【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器被广泛用作显示装置。近来，用于制造使用微型led装置(微型发光二极管装置)的高分辨率显示装置的技术已备受瞩目。
2、现有的微型led是在驱动基板的像素位置配备有微米(μm)级微型led的自发光显示器，并且具有例如高亮度、高功率效率、使用寿命长以及各种形状要素(form factor)的优点。然而，将微米(μm)级微型led设置在驱动基板的像素位置的转移工序是通过取放方法来执行的，取放方法难以确保生产率和经济可行性。尤其，需要其他方法来制造大面积的微型led显示器。
3、此外，有机金属化学气相沉积(mocvd)方法通常用于形成氮化镓层。在这样的mocvd方法中，氮化镓层在基板的温度被调整至约1200摄氏度(℃)的高温时沉积。也就是说，当保持基板处于约1200℃的高温时，氮化镓层可以沉积在基板上。
4、然而，当氮化镓层在基板被加热至高温时形成时，基板或形成在基板上的层可能会损坏。这是导致微型led发光产生劣化或造成缺陷的因素，尤其是，存在大幅降低需要稳定开关运行的显示装置的质量和可靠性的问题。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术在于解决上述问题，并且在于提供一种可以通过原子层沉积(ald)方法在低温下形成氮化镓层和砷化镓层的制造方法。
3、技术方案
4、为了完成上述目的，本专利技术的实施例提供一种制
5、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在包含锗的硅基板上或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成氮化镓层的工序，形成氮化镓层的工序包括依次将镓前体和氮前体供应到腔室中，其中，依次将镓前体和氮前体供应到腔室中包括如下步骤：a)在500℃以下，通过气体喷射器使镓前体流入腔室中；以及b)通过气体喷射器使氮前体流动，以在硅基板或基板上形成氮化镓。
6、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在包含锗的硅基板上或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的氮化镓层、n型氮化镓层、有源层和p型氮化镓层中的至少一个氮化镓层的工序，形成至少一个氮化镓层的工序包括：在500℃以下，依次供应镓前体和氮前体，以在硅基板或基板上形成氮化镓层，其中，当供应氮前体时，产生等离子体。
7、该方法还包括：在形成氮化镓层之后，将氮化镓层暴露于含氢的等离子体。
8、形成n型氮化镓层的工序还包括供应硅前体，其中，形成有源层的工序还包括供应铟前体，其中，形成p型氮化镓层的工序还包括供应镁前体。
9、该方法还包括：在供应镓前体和供应氮前体之间产生含氢的等离子体。
10、该方法还包括：在供应镓前体之前，将硅基板或基板暴露于包含氟和氯中的至少一者的气体，以移除硅基板或基板上的氧化物和杂质。
11、移除硅基板或基板上的氧化物和杂质在与用于形成氮化镓层的腔室或系统相同的腔室或系统中进行。
12、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的砷化镓层、n型砷化镓层、有源层和p型砷化镓层中的至少一个砷化镓层的工序，形成至少一个砷化镓层的工序包括如下步骤：a)在500℃以下，依次供应i)镓前体和ii)砷化物前体，以在硅基板或基板上形成砷化镓层；以及b)将砷化镓层暴露于含氢的等离子体，其中，重复步骤a)和步骤b)多次。
13、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成砷化镓层的工序，形成砷化镓层的工序包括依次将镓前体和砷化物前体供应到腔室中，其中，依次将镓前体和砷化物前体供应到腔室中包括如下步骤：a)在500℃或以下，通过气体喷射器使镓前体流入腔室中；以及b)通过气体喷射器使砷化物前体流动，以在硅基板或基板上形成砷化镓层。
14、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的砷化镓层、n型砷化镓层、有源层和p型砷化镓层的至少一个砷化镓层的工序，形成至少一个砷化镓层的工序包括在500℃以下，依次供应镓前体和砷化物前体，以在硅基板或基板上形成砷化镓层，其中，当供应砷化物前体时，产生等离子体。
15、该方法还包括：在形成砷化镓层之后，将砷化镓层暴露于含氢的等离子体。
16、形成n型砷化镓层的工序还包括供应硅前体，其中，形成有源层的工序还包括供应铟前体，其中，形成p型砷化镓层的工序还包括供应镁前体。
17、该方法还包括：在供应镓前体和供应砷化物前体之间产生含氢的等离子体。
18、该方法还包括：在供应镓前体之前，将硅基板或基板暴露于包含氟和氯中的至少一者的气体，以移除硅基板或基板上的氧化物和杂质。
