连层上，其中，所述第一互连层的宽度大于所述第二互连层的宽度。
8、在一些实施例中，所述填充层位于所述第二互连层上，且填充在所述第二互连层和所述芯片之间，所述填充层的宽度小于所述第二互连层的宽度。
9、在一些实施例中，所述第一互连层的边缘、所述第二互连层的边缘上设置有阻挡墙。
10、在一些实施例中，所述塑封层覆盖所述第一互连层的侧边缘，以及所述第二互连层的侧边缘。
11、在一些实施例中，所述塑封层的底面与所述第一互连层
12、在一些实施例中，所述第一互连层的宽度与所述第二互连层的宽度的差值小于所述第一互连层的宽度与所述塑封层的宽度的差值。
13、在一些实施例中，所述第二互连层的宽度与所述填充层的宽度的差值小于所述第一互连层的宽度与所述第二互连层的宽度的差值。
14、根据本公开实施例的第二方面，提供一种封装结构的制造方法，包括：
15、提供临时基板，所述临时基板包括贴片区域和划片区域，所述划片区域位于所述贴片区域之间；
16、在所述临时基板上形成第一互连层，所述第一互连层位于所述贴片区域中；
17、将芯片设置在所述第一互连层上；
18、在所述第一互连层上形成填充层，所述填充层还位于所述第一互连层与所述芯片之间；
19、形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一互连层、所述芯片和所述填充层，所述塑封层的宽度大于所述第一互连层的宽度，所述填充层的宽度小于所述塑封层的宽度。
20、在一些实施例中，形成所述第一互连层的步骤包括：
21、在所述临时基板上形成第一初始层，所述第一初始层覆盖所述贴片区域和所述划片区域；
22、移除位于所述划片区域中的所述第一初始层；
23、固化所述第一初始层
24、在所述第一初始层上形成第一互连线，以形成所述第一互连层。
25、在一些实施例中，在形成所述第一互连层之后，还包括在所述第一互连层上第二互连层，形成所述第二互连层的步骤包括：
26、在所述第一互连层上形成第二初始层，所述第二初始层还位于所述划片区域中；
27、移除位于所述划片区域中的所述第二初始层，以及，移除位于所述划片区域两侧的部分所述第二初始层，以使所述第二初始层的宽度小于所述第一互连层的宽度；
28、固化所述第二初始层；
29、在所述第二初始层中形成第二互连线，以形成所述第二互连层。
30、在一些实施例中，形成所述塑封层的步骤包括：
31、将塑封材料覆盖在所述临时基板上，所述塑封材料覆盖所述第一互连层、第二互连层、所述芯片和所述填充层；
32、其中，所述塑封材料还覆盖所述划片区域。
33、在一些实施例中，该封装结构的制造方法还包括：
34、移除所述临时基板；
35、对位于所述划片区域中的所述塑封材料进行切割，以使所述塑封材料覆盖所述第一互连层的侧边缘、所述第二互连层的侧边缘。
36、在一些实施例中，在固化所述第一初始层和第二初始层的过程中，还在所述第一初始层的边缘，所述第二初始层的边缘形成阻挡墙。
37、在一些实施例中，形成所述填充层的步骤包括：
38、将填充材料注入所述第一互连层上，所述填充材料还进入所述第一互连层和所述芯片之间；
39、其中，所述阻挡墙将所述填充材料阻挡在所述第一互连层上，以使所述填充层的宽度小于所述第一互连层的宽度。
40、根据本公开实施例的第三方面，提供一种封装器件，包括：
41、基板和上述封装结构，封装结构设置在基板上。
42、综上所述，本公开实施例提出一种封装结构及其制造方法、封装器件。首先将芯片放置在第一互连层上，然后在第一互连层上形成填充层，然后将塑封层覆盖在第一互连层、芯片和填充层，同时使得塑封层的宽度大于第一互连层的宽度。本公开实施例中，由于塑封层的宽度大于第一互连层的宽度，即塑封层可以覆盖第一互连层的侧边缘。同时，由于填充层的宽度小于塑封层的宽度，即不会在该封装结构侧壁上形成塑封层、填充层和第一互连层的多个交界面，也就是说在该封装结构的外表面上只有塑封层这一种材料，因此可以改善由于各个材料的热膨胀系数不同带来的分层问题。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的宽度大于所述填充层的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，还包括第二互连层，所述第二互连层位于所述第一互连层上，所述芯片位于所述第二互连层上，其中，所述第一互连层的宽度大于所述第二互连层的宽度。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述填充层位于所述第二互连层上，且填充在所述第二互连层和所述芯片之间，所述填充层的宽度小于所述第二互连层的宽度。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的边缘、所述第二互连层的边缘上设置有阻挡墙。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层覆盖所述第一互连层的侧边缘，以及所述第二互连层的侧边缘，所述塑封层的底面与所述第一互连层的底面共面。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的宽度与所述第二互连层的宽度的差值小于所述第一互连层的宽度与所述塑封层的宽度的差值。
8.根据权利要求3所述的
9.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制造方法，形成所述第一互连层的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一互连层之后，还包括在所述第一互连层上第二互连层，形成所述第二互连层的步骤包括：
12.根据权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，形成所述塑封层的步骤包括：
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在固化第一初始层以及所述第二初始层的过程中，还在第一初始层的边缘，所述第二初始层的边缘上形成阻挡墙。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，形成所述填充层的步骤包括：
16.一种封装器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的宽度大于所述填充层的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，还包括第二互连层，所述第二互连层位于所述第一互连层上，所述芯片位于所述第二互连层上，其中，所述第一互连层的宽度大于所述第二互连层的宽度。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述填充层位于所述第二互连层上，且填充在所述第二互连层和所述芯片之间，所述填充层的宽度小于所述第二互连层的宽度。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的边缘、所述第二互连层的边缘上设置有阻挡墙。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层覆盖所述第一互连层的侧边缘，以及所述第二互连层的侧边缘，所述塑封层的底面与所述第一互连层的底面共面。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连层的宽度与所述第二互连层的宽度的差值小于所述第一互连层的宽度与所述塑封层...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱斌，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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