【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二维钙钛矿单晶及其制备方法，以及包括二维钙钛矿单晶的x射线探测器。
技术介绍
1、具有大半径阳离子的二维杂化钙钛矿因为具有良好的光电性能、低检测限和优异的环境稳定性的特性，被认为是光电子学中有前途的候选材料。由于钙钛矿拥有层状pbx62-八面体和有机间隔物组成的本征量子阱结构，导致电学性能相对较差，并且具有严重的载流子复合。目前，大多数人关于改善二维杂化钙钛矿的工作都集中在量子阱工程上，通过减少有机层厚度或增加pbx62-八面体网络的层厚度来提高光电性能。然而，这种方法在大多数情况下会削弱结构稳定性，并导致严重的离子迁移，这将导致器件稳定性的下降。因此，需要研究出一种既能提升钙钛矿的光电性能，同时维持其稳定性的方法。
2、一方面，通过在增加八面体网络层厚度的过程中，为了维持结构稳定要加入cs+、ma+等小分子。但是，上述的小分子在钙钛矿中更容易迁移，导致严重的离子迁移；同时钙钛矿容易出现相偏析的情况，导致材料化学稳定性减弱。另一方面，减少有机层厚度过程中，也是通过使用较小尺寸分子作为有机分子，然而也会发生上述问题，造成钙钛矿稳定性下降的情况。
3、综上，目前尚未研究出在提升二维钙钛矿光电性能的同时能阻止离子迁移，提高材料化学稳定性的方法。
技术实现思路
1、本专利技术旨在解决二维钙钛矿量子阱工程提升光电性能时化学稳定性变差和离子迁移严重的问题，提出了一种二维钙钛矿单晶及其制备方法、x射线探测器。
2、本专利技术的技术方法如下：<...
【技术保护点】
1.一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述小有机分子包括乙胺、甲胺、甲脒、二甲胺、胍、丙胺中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S1步骤中的氢卤酸包括氢氟酸、盐酸、氢溴酸、氢碘酸中的一种或多种；
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸与小有机分子的摩尔比例为1-3：1；
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S1步骤包括：小有机分子中氢被卤素取代。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S2步骤中，升温的温度为40-70℃，保温的时间为12-24h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述结晶的步骤包括：
8.一种二维钙钛矿单晶，其特征在于，所述二维钙钛矿单晶由权利要求1-7任一项所述的二维钙钛矿单晶的制备方法得到。
9.根据权利要求8所述的二维钙钛矿单晶，其特征在于，所述二维钙钛矿单晶中相邻无机层之间的距离为二维钙钛矿单晶的离子
10.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测器包括权利要求8或9中的二维钙钛矿单晶。
...【技术特征摘要】
1.一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述小有机分子包括乙胺、甲胺、甲脒、二甲胺、胍、丙胺中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s1步骤中的氢卤酸包括氢氟酸、盐酸、氢溴酸、氢碘酸中的一种或多种；
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸与小有机分子的摩尔比例为1-3：1；
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s1步骤包括：小有机分子中氢被卤素取代。
6.根据权利要求1所述的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵一英，李海宾，蒋伟，赵莹莹，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院材料研究所，
类型：发明
国别省市：
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