【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种用于制造掺杂的有机固体晶体的方法。
技术介绍
1、聚合物和其他有机材料可以结合到各种不同的光学和电光器件架构中，包括无源和有源光学器件以及电有源器件。重量轻且顺应性好的一种或多种聚合物/有机固体层可以被结合到诸如智能眼镜的可穿戴设备中，并且是对于包括虚拟现实/增强现实设备的新兴技术有吸引力的候选者，在这些虚拟现实/增强现实设备中，需要舒适、可调节的尺寸规格(form factor)。
2、例如，虚拟现实(vr)和增强现实(ar)眼镜设备或头戴式耳机可以使用户能够体验事件，诸如在计算机生成的三维世界模拟中与人的交互，或者查看叠加在真实世界视图上的数据。例如，可以通过光学头戴式显示器(optical head-mounted display，ohmd)或通过使用具有透明平视显示器(heads-up display，hud)或增强现实(ar)覆盖的嵌入式无线眼镜来实现将信息叠加到视场上。vr/ar眼镜设备和头戴式耳机可以用于各种目的。例如，政府可以将这种设备用于军事训练，医疗专业人员可以使用这种设备模拟手术，以及工程师可以将这种设备用作设计可视化辅助工具。
3、尽管有最近的发展，提供具有改进的光学性质的聚合物和其他有机固体材料将是有利的，包括可控折射率和双折射率、光学清晰度和光学透明度中的一种或多种。这种材料可以形成薄膜，并且多个薄膜可以堆叠以形成多层。
技术实现思路
1、本专利技术的一方面涉及一种方法，该方法包括形成分子原料，所述分子原料包括有机固
2、本专利技术的另一方面涉及一种方法，该方法包括在基板的表面的上方形成分子原料的层，所述分子原料包括有机固体晶体前体和分子掺杂剂；由所述分子原料的所述层形成有机固体晶体薄膜；在所述有机固体晶体薄膜的第一部分的上方形成主电极；在所述有机固体晶体薄膜的第二部分的上方形成副电极；以及以有效地改变所述有机固体晶体薄膜的光学性质的量来改变所述主电极和所述副电极之间的偏置状态。
3、本专利技术的又一方面涉及一种方法，该方法包括形成含掺杂的有机固体晶体的层；在所述层的第一部分的上方形成主电极；以及在所述层的第二部分的上方形成副电极。
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1.一种方法，其中，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体前体包括可结晶的有机分子。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体前体包括选自由以下构成的组的烃类化合物：蒽、菲、二苯乙炔、噻吩、芘、心环烯、芴、联二苯、三联苯和酞菁。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子掺杂剂配置为调制所述掺杂的有机固体晶体薄膜中的HOMO-LUMO能隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述有机固体晶体薄膜内的所述分子掺杂剂的浓度范围为约0.01wt.％至约50wt.％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子原料包括选自由以下构成的组的杂环：呋喃、吡咯、噻吩、吡啶、嘧啶和哌啶。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子原料的所述层在形成所述晶核之前是熔融的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述成核区内形成所述晶核包括将所述分子原料的所述层加热到低于所述有机固体晶体前体的熔融起始温度的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在使所述晶核生长的情况下在所述分子原料的所述层的上方安置盖板。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述盖板相对于基板的所述表面以一定角度倾斜。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体薄膜包括单晶层。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体薄膜包括多晶层。
15.一种方法，其中，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述光学性质选自由以下构成的组：折射率、双折射率和可见光的吸收率。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，改变所述偏置状态使所述有机固体晶体薄膜的折射率改变至少约0.01。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，改变所述偏置状态使所述有机固体晶体薄膜的双折射率改变至少约0.01。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述有机固体晶体薄膜包括至少约1.9的折射率。
20.一种方法，其中，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种方法，其中，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体前体包括可结晶的有机分子。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机固体晶体前体包括选自由以下构成的组的烃类化合物：蒽、菲、二苯乙炔、噻吩、芘、心环烯、芴、联二苯、三联苯和酞菁。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子掺杂剂配置为调制所述掺杂的有机固体晶体薄膜中的homo-lumo能隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述有机固体晶体薄膜内的所述分子掺杂剂的浓度范围为约0.01wt.％至约50wt.％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子原料包括选自由以下构成的组的杂环：呋喃、吡咯、噻吩、吡啶、嘧啶和哌啶。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分子原料的所述层在形成所述晶核之前是熔融的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述成核区内形成所述晶核包括将所述分子原料的所述层加热到低于所述有机固体晶体前体的熔融起始温度的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：饶婷凌，安德鲁·约翰·欧德科克，金伯利·凯·奇尔德烈斯，阿尔曼·博罗曼德，莱夫·约瑟夫·普尔维斯二世，
申请(专利权)人：元平台技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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