【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体晶粒结构以及该半导体晶粒结构的制备方法。特别是有关于一种具有用于减少多个导电特征之间的电容耦合的气隙的半导体晶粒结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体晶粒广泛应用于电子产业。半导体晶粒可以具有相对较小的尺寸、多功能特性及/或相对较低的制造成本。半导体晶粒可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器晶粒、处理逻辑数据的半导体逻辑晶粒、以及具有半导体存储器晶粒的功能与半导体逻辑晶粒的功能两者的混合半导体晶粒中的任意一种。
2、相对高速与相对低电压的半导体晶粒可以满足包括半导体晶粒的电子晶粒的期望特性(例如，高速及/或低功耗)。半导体晶粒可以相对高度整合。半导体晶粒的可靠性可能因半导体晶粒的相对高的整合密度而降低。
3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体晶粒结构，包括一基底、一第一支撑骨架、一第二支撑骨架、一第一导体块、一第二导体块以及一第三导体块。该第一支撑骨架与该第二支撑骨架设置在该基底上。该第一导体块设置在该第一支撑骨架上，且该第二导体块设置在该第二支撑骨架上。该第三导体块设置在该第一导体块与该第二导体块之间。该第三导体块悬置在该基底上。
2、本公开的另一实施例提供一种半导体晶粒结构的制备方法，包括形成一第一支撑骨架在该基底上；形成一第一导体块在该第一
3、本公开中提供半导体晶粒结构的实施例。半导体晶粒结构包括多个气隙，并且多个导体块通过该等气隙而彼此分开。因此，可以减小多个导电接触点之间的寄生电容。结果，可以提高整体元件效能(即，降低功耗与电阻电容(rc)延迟)，并且可以提高半导体元件的良率。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体晶粒结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体晶粒结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体晶粒结构，其中该气隙结构包括：
4.如权利要求2所述的半导体晶粒结构，其中该第一导体块包括：
5.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该第一接触点与该多个间隙子接触该第一支撑骨架。
6.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，更包括：
7.如权利要求6所述的半导体晶粒结构，更包括：
8.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中
9.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该些间隙子包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氮氧化硅。
10.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该第三接触点的一顶面低于该气隙结构的一顶面。
11.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该第一导体块、该第二导体块与该多个间隙子通过该气隙结构相互分开。
12.一种半导体晶粒结构的制备方法，包括：
13.如权利要求12所述的制备方法，其中形成该第一支撑骨架包括：
1
15.如权利要求14所述的制备方法，其中该底部的一第一厚度大于该侧部的一第二厚度。
16.如权利要求12所述的制备方法，其中形成该第一导体块包括：
17.如权利要求16所述的制备方法，其中该多个间隙子与该第一接触点接触该第一支撑骨架。
18.如权利要求16所述的制备方法，其中该第三接触点的一顶面低于该气隙结构的一顶面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶粒结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体晶粒结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体晶粒结构，其中该气隙结构包括：
4.如权利要求2所述的半导体晶粒结构，其中该第一导体块包括：
5.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该第一接触点与该多个间隙子接触该第一支撑骨架。
6.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，更包括：
7.如权利要求6所述的半导体晶粒结构，更包括：
8.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中
9.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该些间隙子包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氮氧化硅。
10.如权利要求4所述的半导体晶粒结构，其中该第三接触点的一顶面低于该气隙结构的一顶面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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