【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆清洗，特别涉及一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽。
技术介绍
1、伴随ic集成度的提高，晶圆表面的洁净度对于获得ic器件高性能和高成品率至关重要，晶圆清洗也显得尤为重要叫。清洗是为了减少玷污,因玷污会影响器件的性能，导致可靠性问题，降低成品率，这就要求在每层的下一步工艺前进行彻底地清洗。通常，在槽式的湿法清洗设备中，晶圆在每一道化学液清洗流程后，一般会紧接着快速排水清洗步骤，来除去上一道工艺流程中沾附在晶圆上的材料微粒和化学液残留物。目前，在晶圆的清洗洁净过程中，利用快排槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。所谓快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快排槽的去离子水中,再快速地排除清洗槽中的去离子水，与此同时,利用喷嘴对晶圆喷洒去离子水，用于达到清洗晶圆的目的。
2、现有的湿法清洗设备中快排槽是清洗工序中不可缺少的一部分，它主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留的化学药液，使晶圆表面达到洁净。其结构可参考授权公告号为cn 115945434b的中国专利。
3、上述专利中的槽体的内壁上设置磁体，通过磁体对去离子水中做上升运动的氮气泡产生磁场作用，由于氮气具有逆磁形，通过磁场作用可使得氮气泡做远离电阻率检测探头的运动，进而提高检测精度；在实际应用中，针对不同微粒杂质和残留的化学药液的清洗，其去离子水的温度需要发生相应的改变，而去离子水的温度对氮气气泡的上升速度产生影响（温度越高，氮气气泡上升的速度就越快），此时需要根据温度的不同更换安装不同磁场强度的磁体以满足驱动汽包远离电阻率检测探头以
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，用于解决现有技术中需要根据去离子水温度的不同人工更换安装不同磁场强度的磁体的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，包括内腔底部安装有氮气曝气管的晶圆快排槽，所述晶圆快排槽上设置有喷淋管和用于对槽内去离子水进行电阻率检测的检测单元，所述晶圆快排槽靠近所述检测单元一侧的外壁上设置有磁体，所述磁体设置为电磁铁，还包括安装在所述晶圆快排槽上的自动调磁单元，根据所述晶圆快排槽内去离子水的温度变化自动调节所述磁体的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求。
3、作为本实施例中的一种优选地实施方式，所述自动调磁单元包括下端安装在所述晶圆快排槽内壁上的导热管，所述导热管的上方设置有活动立杆，且所述活动立杆的下端位于所述导热管的内腔，所述活动立杆的下端固定有弹性密封头，且所述弹性密封头的外壁与所述导热管的内壁滑动抵触，所述活动立杆的上端安装有齿板，且所述齿板与电流控制器的调节旋钮齿接，所述电流控制器设置在所述晶圆快排槽的上方；
4、所述活动立杆的下端与所述导热管内壁之间围成的膨胀腔内填充有氦气；
5、所述电流控制器与所述磁体电性连接。
6、作为本实施例中的一种优选地实施方式，还包括分段上升单元，用于控制所述齿板分段向上运动。
7、作为本实施例中的一种优选地实施方式，所述分段上升单元包括空心管，所述空心管套设在所述导热管上端外围并与所述活动立杆固定连接，所述空心管的下端位于所述晶圆快排槽的上端，所述空心管的内壁上设置设置有接触头，且所述接触头的上下面均设置有斜面，所述导热管靠近所述接触头的外壁上均呈下至上依次排列设置有空心柱，且所述空心柱的内腔通过弹簧连接有伸缩头，所述伸缩头的上下端均设置有斜面。
8、作为本实施例中的一种优选地实施方式，还包括无接触驱动单元，使得移动的所述接触头能够无接触带动相对应的所述伸缩头做进出所述空心柱内腔的运动。
9、作为本实施例中的一种优选地实施方式，所述无接触驱动单元包括设置所述接触头以及所述伸缩头的两个斜面上的永磁体，所述接触头上方设置的所述永磁体的上端磁极与所述伸缩头下方设置的所述永磁体的下端磁极相同；
10、所述接触头下方设置的所述永磁体的下端磁极与所述伸缩头上方设置的所述永磁体的上端磁极相同。
11、作为本实施例中的一种优选地实施方式，多个所述空心柱中从下至上数，相邻两个所述空心柱之间的间距越来小，且相对应所述从下至上数，所述弹簧的弹性系数越来越大。
12、作为本实施例中的一种优选地实施方式，所述接触头相对设置为两组，相对应所述空心柱、所述弹簧以及所述伸缩头设置为两排。
13、综上，本专利技术的技术效果和优点：
14、本专利技术结构合理，通过设置的自动调磁单元，根据晶圆快排槽内去离子水的温度变化自动调节磁体的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求；
15、本专利技术中，还设置有分段上升单元，用于控制齿板分段向上运动，这种分段上升的方式实现了一种对温度的精确响应，从而实现对磁场强度的精确控制，同时由于每次上升都是有限的，因此即使在水温突然升高的情况下，齿板也不会一下子上升到极限位置，从而避免了因过度调整而导致的系统失衡，进一步提高系统的稳定性和可靠性；
16、本专利技术中，下至上数，相邻两个所述空心柱之间的间距越来小，且相对应所述从下至上数，所述弹簧的弹性系数越来越大，这种设置使得在水温逐渐升高的过程中，能够更细腻地响应温度的变化，从而实现对水温变化的更细致控制。
