【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、作为用于增加半导体器件的密度的缩放技术之一，已经提出了其中具有鳍或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅主体)形成在衬底上并且栅极形成在的多沟道有源图案的表面上的多栅极晶体管。
2、由于这种多栅极晶体管使用三维沟道，因此易于执行缩放。另外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度，也可以提高电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。
3、同时，随着半导体器件的间距尺寸减小，可能需要用于减小电容并确保半导体器件中接触件之间的电稳定性的研究。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种能够提高元件的性能和可靠性的半导体器件。
2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。
3、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：第一背面层间绝缘膜；背面布线，在第一背面层间绝缘膜中，该背面布线包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；鳍型图案，在背面布线的第一表面上，该鳍型图案沿第二方向延伸；第二背面层间绝缘膜，在鳍型图案和第一背面层间绝缘膜之间，鳍型图案和第二背面层间绝缘膜限定背面接触孔，背面接触孔包括彼此流体连通的第一背面接触孔和第二背面接触孔，第一背面接触孔在第二背面接触孔的底部上并且在鳍型图案中，并且第二背面接触孔在第二背面层间绝缘膜中；栅电极，在鳍型图案上
4、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：第一背面层间绝缘膜；背面布线，在第一背面层间绝缘膜中，该背面布线包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；鳍型图案，在背面布线的第一表面上，该鳍型图案沿第二方向延伸；第二背面层间绝缘膜，在鳍型图案和第一背面层间绝缘膜之间；栅电极，在鳍型图案上，并且沿第三方向延伸；源/漏图案，在栅电极的第一侧表面上，并且在鳍型图案上；背面源/漏接触件，在第二背面层间绝缘膜和鳍型图案中，该背面源/漏接触件连接背面布线和源/漏图案；以及接触硅化物膜，在背面源/漏接触件和源/漏图案之间。背面源/漏接触件可以包括上部图案和下部图案。上部图案可以与鳍型图案和接触硅化物膜接触。下部图案可以与第二背面层间绝缘膜接触。背面源/漏接触件的上部图案可以具有由金属制成的单导电膜结构。背面源/漏接触件的上部图案和背面源/漏接触件的下部图案之间的界面面向背面布线，并且具有面向背面布线的凸形形状或倾斜形状。
5、根据本公开的实施例，半导体器件可以包括第一背面层间绝缘膜；背面布线，在第一背面层间绝缘膜中，该背面布线包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；鳍型图案，在背面布线的第一表面上，该鳍型图案沿第二方向延伸；第二背面层间绝缘膜，在鳍型图案和第一背面层间绝缘膜之间，鳍型图案和第二背面层间绝缘膜限定背面接触孔，背面接触孔包括彼此流体连通的第一背面接触孔和第二背面接触孔，第一背面接触孔在第二背面接触孔的底部上并且在鳍型图案中，并且第二背面接触孔在第二背面层间绝缘膜中；多个片状图案，在鳍型图案上，并且在第一方向上与鳍型图案间隔开；栅电极，在鳍型图案上的，该栅电极沿第三方向延伸，并且围绕多个片状图案；源/漏图案，在栅电极的侧表面上，并且在鳍型图案上；背面源/漏接触件，在背面布线的第一表面上，该背面源/漏接触件连接背面布线和源/漏图案；以及接触硅化物膜，在背面源/漏接触件和源/漏图案之间。背面源/漏接触件可以包括上部图案和下部图案。背面源/漏接触件的上部图案可以与鳍型图案和接触硅化物膜接触。背面源/漏接触件的下部图案可以与第二背面层间绝缘膜接触。背面源/漏接触件的上部图案可以具有由金属制成的单导电膜结构。背面源/漏接触件的下部图案可以包括背面接触衬垫和背面接触插塞。背面接触衬垫和背面接触插塞可以包括金属。背面接触衬垫可以与背面源/漏接触件的上部图案和第二背面层间绝缘膜接触。背面接触衬垫可以限定背面衬垫凹槽，并且背面接触插塞可以填充背面衬垫凹槽。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述背面接触插塞包括接缝图案。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述背面源/漏接触件的所述上部图案和所述背面接触插塞均包括钼Mo、钨W、钌Ru、钴Co、铱Ir和铜Cu中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述背面源/漏接触件还包括位于所述背面源/漏接触件的所述上部图案和所述背面源/漏接触件的所述下部图案之间的接触封盖图案。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
18.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，
19.一种半导体器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述背面接触插塞包括接缝图案。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述背面源/漏接触件的所述上部图案和所述背面接触插塞均包括钼mo、钨w、钌ru、钴co、铱ir和铜cu中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述背面源/漏接触件还包括位于所述背面源/漏接触件的所述上部图案和所述背面源/漏接触件的所述下部图案之间的接触封盖图案。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑元根，金仅祐，朴俊起，金完敦，崔孝锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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