【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件来制造。
2、半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许将更多组件集成到给定区域中。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底的第一区域上方形成多个第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成多个第二纳米结构；在所述多个第一纳米结构周围形成第一栅极结构；用多个隔离区域替换所述多个第二纳米结构；以及在衬底上方形成密封环，其中，密封环位于第一区域和第二区域之间。
2、本公开的另一实施例提供一种形成半导体结构的方法，该方法包括：
3、在衬底上方形成密封环，包括在多个绝缘层内形成多个导电部件；以及
4、形成环绕密封环的缓冲区域，其中，形成缓冲区域包括：在衬底上方形成第一纳米结构的堆叠件；形成与第一纳米结构的堆叠件相邻的外延源极/漏极区域；在第一纳米结构的堆叠件上方形成伪栅极结构；形成延伸穿过伪栅极结构和第一纳米结构的堆叠件的第一凹槽，其中，第一凹槽延伸得比外延源极/漏极区域更深；用介电材料填充第一凹槽；以及在介电材料上方形成所述绝缘层。
5、本公开的又一实施例提
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1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括用隔离区域替换至少一个第一纳米结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，替换所述多个第二纳米结构包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在替换所述多个第二纳米结构之前形成所述第一栅极结构。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成与所述第一纳米结构相邻的第一外延源极/漏极区域和与所述第二纳米结构相邻的第二外延源极/漏极区域。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域将所述密封环与划线区域分隔开。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封环形成在至少一个隔离区域上方。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一纳米结构上方形成互连结构，其中，所述第二区域没有所述互连结构。
9.一种形成半导体结构的方法，包括：
10.一种半导体结构，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括用隔离区域替换至少一个第一纳米结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，替换所述多个第二纳米结构包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在替换所述多个第二纳米结构之前形成所述第一栅极结构。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成与所述第一纳米结构相邻的第一外延源极/漏极区域和与所述第二纳米结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：文克刚，杨芷欣，王冠勋，萧琮介，王良玮，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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