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1.一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，包括内腔底部安装有氮气曝气管（2）的晶圆快排槽（1），所述晶圆快排槽（1）上设置有喷淋管（4）和用于对槽内去离子水进行电阻率检测的检测单元（5），所述晶圆快排槽（1）靠近所述检测单元（5）一侧的外壁上设置有磁体（3），其特征在于；所述磁体（3）设置为电磁铁，还包括安装在所述晶圆快排槽（1）上的自动调磁单元（6），根据所述晶圆快排槽（1）内去离子水的温度变化自动调节所述磁体（3）的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求。
2.根据权利要求1所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述自动调磁单元（6）包括下端安装在所述晶圆快排槽（1）内壁上的导热管（61），所述导热管（61）的上方设置有活动立杆（66），且所述活动立杆（66）的下端位于所述导热管（61）的内腔，所述活动立杆（66）的下端固定有弹性密封头（67），且所述弹性密封头（67）的外壁与所述导热管（61）的内壁滑动抵触，所述活动立杆（66）的上端安装有齿板（65），且所述齿板（65）与电流控制器（63）的调节旋钮（64）齿接，所述电流控制器（63）设置在所述
3.根据权利要求2所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：还包括分段上升单元，用于控制所述齿板（65）分段向上运动。
4.根据权利要求3所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述分段上升单元包括空心管（62），所述空心管（62）套设在所述导热管（61）上端外围并与所述活动立杆（66）固定连接，所述空心管（62）的下端位于所述晶圆快排槽（1）的上端，所述空心管（62）的内壁上设置设置有接触头（611），且所述接触头（611）的上下面均设置有斜面，所述导热管（61）靠近所述接触头（611）的外壁上均呈下至上依次排列设置有空心柱（68），且所述空心柱（68）的内腔通过弹簧（69）连接有伸缩头（610），所述伸缩头（610）的上下端均设置有斜面。
5.根据权利要求4所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：还包括无接触驱动单元，使得移动的所述接触头（611）能够无接触带动相对应的所述伸缩头（610）做进出所述空心柱（68）内腔的运动。
6.根据权利要求5所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述无接触驱动单元包括设置所述接触头（611）以及所述伸缩头（610）的两个斜面上的永磁体（612），所述接触头（611）上方设置的所述永磁体（612）的上端磁极与所述伸缩头（610）下方设置的所述永磁体（612）的下端磁极相同；
7.根据权利要求4所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：多个所述空心柱（68）中从下至上数，相邻两个所述空心柱（68）之间的间距越来小，且相对应所述从下至上数，所述弹簧（69）的弹性系数越来越大。
8.根据权利要求4所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述接触头（611）相对设置为两组，相对应所述空心柱（68）、所述弹簧（69）以及所述伸缩头（610）设置为两排。
...【技术特征摘要】
1.一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，包括内腔底部安装有氮气曝气管（2）的晶圆快排槽（1），所述晶圆快排槽（1）上设置有喷淋管（4）和用于对槽内去离子水进行电阻率检测的检测单元（5），所述晶圆快排槽（1）靠近所述检测单元（5）一侧的外壁上设置有磁体（3），其特征在于；所述磁体（3）设置为电磁铁，还包括安装在所述晶圆快排槽（1）上的自动调磁单元（6），根据所述晶圆快排槽（1）内去离子水的温度变化自动调节所述磁体（3）的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求。
2.根据权利要求1所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述自动调磁单元（6）包括下端安装在所述晶圆快排槽（1）内壁上的导热管（61），所述导热管（61）的上方设置有活动立杆（66），且所述活动立杆（66）的下端位于所述导热管（61）的内腔，所述活动立杆（66）的下端固定有弹性密封头（67），且所述弹性密封头（67）的外壁与所述导热管（61）的内壁滑动抵触，所述活动立杆（66）的上端安装有齿板（65），且所述齿板（65）与电流控制器（63）的调节旋钮（64）齿接，所述电流控制器（63）设置在所述晶圆快排槽（1）的上方；
3.根据权利要求2所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：还包括分段上升单元，用于控制所述齿板（65）分段向上运动。
4.根据权利要求3所述的一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，其特征在于：所述分段上升单元包括空心管（62），所述空心管（62）套设在所述导热管（61）上端外围并与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，邵毅，冯校亮，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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