【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子装置，且更具体地说，涉及电子装置和制造电子装置的方法。
技术介绍
1、先前的电子封装和用于形成电子封装的方法是不适当的，例如从而使得成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较这类方法与本公开内容且参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样为一种电子装置，包括：第一电子组件；介电结构，其界定从所述介电结构的上部侧延伸到所述第一电子组件的上部侧的通孔；第一互连件，其安置在所述通孔中，其中所述第一互连件的上部侧与所述介电结构的所述上部侧大体上共面；晶种层，其位于所述第一互连件与所述介电结构之间，其中所述晶种层的末端从所述介电结构的所述上部侧和所述第一互连件的所述上部侧凹入；以及罩盖层，其安置在所述介电结构上且延伸到所述第一互连件与所述介电结构之间的所述晶种层的所述末端。
2、在根据本专利技术的态样所述的电子装置中，所述罩盖层包括距所述介电结构约1纳米的高度。
3、在根据本专利技术的态样所述的电子装置中，所述罩盖层界定一开口，所述开口暴露所述第一互连件的所述上部侧以供接合。
4、在根据本专利技术的态样所述的电子装置中，所述第一互连件的所述上部侧从所述罩盖层的上部侧凹入凹陷高度。
5、在根据本专利技术的态样所述的电子装置中，所述罩盖层包括l形轮廓。
6、在根据本专利技术的态样所述的电子装置中，所述罩盖层在所述晶种层的所述末端上方的第
7、本专利技术的另一态样为一种制造电子装置的方法，包括：设置包括衬底互连件的再分布结构；去除第一罩盖层的一部分以暴露所述衬底互连件的一侧，其中所述衬底互连件的所述侧从所述第一罩盖层的一侧凹入凹陷高度；在所述第一罩盖层上方设置电子组件，其中所述电子组件包括第二罩盖层和组件互连件；将所述第二罩盖层与所述第一罩盖层接合；以及施加热以将所述衬底互连件接合到所述组件互连件。
8、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，所述第一罩盖层和所述第二罩盖层包括无机介电材料。
9、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，所述再分布结构包括内介电质，且其中从所述内介电质的上部侧测量，所述第一罩盖层包括约1纳米的厚度。
10、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，所述再分布结构包括内介电质，且其中所述再分布结构包括位于所述内介电质与所述衬底互连件之间的晶种层。
11、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，所述第一罩盖层延伸到所述衬底互连件与所述内介电质之间的所述晶种层的末端。
12、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，所述第一罩盖层包括l形轮廓。
13、在根据本专利技术的另一态样所述的方法中，设置所述衬底互连件包括：在所述再分布结构的内介电质的一侧上方设置导电材料且填充由所述内介电质界定的通孔；以及从所述内介电质的所述侧上方去除所述导电材料以留下在所述通孔上方突出的所述导电材料。
14、本专利技术的又一态样为一种制造电子装置的方法，其特征在于，包括：设置第一电子组件；在所述第一电子组件上方设置介电结构，其中所述介电结构的侧壁界定从所述介电结构的上部侧延伸到所述第一电子组件的通孔；在所述第一电子组件、所述介电结构的所述上部侧以及所述介电结构的所述侧壁上方设置晶种层；在所述晶种层上方设置第一组件互连件，其中所述第一组件互连件填充所述通孔且覆盖所述介电结构的所述侧；去除所述第一组件互连件的一部分以留下从所述晶种层凹入的所述第一组件互连件的上部侧；去除所述晶种层的一部分以暴露所述介电结构的所述上部侧，且留下从所述介电结构凹入且位于所述第一组件互连件与所述介电结构之间的所述晶种层的末端；在所述介电结构上方设置第一罩盖层，所述第一罩盖层延伸到位于所述第一组件互连件与所述介电结构之间的所述晶种层的所述末端；以及去除所述第一罩盖层的一部分以暴露所述第一组件互连件的所述上部侧，其中所述第一组件互连件的所述上部侧从所述第一罩盖层的上部侧凹入第一凹陷高度。
15、在根据本专利技术的又一态样所述的方法中，所述第一凹陷高度为约1纳米。
16、根据本专利技术的又一态样所述的方法进一步包括：设置再分布结构，所述再分布结构包括第二罩盖层和位于所述再分布结构的内侧的衬底互连件；将所述第二罩盖层与所述第一罩盖层接合；以及施加热以将所述衬底互连件接合到所述第一组件互连件。
17、在根据本专利技术的又一态样所述的方法中，所述第一罩盖层和所述第二罩盖层包括无机介电材料。
18、在根据本专利技术的又一态样所述的方法中，设置所述再分布结构进一步包括：在所述第二罩盖层的第一侧上设置所述衬底互连件；以及去除所述第二罩盖层的一部分以暴露所述衬底互连件的上部侧，其中所述衬底互连件的所述上部侧从所述第二罩盖层的与所述第二罩盖层的所述第一侧相对的第二侧凹入凹陷高度。
19、根据本专利技术的又一态样所述的方法进一步包括：设置包括第二罩盖层和第二组件互连件的第二电子组件；将所述第二罩盖层与所述第一罩盖层接合；以及施加热以将所述第二组件互连件接合到所述第一组件互连件。
20、根据本专利技术的又一态样所述的方法进一步包括在所述第二罩盖层上方和所述第一罩盖层的侧壁周围设置包封物。
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1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层包括距所述介电结构约1纳米的高度。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层界定一开口，所述开口暴露所述第一互连件的所述上部侧以供接合。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一互连件的所述上部侧从所述罩盖层的上部侧凹入凹陷高度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层包括L形轮廓。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层在所述晶种层的所述末端上方的第一高度大于所述罩盖层在所述介电结构上方的第二高度。
7.一种制造电子装置的方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一罩盖层和所述第二罩盖层包括无机介电材料。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述再分布结构包括内介电质，且其中从所述内介电质的上部侧测量，所述第一罩盖层包括约1纳米的厚度。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一罩盖层延伸到所述衬底互连件与所述内介电质之间的所述晶种层的末端。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一罩盖层包括L形轮廓。
13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，设置所述衬底互连件包括：
14.一种制造电子装置的方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一凹陷高度为约1纳米。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一罩盖层和所述第二罩盖层包括无机介电材料。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，设置所述再分布结构进一步包括：
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第二罩盖层上方和所述第一罩盖层的侧壁周围设置包封物。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层包括距所述介电结构约1纳米的高度。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层界定一开口，所述开口暴露所述第一互连件的所述上部侧以供接合。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一互连件的所述上部侧从所述罩盖层的上部侧凹入凹陷高度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层包括l形轮廓。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述罩盖层在所述晶种层的所述末端上方的第一高度大于所述罩盖层在所述介电结构上方的第二高度。
7.一种制造电子装置的方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一罩盖层和所述第二罩盖层包括无机介电材料。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述再分布结构包括内介电质，且其中从所述内介电质的上部侧测量，所述第一罩盖层包括约1纳米的厚度。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述再分布...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈尚炫，李王谷，张熙俊，郑金硕，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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