【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在集成电路的形成中，在晶圆中的半导体衬底的表面处形成诸如晶体管的集成电路器件。然后在集成电路器件上方形成互连结构。在互连结构上方形成金属焊盘并且将金属焊盘电耦接到互连结构。在金属焊盘上方形成钝化层和第一聚合物层，金属焊盘通过钝化层和第一聚合物层中的开口暴露。第一聚合物层具有缓冲应力的功能。
2、然后可以形成金属柱以连接到金属焊盘的顶表面，接着在再分布线上方形成第二聚合物层。
技术实现思路
1、本公开的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在导电焊盘上方形成第一导电柱，并且第一导电柱连接到导电焊盘；分配第一聚合物层，其中，第一聚合物层接触第一导电柱的侧壁的下部；固化第一聚合物层；在第一聚合物层上分配第二聚合物层，其中，第二聚合物层接触第一导电柱的侧壁的上部；以及固化第二聚合物层。
2、本公开的另一些实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：导电焊盘；钝化层，部分地覆盖导电焊盘；导电柱，包括：第一部分，位于钝化层中并且与导电焊盘接触；和第二部分，位于钝化层上方，其中，第二部分包括侧壁；第一聚合物层，位于钝化层上方，其中，第一聚合物层接触侧壁的下部；以及第二聚合物层，位于第一聚合物层上方并且接触第一聚合物层接触，其中，第二聚合物层接触侧壁的上部。
3、本公开的又一实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：器件管芯，包括：导电柱，包括侧壁；第一聚合物层，接触导电柱的侧壁；和
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1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物层是通过旋涂执行的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层包括相同的聚合物材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层包括不同的聚合物材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物层之前，完全固化所述第一聚合物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物层之前，部分地固化所述第一聚合物层。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在固化所述第二聚合物层之后，执行平坦化工艺以使所述第一导电柱的第一顶表面与所述第二聚合物层的第二顶表面齐平。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物层和分配所述第二聚合物层中的一个包括分配聚酰亚胺。
9.一种半导体结构，包括：
10.一种半导体结构，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述第一聚合物层是通过旋涂执行的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层包括相同的聚合物材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层包括不同的聚合物材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在分配所述第二聚合物层之前，完全固化所述第一聚合物层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杜孟哲，叶柏男，王博汉，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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