【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于集成电路技术，特别是关于一种包含横向扩散沟槽型金属氧化物半导体元件之集成电路结构。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet)是最常被应用在集成电路中的元件，其包含水平式结构，例如横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，ldmos)场效晶体管(fet)，以及垂直式结构，例如平面型栅极金属氧化物半导体场效晶体管(planar gatemosfet)、沟槽型栅极金属氧化物半导体场效晶体管(trench gate mosfet)，其中沟槽型栅极mosfet将栅极设置于沟槽内。
2、为了达到耐高压的效果，可以在横向扩散金属氧化物半导体场效晶体管中扩大场板(field plate)和漂移区(drift region)的长度，或者在沟槽型栅极金属氧化物半导体场效晶体管中扩大沟槽的深度，然而，这些方式会造成元件尺寸增加、与其他元件的工艺不兼容、及增加工艺难度等问题。
3、此外，对于沟槽型式的场板结构，当元件处于截止状态时，场板通常会被来自于漏极的正电压充电；而当元件处于导通状态时，场板通常会放电。亦即，场板会随着元件在截止状态及导通状态间的切换而被充电或放电，此造成了无谓的功率消耗。
4、因此，业界极需在集成电路中能够满足各方面需求的金属氧化物半导体元件。
技术实现思路p>
1、有鉴于此，本专利技术提出一种包含横向扩散沟槽型金属氧化物半导体元件之集成电路结构，以解决习知技术存在的缺失。
2、根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体元件，包括基底、阱区、第一场板、第二场板、第一二极管及第二二极管。基底具有第一导电类型。阱区具有第二导电类型，且设置于基底上。第一场板设置于基底上，第二场板设置于基底上，且侧向分离于第一场板。第一二极管，包含阳极和阴极，其中第一二极管的阳极邻接阱区，且第一二极管的阴极包含部分的阱区。第二二极管，包含阳极和阴极，其中第二二极管的阳极电连接第一二极管的阳极，且第二二极管的阴极电连接第二场板。
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1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述源极电极的电位与所述第一场板的电位相同。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极设置于所述第一沟槽内，且纵向分离于所述第一场板。
8.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极设置于所述阱区上，且所述源极区位于所述栅极和所述第一沟槽之间。
9.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第一基体区的底面及所述第二基体区的底面分别高于所述第一场板及所述第二场板的顶面。
10.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，邻接所述第二基体区的所述阱区构成所述第一二极管的一阴极。
11.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第二二
12.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体层的垂直投影面容纳于所述第二沟槽的垂直投影面内。
13.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，所述第二二极管的所述阴极及所述第二场板电性接地。
14.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
15.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，在一俯视图中，所述第一沟槽环绕所述第二沟槽，且所述第一沟槽及所述第二沟槽分别具有一闭合形状。
16.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
17.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
18.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述第三基体区的底面高于所述第三场板的顶面。
19.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述第三二极管的所述阴极包括邻接所述第三基体区的所述阱区。
20.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述第四二极管包含一图案化半导体层，设置于所述第三场板的正上方，且侧向分离于所述第三基体区。
21.如权利要求20所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体层的垂直投影面容纳于所述第三沟槽的垂直投影面内。
22.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述第四二极管的所述阴极及所述第三场板电性接地。
23.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述第四二极管的所述阴极未电连接至所述第二二极管的所述阴极。
24.如权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，在一俯视图中，所述第一沟槽环绕所述第二沟槽及所述第三沟槽，且所述第一沟槽、所述第二沟槽及所述第三沟槽分别具有一闭合形状。
25.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一场板及所述第二场板设置于所述阱区上。
26.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一二极管的所述阳极设置于所述第二场板之上。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述源极电极的电位与所述第一场板的电位相同。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极设置于所述第一沟槽内，且纵向分离于所述第一场板。
8.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极设置于所述阱区上，且所述源极区位于所述栅极和所述第一沟槽之间。
9.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第一基体区的底面及所述第二基体区的底面分别高于所述第一场板及所述第二场板的顶面。
10.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，邻接所述第二基体区的所述阱区构成所述第一二极管的一阴极。
11.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第二二极管包含一图案化半导体层，设置于所述第二场板的正上方，且侧向分离于所述第二基体区。
12.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体层的垂直投影面容纳于所述第二沟槽的垂直投影面内。
13.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，所述第二二极管的所述阴极及所述第二场板电性接地。
14.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
15.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈劲甫，
申请(专利权)人：艾科微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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