19、移除硅基板或基板上的氧化物和杂质在与用于形成砷化镓层的腔室或系统相同的腔室或系统中进行。
20、该方法还包括：形成封装层，以防止水气或氧气渗透硅基板或基板。
21、该方法还包括在硅基板或基板上形成纯硅层。
22、本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：将至少一个基板装载到位于包括气体喷射器的原子层沉积腔室中的基板支撑件上，至少一个基板包括包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板；将基板支撑件保持在500℃以下；a)通过气体喷射器使镓前体流入原子层沉积腔室中；b)使用于吹除镓前体的吹除气体流入原子层沉积腔室中；c)通过气体喷射器使氮前体或砷化物前体流入原子层沉积腔室中，以在至少一个基板上形成氮化镓层或砷化镓层；以及d)通过气体喷射器使含氢气体流入原子层沉积腔室中，以产生氢等离子体，其中，重复步骤a)至步骤d)多次。
23、有益效果
24、根据本专利技术，可以实现以下效果。
25、根据本专利技术的实施例，通过低温工序形成氮化镓层和砷化镓层，从而防止半导体装置由于高温热量而损坏。此外，可以省略用于形成氮化镓层和砷化镓层的基板的转移工序，从而减少显示装置的制造时间和制造成本。
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1.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的氮化镓层、未掺杂的砷化镓层、N型氮化镓层、N型砷化镓层、有源层、P型氮化镓层和P型砷化镓层中的至少一个氮化镓层或至少一个砷化镓层的工序，
2.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成氮化镓层或砷化镓层的工序，
3.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的氮化镓层、未掺杂的砷化镓层、N型氮化镓层、N型砷化镓层、有源层、P型氮化镓层和P型砷化镓层中的至少一个氮化镓层或至少一个砷化镓层的工序，
4.如权利要求2或3所述的制造半导体装置的方法，还包括：在形成所述氮化镓层或所述砷化镓层之后，将所述氮化镓层或所述砷化镓层暴露于含氢的等离子体。
5.如权利要求1或3所述的制造半导体装置的方法，其中，形成所述N型氮化镓层或所述N型砷化镓层的工序还包括供应硅前体，
6.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括：在供应所述镓前体和供应所述氮
7.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括：在供应所述镓前体之前，将所述硅基板或所述基板暴露于包含氟和氯中的至少一者的气体，以移除所述硅基板或所述基板上的氧化物和杂质。
8.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，移除所述硅基板或所述基板上的氧化物和杂质在与用于形成所述氮化镓层或所述砷化镓层的腔室或系统相同的腔室或系统中进行。
9.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括：形成封装层，以防止水气或氧气渗透所述硅基板或所述基板。
10.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括：在所述硅基板或所述基板上形成纯硅层。
11.一种制造半导体装置的方法，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的氮化镓层、未掺杂的砷化镓层、n型氮化镓层、n型砷化镓层、有源层、p型氮化镓层和p型砷化镓层中的至少一个氮化镓层或至少一个砷化镓层的工序，
2.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成氮化镓层或砷化镓层的工序，
3.一种制造半导体装置的方法，包括在包含锗的硅基板或其上形成有包含锗的硅层的基板上形成未掺杂的氮化镓层、未掺杂的砷化镓层、n型氮化镓层、n型砷化镓层、有源层、p型氮化镓层和p型砷化镓层中的至少一个氮化镓层或至少一个砷化镓层的工序，
4.如权利要求2或3所述的制造半导体装置的方法，还包括：在形成所述氮化镓层或所述砷化镓层之后，将所述氮化镓层或所述砷化镓层暴露于含氢的等离子体。
5.如权利要求1或3所述的制造半导体装置的方法，其中，形成所述n型氮化镓层或所述n型砷化...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹源泰，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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