System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种激光芯片及光模块制造技术_技高网

一种激光芯片及光模块制造技术

技术编号:44454938 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-28 19:01
本申请提供的激光芯片及光模块中,包括电路板、相干光组件、光源,相干光组件用于进行光信号的调制与解调,光源为相干光组件提供不携带数据的光,以使相干光组件根据不携带数据的光进行光信号的调制。其中,光源包括激光芯片,激光芯片包括增益区、第一光栅区与第二光栅区,第一光栅区与第二光栅区分别位于增益区的两侧,第二光栅区包括相互连接的连续不刻蚀段及间隔刻蚀段,连续不刻蚀段不会产生折射率差,从而不会对增益光进行反射,间隔刻蚀段内折射率周期性变化,从而对增益光进行反射,本申请的第一光栅区在保持长度不变的前提下,通过设置连续不刻蚀段,从而降低其反射率,从而本申请实现保证线宽的前提下,增加出光光功率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光通信,尤其涉及一种激光芯片及光模块


技术介绍

1、在高速相干光通信领域,由于使用50ghz甚至更窄的信道宽度进行通信,所以对激光芯片产生光信号的线宽质量要求较高,如要求光信号的线宽尽可能小于100khz。

2、分布式布拉格反射(distributed bragg reflector,dbr)激光器具有窄线宽、波长可调谐范围大等特点,其应用范围越来越广泛。目前的dbr激光器为了追求较高的出光光功率,通常通过缩短激光器的谐振腔长度,从而降低反射率,得到较高的出光光功率,然而在缩短谐振腔的长度时,线宽变宽,线宽无法得到保证,从而无法满足光信号的线宽质量要求。


技术实现思路

1、本申请提供了一种激光芯片及光模块,以在保证线宽的前提下增加出光光功率。

2、本申请提供了一种激光芯片,包括:

3、衬底,表面包括第一分区、第二分区及第三分区,所述第二分区与所述第三分区分别设于所述第一分区的两侧;

4、增益区,设于所述第一分区的表面,所述增益区沿所述第一分区的表面从下至上依次包括:刻蚀停止层、下限制层、有源层、上限制层、间隔层、接触层;所述增益区用于根据注入的载流子产生增益光;

5、第一光栅区,设于所述第二分区的表面,所述第一光栅区沿所述第二分区的表面从下至上依次包括:波导层、光栅层、间隔层、接触层;

6、第二光栅区,设于所述第三分区的表面,所述第二光栅区沿所述第三分区的表面从下至上依次包括:波导层、光栅层、间隔层、接触层,其中,所述光栅层包括若干光栅周期,所述光栅周期包括相互连接的连续不刻蚀段及间隔刻蚀段,所述间隔刻蚀段包括间隔设置的刻蚀区与不刻蚀区;所述不刻蚀段及所述不刻蚀区用于对所述增益光不进行反射,所述刻蚀区用于对所述增益光进行反射,所述不刻蚀段及所述不刻蚀区的长度之和大于所述刻蚀区的长度,从而减小所述第二光栅区的反射率。

7、所述不刻蚀区的长度之和大于所述刻蚀区的长度,从而减小所述第二光栅区的反射率。

8、本申请提供的激光芯片及光模块中,激光芯片包括衬底、增益区、第一光栅区及第二光栅区。衬底表面包括第一分区、第二分区及第三分区,第二分区与第三分区分别设于第一分区的两侧,增益区设于第一分区的表面,第一光栅区设于第二分区的表面,第二光栅区设于第三分区的额表面,则第一光栅区与第二光栅区分别设于增益区的两侧。增益区用于根据注入的载流子产生增益光,第一光栅区及第二光栅区用于对激光的波长进行调谐。第一光栅区沿第二分区的表面从下至上依次包括:波导层、光栅层、间隔层、接触层。第二光栅区沿第三分区的表面从下至上依次包括:波导层、光栅层、间隔层、接触层,其中,光栅层包括相互连接的连续不刻蚀段及间隔刻蚀段,间隔刻蚀段包括间隔设置的刻蚀区与不刻蚀区,连续不刻蚀段及不刻蚀区不会产生折射率差,不会对增益光进行反射,并且不刻蚀段及不刻蚀区的长度之和大于刻蚀区的长度,因此相对于全部均匀刻蚀的光栅区而言,本申请中的第二光栅区具有较低的反射率,从而增加出光光功率,而且本申请中的第二光栅区的长度保持不变,从而可保证线宽,因此本申请的第二光栅区在保持长度不变的前提下,通过设置连续不刻蚀段,从而降低其反射率,从而本申请实现保证线宽的前提下,增加出光光功率。

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【技术保护点】

1.一种激光芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述光栅周期内,所述连续不刻蚀段的长度大于所述间隔刻蚀段的长度。

3.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述第一光栅区的有效反射率大于所述第二光栅区的有效反射率。

4.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述光栅周期还包括不刻蚀相移段,所述不刻蚀相移段的所处位置满足:

5.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述衬底表面还包括第四分区;

6.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述第一光栅区的接触层上方还形成有加热层,所述加热层的上方还形成有保护层,所述第一光栅区的波导层下方形成有第一挖空区域,所述第一挖空区域使得所述加热层传递的热量集中于所述光栅层及所述波导层内;

7.一种光模块,其特征在于,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的光模块,其特征在于,所述激光芯片包括第一光栅区及第二光栅区;所述第一光栅区的波导层及光栅层均包括第一掺杂区域,所述第一掺杂区域中具有掺杂物质,所述第一掺杂区域用于通过所述掺杂物质消耗所述第一光栅区内部的自由载流子;

9.根据权利要求8所述的光模块,其特征在于,所述激光芯片还包括相位区,所述相位区用于对波长进行调谐;所述相位区包括第三掺杂区域,所述第三掺杂区域中具有掺杂物质,所述第三掺杂区域用于通过所述掺杂物质消耗所述相位区内部的自由载流子。

10.根据权利要求9所述的光模块,其特征在于,所述第一掺杂区域、所述第二掺杂区域、所述第三掺杂区域中的所述掺杂物质包括掺铁。

...

【技术特征摘要】

1.一种激光芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述光栅周期内,所述连续不刻蚀段的长度大于所述间隔刻蚀段的长度。

3.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述第一光栅区的有效反射率大于所述第二光栅区的有效反射率。

4.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述光栅周期还包括不刻蚀相移段,所述不刻蚀相移段的所处位置满足:

5.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述衬底表面还包括第四分区;

6.根据权利要求1所述的激光芯片,其特征在于,所述第一光栅区的接触层上方还形成有加热层,所述加热层的上方还形成有保护层,所述第一光栅区的波导层下方形成有第一挖空区域,所述第一挖空区域使得所述加热层传递的热量集中于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李俣陈宏民
申请(专利权)人:青岛海信宽带多媒体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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