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射频模组封装方法、射频模组封装结构和射频模组技术

技术编号:44453630 阅读:3 留言:0更新日期:2025-02-28 18:59
本申请提供了一种射频模组封装方法、射频模组封装结构和射频模组,涉及射频模组技术领域,该封装方法包括:金属支撑部件焊接于基板第一焊盘,第二类器件焊接于第二焊盘,隔离膜层与基板具有空腔,空腔高度不小于第二类器件高度,第二焊盘位于空腔,因此第二类器件容纳于空腔中,其与基板的空隙不被第一塑封膜层填充;第一类器件焊接于金属支撑部件,与第一塑封膜层具有第二空隙,第二塑封膜层覆盖第一封装结构、第一类器件以及填充第二空隙,从而该封装方法实现了底填器件和非底填器件选择性填充,不需要对底填的射频芯片进行破膜操作。同时,对于不能进行底填的滤波器,该封装方法还可以将滤波器设置在降低的位置,有助于保证滤波器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频模组,尤其涉及一种射频模组封装方法、射频模组封装结构和射频模组


技术介绍

1、随着5g商用化推广和普及,电子产品射频前端变得更加复杂,需要非常多的器件才能满足全球频段的支持需求,这也导致电子产品射频模组化的趋势十分明显。射频模组是一种将滤波器、射频开关、低噪声放大器、功率放大器、双工和多工器中的两种或者两种以上分立器件,集成在同一个模组中的解决方案,可以提高射频模组的集成度并使其进一步小型化。

2、然而对于射频模组而言,其射频芯片容易受到静电击穿、机械振动和湿度等影响,因此通常需要对其进行封装。封装可以将射频芯片封装在保护材料中,为射频芯片提供物理屏障,避免射频芯片受外界环境的影响,以及还可以提供电磁屏蔽和隔离,降低模组内部的电磁耦合和干扰,增加射频芯片的稳定性和可靠性,是射频模组制备工艺中重要的一环。

3、具体封装过程中,射频模组的部分芯片(例如射频开关等)需要进行底部填充,以提供更好的保护与稳定性,而部分芯片(例如声表面波滤波器saw等)不能进行底部填充,需要保留空气腔,增加了射频模组的封装难度,不利于电子产品射频前端的高集成度模组化。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供了一种散热盖,方案如下:

2、一种射频模组封装方法,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,该封装方法包括:

3、提供一基板,在所述基板上形成焊盘,所述焊盘包括至少一个第一焊盘和至少一个第二焊盘;

4、在所述第一焊盘上形成金属支撑部件

5、将所述第二类器件焊接于所述第二焊盘,所述第二类器件与所述基板之间具有第一空隙;

6、在所述基板表面形成第一封装结构,所述第一封装结构包括层叠排布的隔离膜层和第一塑封膜层,所述隔离膜层与所述基板之间具有空腔,所述第二焊盘位于所述空腔内,并且在第一方向上,所述空腔的高度不小于所述第二类器件的高度,所述金属支撑部件裸露于所述第一封装结构沿所述第一方向背离所述基板的一侧;所述第一方向垂直于所述基板表面;

7、将所述第一类器件焊接于所述金属支撑部件,所述第一类器件与所述第一封装结构之间具有第二空隙;

8、形成第二封装结构,所述第二封装结构包括第二塑封膜层,所述第二塑封膜层填充所述第二空隙,且在所述第一方向上覆盖所述第一封装结构和所述第一类器件。

9、可选地,所述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

10、可选地,所述形成第一封装结构包括:

11、在所述基板表面形成所述隔离膜层,所述隔离膜层包括第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述基板除所述第二类器件以外的区域,所述第二部分与所述基板之间具有所述空腔,所述第一部分和所述第二部分相接;

