System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝技术_技高网

一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝技术

技术编号:44460160 阅读:6 留言:0更新日期:2025-02-28 19:08
本发明专利技术提供了一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝,属于氧化铝粉体材料领域。包括:将高纯氢氧化铝依次进行第一焙烧及第一粉碎,得到γ‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;;将γ‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;依次进行第二焙烧及第二粉碎,得到α‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;;将α‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;配置成第一料浆,并向所述第一料浆中加入分散剂,后将含所述分散剂的第一料浆进行湿法研磨,得到第二料浆;将所述第二料浆依次进行过滤及洗涤,得到滤饼;将所述滤饼进行打浆,得到第三料浆;以及将所述第三料浆进行喷雾干燥,得到高纯纳米氧化铝粉体。通过多段焙烧,确保氢氧化铝前驱体转化为γ‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;以及γ‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;转化为α‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;,同时通过焙烧后的破碎,从而达到控制产品粒度分布的目的。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及氧化铝粉体材料,尤其涉及一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝


技术介绍

1、高纯纳米氧化铝粉不仅纯度高,而且粒度可以达到纳米级,粒度分布窄,分散性好。纳米粉体具有的小尺寸效应、表面界面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等,使其在催化、滤光、光吸收、医药、磁介质及新材料等领域有广阔的应用前景。高纯纳米氧化铝具有优良的光学、电学性能和机械性能在现代高新技术新材料领域得到广泛应用。

2、高纯纳米氧化铝的前驱体种类繁多,不同前驱体所制得的纳米氧化铝物理性质不尽相同,各有优劣。然而,现有的高纯氧化铝粉体在制备过程中存在粒度分布不均匀的问题,严重影响高纯氧化铝粉体的应用。


技术实现思路

1、本申请提供了一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝,以解决现有的高纯氧化铝粉体在制备过程中存在粒度分布不均匀的技术问题。

2、第一方面,本申请提供了一种高纯纳米氧化铝的制备方法,所述方法包括:

3、将高纯氢氧化铝依次进行第一焙烧及第一粉碎,得到γ-al2o3;

4、将γ-al2o3依次进行第二焙烧及第二粉碎,得到α-al2o3;

5、将α-al2o3配置成第一料浆,并向所述第一料浆中加入分散剂,后将含所述分散剂的第一料浆进行湿法研磨,得到第二料浆;

6、将所述第二料浆依次进行过滤及洗涤,得到滤饼;

7、将所述滤饼进行打浆,得到第三料浆;以及

8、将所述第三料浆进行喷雾干燥,得到高纯纳米氧化铝粉体。

9、可选的,所述第一焙烧的温度为600℃-1000℃,所述第一焙烧的保温时间为60min-180min。

10、可选的,所述第一粉碎为气流粉碎,所述第二粉碎为预破碎与气流粉碎的两者联用或预破碎,所述预破碎为使用对辊设备进行破碎。

11、可选的,所述气流粉碎的破碎压力为0.4mpa-0.7mpa,所述气流粉碎的进料速度为1kg/min-3kg/min。

12、可选的,所述第二焙烧的温度为1100℃-1400℃,所述第二焙烧的保温时间为60min-180min。

13、可选的,所述分散剂的加入量为所述第一料浆质量的0.1%-1%。

14、可选的,所述第一料浆及所述第三料浆的固含量均为10%-30%。

15、可选的,所述喷雾干燥的温度为220℃-250℃。

16、第二方面,本申请提供了一种第一方面中任意一项实施例所述的方法制备得到的高纯纳米氧化铝,所述高纯纳米氧化铝用于陶瓷基板及抛光领域。

17、可选的,所述高纯纳米氧化铝满足如下至少一种性能:纯度≥99.9%,晶粒尺寸为30nm-500nm。

18、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:

19、本申请提供了一种高纯纳米氧化铝的制备方法,包括:将高纯氢氧化铝依次进行第一焙烧及第一粉碎,得到γ-al2o3;将γ-al2o3依次进行第二焙烧及第二粉碎,得到α-al2o3;将α-al2o3配置成第一料浆,并向所述第一料浆中加入分散剂,后将含所述分散剂的第一料浆进行湿法研磨,得到第二料浆;将所述第二料浆依次进行过滤及洗涤,得到滤饼;将所述滤饼进行打浆,得到第三料浆;以及将所述第三料浆进行喷雾干燥,得到高纯纳米氧化铝粉体。通过多段焙烧,确保氢氧化铝前驱体转化为γ-al2o3以及γ-al2o3转化为α-al2o3,同时通过焙烧后的破碎,从而达到控制产品粒度分布的目的。

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【技术保护点】

1.一种高纯纳米氧化铝的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一焙烧的温度为600℃-1000℃,所述第一焙烧的保温时间为60min-180min。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一粉碎为气流粉碎,所述第二粉碎为预破碎与气流粉碎的两者联用或预破碎,所述预破碎为使用对辊设备进行破碎。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述气流粉碎的破碎压力为0.4MPa-0.7MPa,所述气流粉碎的进料速度为1kg/min-3kg/min。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二焙烧的温度为1100℃-1400℃,所述第二焙烧的保温时间为60min-180min。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分散剂的加入量为所述第一料浆质量的0.1%-1%。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一料浆及所述第三料浆的固含量均为10%-30%。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述喷雾干燥的温度为220℃-250℃。

9.一种权利要求1-8中任意一项所述的方法制备得到的高纯纳米氧化铝,其特征在于,所述高纯纳米氧化铝用于陶瓷基板及抛光领域。

10.根据权利要求9所述的高纯纳米氧化铝,其特征在于,所述高纯纳米氧化铝满足如下至少一种性能:纯度≥99.9%,晶粒尺寸为30nm-500nm。

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【技术特征摘要】

1.一种高纯纳米氧化铝的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一焙烧的温度为600℃-1000℃,所述第一焙烧的保温时间为60min-180min。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一粉碎为气流粉碎,所述第二粉碎为预破碎与气流粉碎的两者联用或预破碎,所述预破碎为使用对辊设备进行破碎。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述气流粉碎的破碎压力为0.4mpa-0.7mpa,所述气流粉碎的进料速度为1kg/min-3kg/min。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二焙烧的温度为1100℃-1400℃,所述第二焙烧...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋六九杨丛林常凯司恒刚李凡钱龙宁逸博朱春雷
申请(专利权)人:中铝山东有限公司
类型:发明
国别省市:

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