【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其是涉及一种光刻版结构及其制备方法。
技术介绍
1、光刻的工艺流程是通过掩膜工艺将二维图形刻录到光刻版上，再通过光学曝光把光刻版的图形转移到光刻胶上，经过曝光显影之后，光刻胶上就复现了光刻版的图形，从而可以进行腐蚀、镀膜等微纳加工。光刻版的作用主要为精细透光和精细遮光，从而实现精细图形的完整转移。一旦光刻版透光区域被遮光物质遮挡，或者遮光区域被磨损形成漏光，其转移的图形将会对微纳器件造成极具破坏性的影响。
2、通常，光刻版透光区域被遮光物质遮挡可以通过定期清洁进行处理，由于遮光物质较小，光线本身具有衍射的特性，因此对光刻版的使用影响不大；而遮光区域被磨损形成漏光的影响则更为突出，即使出现非常小的纳米级漏光，都会对最终器件性能造成严重影响，破坏性较大，且这种情况不易察觉。
3、为避免该情况的发生，生产厂家将接触式曝光改为接近式曝光，但是当晶圆翘曲、表面图形复杂时，仍然可能出现光刻版磨损的问题，因此增加光刻版的抗磨性能尤为重要。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光刻版结构及其制备方法，有效解决了光刻版抗磨性能较差，遮光区域易产生磨损形成漏光的技术问题，克服了现有技术的不足。
2、本专利技术采用的技术方案是：一种光刻版的制备方法，包括以下步骤：
3、在玻璃基板上制备光刻版图形；
4、在所述光刻版图形表面沉积保护膜层，所述保护膜层的材质与所述玻璃基板的材质相同。
5、进一
6、进一步，所述步骤在所述光刻版图形表面沉积保护膜层中，采用磁控溅射法或者电子束蒸镀进行沉积。
7、进一步，采用所述磁控溅射法沉积所述保护膜层时进行加热，加热温度不高于200℃。
8、进一步，所述步骤在玻璃基板上制备光刻版图形，包括以下步骤：
9、制备所述玻璃基板；
10、蒸镀铬层；
11、制备光刻版图形。
12、进一步，所述步骤制备光刻版图形中，包括以下步骤：
13、绘制光刻版版图；
14、按照所述光刻版版图，光刻所述铬层，获得所述光刻版图形；
15、去胶清洗干燥。
16、进一步，所述步骤在所述光刻版图形表面沉积保护膜层之后，还包括：退火处理。
17、进一步，所述退火处理包括：升温过程、恒温过程和降温过程，先升温至恒温温度，再以所述恒温温度进行保温，然后降温至常温。
18、进一步，所述恒温温度设置为80～300℃，所述恒温过程的保温时长为20min～120min,所述降温过程的降温速率低于10℃/min。
19、本专利技术还提供一种光刻版结构，采用如上所述的制备方法制备。
20、本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，通过设置与玻璃基板相同材质的保护膜层，减少了光刻版图形的磨损与脱落，避免了由于磨损脱落造成的漏光，保证了光刻版的正常使用，延长了光刻版的使用寿命。
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1.一种光刻版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于:所述保护膜层的厚度为10nm～50μm，设置为单层或者多层结构,材质为二氧化硅或者硼硅。
3.根据权利要求2所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤在所述光刻版图形表面沉积保护膜层中，采用磁控溅射法或者电子束蒸镀进行沉积。
4.根据权利要求3所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于：采用所述磁控溅射法沉积所述保护膜层时进行加热，加热温度不高于200℃。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤在玻璃基板上制备光刻版图形，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤制备光刻版图形中，包括以下步骤：
7.根据权利要求1-4和6任一所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤在所述光刻版图形表面沉积保护膜层之后，还包括：退火处理。
8.根据权利要求7所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述退火处理包括：升温过
9.根据权利要求8所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于：所述恒温温度设置为80～300℃，所述恒温过程的保温时长为20min～120min,所述降温过程的降温速率低于10℃/min。
10.一种光刻版结构，其特征在于：采用如权利要求1-9任一所述的制备方法制备。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于:所述保护膜层的厚度为10nm～50μm，设置为单层或者多层结构,材质为二氧化硅或者硼硅。
3.根据权利要求2所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤在所述光刻版图形表面沉积保护膜层中，采用磁控溅射法或者电子束蒸镀进行沉积。
4.根据权利要求3所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于：采用所述磁控溅射法沉积所述保护膜层时进行加热，加热温度不高于200℃。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种光刻版的制备方法，其特征在于，所述步骤在玻璃基板上制备光刻版图形，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓东，许军，孙希鹏，铁剑锐，程保义，
申请(专利权)人：中电科蓝天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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