【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于显示设备领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)和量子点发光二极管(quantum-dot light emitting diodes，简称qled)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以oled或qled为发光器件、由薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)进行信号控制的柔性显示装置(flexible display)已成为目前显示领域的主流产品。
2、目前，现有显示基板存在横向漏电问题。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有显示基板存在横向漏电问题。
3、本公开至少一实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的多个第一电极和多个像素定义结构，所述像素定义结构包括隔断墙；
4、所述隔断墙和所述第一电极一一对应设置，所述隔断墙设置在所述第一电极的外侧且环绕所述第一电极，相邻的所述隔断墙间隔设置；
5、所述第一电极具有第一高度，所述隔断墙具有第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；
6、所述第一高度设置为所述第一电极
7、在一些示例性实施例中，所述隔断墙的材料包括聚合物材料。
8、在一些示例性实施例中，所述隔断墙的材料包括碳元素、氧元素、氟元素和硅元素，其中，所述氧元素的重量百分比为15％至40％，所述碳元素的重量百分比为20％至50％。
9、在一些示例性实施例中，所述第二高度与所述第一高度的比值为1.5至4.0。
10、在一些示例性实施例中，所述隔断墙具有第一厚度，所述第二高度和所述第一厚度的比值设置为大于5，所述第一厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述隔断墙的最大厚度。
11、在一些示例性实施例中，所述第一厚度设置为2nm至40nm。
12、在一些示例性实施例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述隔断墙包括第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部的一端设置在所述衬底基板上，另一端与所述第二隔断部的第一端连接，所述第二隔断部的第二端向着远离所述衬底基板的方向延伸；
13、所述第一隔断部与所述第一电极的侧壁贴合。
14、在一些示例性实施例中，所述第一隔断部具有第三高度，所述第二隔断部具有第四高度，所述第四高度大于所述第三高度；
15、所述第三高度为所述第一隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的尺寸，所述第四高度为所述第二隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的尺寸。
16、在一些示例性实施例中，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度；
17、所述第二厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述第一隔断部的最大厚度，所述第三厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述第二隔断部的最大厚度。
18、在一些示例性实施例中，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第二隔断部的厚度逐渐减小。
19、在一些示例性实施例中，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度小于所述第三厚度；
20、所述第二厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述第一隔断部的最大厚度，所述第三厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述第二隔断部的最大厚度。
21、在一些示例性实施例中，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一隔断部的厚度逐渐增加。
22、在一些示例性实施例中，所述像素定义结构还包括保护层，所述保护层至少设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧以及所述隔断墙上，所述保护层上开设有暴露出所述第一电极的像素开口。
23、在一些示例性实施例中，所述保护层至少包括叠设的第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层的材料包括无机材料；
24、所述第二保护层的应变硬化指数大于所述第一保护层的应变硬化指数，所述第一保护层的应变硬化指数大于所述隔断墙的应变硬化指数。
25、在一些示例性实施例中，所述第一保护层具有第一折射率，所述第二保护层具有第二折射率，所述隔断墙具有第三折射率；
26、所述第二折射率与所述第一折射率的比值为1.1至1.2，所述第一折射率与所述第三折射率的比值为1.1至1.2。
27、在一些示例性实施例中，所述隔断墙具有第一厚度，所述第一保护层具有第四厚度，所述第二保护层具有第五厚度；
28、所述第四厚度和所述第五厚度的比值为0.5至2，所述第四厚度和所述第一厚度的比值为1至10；
29、所述第一厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述隔断墙的最大厚度，所述第四厚度为在垂直于所述衬底基板的方向上所述第一保护层的平均厚度，所述第五厚度为在垂直于所述衬底基板的方向上所述第二保护层的平均厚度。
30、在一些示例性实施例中，在平行于所述衬底基板的方向上，所述保护层至少包括隔断保护部和电极保护部，所述隔断保护部设置在所述隔断墙远离所述衬底基板的一侧，所述电极保护部设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述电极保护部上开设有暴露出所述第一电极的像素开口。
31、在一些示例性实施例中，所述像素开口的侧壁为阶梯结构。
32、在一些示例性实施例中，所述像素开口包括所述第一保护层上设置的第一开口和所述第二保护层上设置的第二开口，所述第一开口和所述第二开口连通，所述第一开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板上的正投影的范围之内。
33、在一些示例性实施例中，所述第一电极远离所述衬底基板的表面设有第一凹槽，所述第一凹槽在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影重叠。
34、在一些示例性实施例中，所述隔断墙还包括位于所述第一电极远离所述衬底基板的表面处的延伸部，所述延伸部在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影交叠；
35、所述第一电极远离所述衬底基板的表面包括位于所述第一凹槽的外周的台阶面，沿着远离所述衬底基板的方向，所述台阶面包括依次相接的第七端面、第六端面和第五端面，所述第五端面位于所述第七端面靠近所述隔断墙的一侧，所述第五端面和所述第七端面都平行于所述衬底基板，所述延伸部覆盖在所述第五端面上；
