【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种晶体管结构。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，对于组件尺寸的缩小及高效能的需求日益提升。为了解决因栅极尺寸缩减而导致的电性问题，发展出使用金属栅极取代多晶硅栅极的技术。形成上述金属栅极的方法通常是在形成虚设(dummy)多晶硅栅极之后，移除虚设多晶硅栅极，然后再填入金属材料以作为金属栅极。此方法通常称为栅极后置(gate-last)工艺或置换金属栅极(replacement metal gate)工艺。
2、在上述的过程中，在移除虚设多晶硅栅极之后，将金属材料填入容置虚设多晶硅栅极的空间中，并进行化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)工艺来移除所述空间外的金属材料。然而，对于具有较大面积的金属栅极来说，在进行化学机械抛光工艺之后，容易使金属栅极产生碟状(dishing)现象而导致厚度减小。如此一来，在形成与金属栅极连接的接触件(contact)时，容易发生金属栅极被穿透的问题，导致组件的电性受到影响。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种晶体管结构，其中自衬底上方的俯视方向来看，栅极的侧边(edge)具有非线性形状。
2、本专利技术的晶体管结构包括栅极、栅介电层、源极区以及漏极区。所述栅极设置于衬底上。所述栅介电层设置于所述栅极与所述衬底之间。所述源极区与所述漏极区分别设置于所述栅极的相对两侧。自所述衬底上方的俯视方向来看，所述栅极在第一方向上具有相对的两个侧边，
3、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述两个侧边中的每一个具有多个突出部。
4、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的轮廓为矩形。
5、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的角落处具有圆角。
6、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述非线性形状包括波浪状。
7、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部自所述侧边突出的长度与相邻的两个所述突出部之间的间距的比率介于0.5至1之间。
8、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述长度介于160nm至330nm之间。
9、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述栅极在所述第一方向上的侧壁具有多个沟槽，且每一个所述沟槽自所述栅极的底部延伸至所述栅极的顶部。
10、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述栅极的材料包括多晶硅。
11、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述栅极的材料包括金属。
12、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，还包括设置于所述栅极的侧壁上的蚀刻终止层。
13、在本专利技术的晶体管结构的一实施例中，所述蚀刻终止层的材料包括氮化硅。
14、综上所述，在本专利技术的晶体管结构中，自衬底上方的俯视方向来看，栅极的在与沟道长度所在的方向交错的方向上的侧边具有非线性形状。如此一来，在针对晶体管结构进行置换金属栅极工艺之后，栅极的厚度不会减小，因此可有效地避免在形成与栅极连接的接触件时发生栅极被穿透的问题。
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1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述两个侧边中的每一个具有多个突出部。
3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的轮廓为矩形。
4.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的角落处具有圆角。
5.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述非线性形状包括波浪状。
6.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部自所述侧边突出的长度与相邻的两个所述突出部之间的间距的比率介于0.5至1之间。
7.根据权利要求6所述的晶体管结构，其特征在于，所述长度介于160nm至330nm之间。
8.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述栅极在所述第一方向上的侧壁具有多个沟槽，且每一个所述沟槽自所述栅极的底部延伸至所述栅极的顶部。
9.根据权利要求
10.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述栅极的材料包括金属。
11.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括蚀刻终止层，设置于所述栅极的侧壁上。
12.根据权利要求11述的晶体管结构，其特征在于，所述蚀刻终止层的材料包括氮化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述两个侧边中的每一个具有多个突出部。
3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的轮廓为矩形。
4.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部的角落处具有圆角。
5.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述非线性形状包括波浪状。
6.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，自所述衬底上方的俯视方向来看，所述突出部自所述侧边突出的长度与相邻的两个所述突出部之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李信宏，黄善禧，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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