12、在所述隔离膜层沿所述第一方向背离所述基板的一侧形成所述第一塑封膜层,所述第一塑封膜层沿所述第一方向背离所述基板的一侧与所述金属支撑部件的顶端平齐,并且在所述第一方向上,所述第一塑封膜层的厚度不低于所述第一空隙的厚度;若所述第一塑封膜层的高度小于所述第二类器件的高度,所述第一塑封膜层覆盖所述第一部分,若所述第一塑封膜层的高度大于或等于所述第二类器件的高度,所述第一塑封膜层覆盖所述第一部分和所述第二部分。

13、可选地,所述形成第二封装结构包括:

14、在所述第一塑封膜层背离所述基板一侧形成第二塑封膜层;

15、若所述第一塑封膜层的高度小于所述第二类器件的高度,所述第二塑封膜层覆盖所述第一塑封膜层以及所述第二部分,并且所述第二塑封膜层还覆盖所述第二类器件以及填充所述第二空隙;

16、若所述第一塑封膜层的高度大于或等于所述第二类器件的高度,所述第二塑封膜层覆盖所述第一塑封膜层,并且所述第二塑封膜层还覆盖所述第二类器件以及填充所述第二空隙。

17、可选地,该射频模组还包括第三类器件,所述焊盘还包括至少一个第三焊盘,该封装方法还包括:

18、将所述第三类器件焊接于所述第三焊盘,所述第三类器件贴于所述基板表面,所述第一封装结构还覆盖所述第三类器件。

19、可选地,该射频模组还包括第四类器件,该封装方法还包括:

20、将所述第四类器件焊接于所述金属支撑部件,所述第四类器件贴于所述第一封装结构沿所述第一方向背离所述基板的一侧,所述第二封装结构还覆盖所述第四类器件。

21、可选地,该封装方法还包括:

22、形成所述焊盘之前,在所述基板上形成凹槽;

23、所述在所述基板上形成焊盘包括:

24、在所述凹槽形成所述第二焊盘,在所述凹槽以外的区域形成所述第一焊盘和所述第三焊盘。

25、可选地,所述基板具有凹槽,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述在所述基板上形成焊盘还包括:

26、在所述第一凹槽形成所述第二焊盘,在所述第二凹槽形成所述第三焊盘,在所述凹槽以外的区域形成所述第一焊盘。

27、一种射频模组封装结构,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,还包括:

28、基板,所述基板具有焊盘,所述焊盘包括至少一个第一焊盘和至少一个第二焊盘;

29、金属支撑部件,所述金属支撑部件焊接于所述第一焊盘;

30、所述第二类器件焊接于所述第二焊盘,且所述第二类器件与所述基板之间具有第一空隙;

31、第一封装结构,所述第一封装结构包括层叠排布的隔离膜层和第一塑封膜层,所述隔离膜层与所述基板之间具有空腔,所述第二焊盘位于所述空腔内,并且在第一方向上,所述空腔的高度不小于所述第二类器件的高度,所述金属支撑部件裸露于所述第一封装结构沿所述第一方向背离所述基板的一侧;所述第一方向垂直于所述基板表面;

32、所述第一类器件焊接于所述金属支撑部件,且所述第二类器件与所述第一封装结构之间具有第二空隙;

33、第二封装结构,所述第二封装结构包括第二塑封膜层,所述第二塑封膜层填充所述第二空隙,且在所述第一方向上覆盖所述第一封装结构和所述第一类器件。

34、可选地,所述述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

35、可选地,所述隔离膜层包括第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述基板除所述第二类器件以外的区域,所述第二部分与所述基板之间具有所述空腔,所述第一部分和所述第二部分相接;

36、所述第一塑封膜层沿所述第一方向背离基板的一侧与所述金属支撑部件的顶端平齐,并且在所述第一方向上,所述第一塑封膜层的厚度不低于所述第一空隙的厚度。

37、可选地,所述第一塑封膜层的厚度小于所述第二类器件的厚度,所述第二塑封膜层填充所述第二空隙,且在所述第一方向上所述第二塑封膜层覆盖所述第一塑封膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,该封装方法包括:

