【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术中的进步，存在对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本不断增加的需求。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet和鳍式场效应晶体管(finfet)。这样的缩小增加了半导体制造工艺的复杂性，并且增加了半导体器件中工艺控制的难度。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：沟道结构，位于衬底上，其中，所述沟道结构包括具有第一高度的中心部分和具有大于所述第一高度的第二高度的端部部分；延伸结构，与所述沟道结构的所述端部部分接触，其中，所述延伸结构具有大于所述第二高度的第三高度；以及源极/漏极(s/d)结构，位于所述衬底上，其中，所述延伸结构位于所述沟道结构和所述源极/漏极结构之间。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：沟道结构，位于衬底上，其中，所述沟道结构包括中心部分和端部部分；栅极结构，包裹所述沟道结构的所述中心部分；源极/漏极(s/d)结构，位于所述衬底上并且与所述沟道结构的所述端部部分相邻；以及延伸结构，位于所述沟道结构和所述源极/漏极结构之间，其中，所述延伸结构的与所述沟道结构的所述端部部分相邻的第一侧壁具有第一高度，并且所述延伸结构的与所述源极/漏极结构相邻的第二侧壁具有大于所述第一高度的第二高度。
3、本申请的又一些实施例提供了一种形成
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1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二高度与所述第一高度的比率在从约1.1至约1.8的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三高度与所述第二高度的比率在从约1.1至约1.5的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述延伸结构具有与所述沟道结构的所述端部部分相邻的第四高度和与所述源极/漏极结构相邻的大于所述第四高度的第五高度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：内部间隔件结构，与所述延伸结构、所述源极/漏极结构和所述沟道结构的所述端部部分接触。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述内部间隔件结构具有与所述沟道结构的所述端部部分相邻的第四高度和与所述源极/漏极结构相邻的小于所述第四高度的第五高度。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第四高度与所述第五高度的比率在从约1.5至约3.0的范围内。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：额外沟道结构，位于所述衬底上，具有与所述沟道结构不同的导电类型
9.一种半导体器件，包括：
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二高度与所述第一高度的比率在从约1.1至约1.8的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三高度与所述第二高度的比率在从约1.1至约1.5的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述延伸结构具有与所述沟道结构的所述端部部分相邻的第四高度和与所述源极/漏极结构相邻的大于所述第四高度的第五高度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：内部间隔件结构，与所述延伸结构、所述源极/漏极结构和所述沟道结构的所述端部部分接触。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄郁翔，彭成毅，陈彦廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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