36、所述第五端面和所述第七端面在垂直于所述衬底基板上的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的多个第一电极和多个像素定义结构，所述像素定义结构包括隔断墙；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙的材料包括聚合物材料。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙的材料包括碳元素、氧元素、氟元素和硅元素，其中，所述氧元素的重量百分比为15％至40％，所述碳元素的重量百分比为20％至50％。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二高度与所述第一高度的比值为1.5至4.0。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙具有第一厚度，所述第二高度和所述第一厚度的比值设置为大于5，所述第一厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述隔断墙的最大厚度。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一厚度设置为2nm至40nm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述隔断墙包括第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部的一端设置在所述衬底基板上，另一端与
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第三高度，所述第二隔断部具有第四高度，所述第四高度大于所述第三高度；
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度；
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第二隔断部的厚度逐渐减小。
11.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度小于所述第三厚度；
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一隔断部的厚度逐渐增加。
13.根据权利要求1至12任一所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义结构还包括保护层，所述保护层至少设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧以及所述隔断墙上，所述保护层上开设有暴露出所述第一电极的像素开口。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述保护层至少包括叠设的第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层的材料包括无机材料；
15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第一保护层具有第一折射率，所述第二保护层具有第二折射率，所述隔断墙具有第三折射率；
16.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙具有第一厚度，所述第一保护层具有第四厚度，所述第二保护层具有第五厚度；
17.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，在平行于所述衬底基板的方向上，所述保护层至少包括隔断保护部和电极保护部，所述隔断保护部设置在所述隔断墙远离所述衬底基板的一侧，所述电极保护部设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述电极保护部上开设有暴露出所述第一电极的像素开口。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其特征在于，所述像素开口的侧壁为阶梯结构。
19.根据权利要求18所述的显示基板，其特征在于，所述像素开口包括所述第一保护层上设置的第一开口和所述第二保护层上设置的第二开口，所述第一开口和所述第二开口连通，所述第一开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板上的正投影的范围之内。
20.根据权利要求19所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极远离所述衬底基板的表面设有第一凹槽，所述第一凹槽在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影重叠。
21.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙还包括位于所述第一电极远离所述衬底基板的表面处的延伸部，所述延伸部在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影交叠；
22.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至21任一所述的显示基板。
23.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
24.根据权利要求23所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板形成多个第一电极和多个像素定义结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的多个第一电极和多个像素定义结构，所述像素定义结构包括隔断墙；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙的材料包括聚合物材料。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙的材料包括碳元素、氧元素、氟元素和硅元素，其中，所述氧元素的重量百分比为15％至40％，所述碳元素的重量百分比为20％至50％。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二高度与所述第一高度的比值为1.5至4.0。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断墙具有第一厚度，所述第二高度和所述第一厚度的比值设置为大于5，所述第一厚度为在平行于所述衬底基板的方向上所述隔断墙的最大厚度。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一厚度设置为2nm至40nm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述隔断墙包括第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部的一端设置在所述衬底基板上，另一端与所述第二隔断部的第一端连接，所述第二隔断部的第二端向着远离所述衬底基板的方向延伸；
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第三高度，所述第二隔断部具有第四高度，所述第四高度大于所述第三高度；
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度；
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第二隔断部的厚度逐渐减小。
11.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔断部具有第二厚度，所述第二隔断部具有第三厚度，所述第二厚度小于所述第三厚度；
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一隔断部的厚度逐渐增加。
13.根据权利要求1至12任一所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义结构还包括保护层，所述保护层至少设置在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：严俊凯，苏冬冬，黄寅虎，冯兵明，李如泉，王继兴，邹建明，杨晓寅，杨雄，张大成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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