2.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

3.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述形成第一封装结构包括:

4.根据权利要求3所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述形成第二封装结构包括:

5.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组还包括第三类器件,所述焊盘还包括至少一个第三焊盘,该封装方法还包括:

6.根据权利要求1或5所述的射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组还包括第四类器件,该封装方法还包括:

7.根据权利要求5所述的射频模组封装方法,其特征在于,该封装方法还包括:

8.根据权利要求5所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述基板具有凹槽,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述在所述基板上形成焊盘还包括:>

9.一种射频模组封装结构,其特征在于,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,还包括:

10.根据权利要求9所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

11.根据权利要求9所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述隔离膜层包括第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述基板除所述第二类器件以外的区域,所述第二部分与所述基板之间具有所述空腔,所述第一部分和所述第二部分相接;

12.根据权利要求10所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述第一塑封膜层的厚度小于所述第二类器件的厚度,所述第二塑封膜层填充所述第二空隙,且在所述第一方向上所述第二塑封膜层覆盖所述第一塑封膜层、所述第二部分以及所述第二类器件。

13.根据权利要求10所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述第一塑封膜层的高度大于或等于所述第二类器件的高度,所述第二塑封膜层填充所述第二空隙,且在所述第一方向上所述第二塑封膜层覆盖所述第一塑封膜层以及所述第二类器件。

14.根据权利要求9所述的射频模组封装结构,其特征在于,还包括第三类器件,所述焊盘还包括至少一个第三焊盘,所述第三类器件焊接于所述第三焊盘,且所述第三类器件贴于所述基板表面,所述第一封装结构还覆盖所述第三类器件。

15.根据权利要求9或13所述的射频模组封装结构,其特征在于,还包括第四类器件,所述第四类器件焊接于所述金属支撑部件,且所述第四类器件贴于所述第一封装结构沿所述第一方向背离所述基板的一侧,所述第二封装结构还覆盖所述第四类器件。

16.根据权利要求13所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述基板具有凹槽,所述第二焊盘位于所述凹槽,所述第一焊盘和所述第三焊盘位于除所述凹槽以外的区域。

17.根据权利要求13所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述基板具有凹槽,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述第二焊盘位于所述第一凹槽,所述第三焊盘位于所述第二凹槽,所述第一焊盘位于除所述凹槽以外的区域。

18.根据权利要求9所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述金属支撑部件为金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

19.一种射频模组,其特征在于,包括权利要求9-18任一项所述的封装结构。

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【技术特征摘要】

1.一种射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,该封装方法包括:

2.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

3.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述形成第一封装结构包括:

4.根据权利要求3所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述形成第二封装结构包括:

5.根据权利要求1所述的射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组还包括第三类器件,所述焊盘还包括至少一个第三焊盘,该封装方法还包括:

6.根据权利要求1或5所述的射频模组封装方法,其特征在于,该射频模组还包括第四类器件,该封装方法还包括:

7.根据权利要求5所述的射频模组封装方法,其特征在于,该封装方法还包括:

8.根据权利要求5所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述基板具有凹槽,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述在所述基板上形成焊盘还包括:

9.一种射频模组封装结构,其特征在于,该射频模组包括第一类器件和第二类器件,还包括:

10.根据权利要求9所述的射频模组封装方法,其特征在于,所述述空腔的高度等于所述第二类器件的高度,且所述空腔的形状与所述第二类器件的形状相同,以使与所述空腔对应的部分所述隔离膜层贴于所述第二类器件。

11.根据权利要求9所述的射频模组封装结构,其特征在于,所述隔离膜层包括第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述基板除所述第二类器件以外的区域,所述第二部分与所述基板之间具有所述空腔,所述第一部分和所述第二部分相接;

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【专利技术属性】
技术研发人员:姜伟高安明
申请(专利权)人:浙江星曜半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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