【技术实现步骤摘要】
本申请的一些实施例涉及半导体器件结构和半导体封装件。
技术介绍
1、硅通孔(tsv)在电子器件中的在垂直方向上堆叠的晶圆之间提供路径(例如，用于电连接)。tsv可以促进用于电子器件封装中增加的集成水平，诸如三维集成电路(3dic)。3dic可以通过堆叠两个或多个晶圆来形成，其中一个或多个tsv形成为穿过两个或多个晶圆中的至少一个，以提供将两个或多个晶圆连接至衬底的路径。tsv可以通过形成部分延伸穿过衬底的凹槽并且用导电材料(诸如铜)填充凹槽来形成在晶圆中。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件结构，包括：硅通孔(tsv)，设置在互连结构和衬底中；保护结构，位于围绕所述硅通孔的所述互连结构中；以及有源区域，围绕所述保护结构，其中，所述保护结构和所述有源区域之间的间隔没有伪器件。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；互连结构，设置在所述衬底上方；保护结构，设置在所述互连结构中；第一硅通孔(tsv)，设置在所述互连结构和所述衬底中，其中，所述保护结构围绕所述第一硅通孔；以及第一边界区域，围绕所述保护结构，其中，所述第一边界区域包括：第一器件，邻近所述保护结构，其中，所述保护结构和所述第一器件之间的间隔没有伪器件；以及多个导电部件，设置在所述第一器件上方的所述互连结构中，其中，所述多个导电部件围绕所述保护结构。
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一管芯，包括：第一衬底；第一互连结构，设置在所述第一衬
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1.一种半导体器件结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括位于所述保护结构和所述有源区域之间的边界区域。
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述边界区域包括第一器件，所述第一器件包括形成在具有第一类型掺杂剂的第一阱区域上的具有第一类型掺杂剂的第一源极/漏极区域。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一类型是n型。
5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一类型是p型。
6.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述有源区域包括第二器件，所述第二器件包括形成在具有与第一类型相反的第二类型掺杂剂的第二阱区域上的具有第一类型掺杂剂的第二源/漏区域。
7.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一器件还包括连接至所述第一源极/漏极区域的多个半导体层以及围绕所述半导体层的每个的部分的栅极结构。
8.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一器件是FinFET、CFET、纳米结构晶体管或叉片FET。
9.一种半导体器件
10.一种半导体封装件，包括
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括位于所述保护结构和所述有源区域之间的边界区域。
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述边界区域包括第一器件，所述第一器件包括形成在具有第一类型掺杂剂的第一阱区域上的具有第一类型掺杂剂的第一源极/漏极区域。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一类型是n型。
5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一类型是p型。
6.根据权利要求3所述的半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨芷欣，庄惠中，王茂南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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