【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体生产，具体涉及一种晶圆表面处理系统及方法、计算机可读存储介质。
技术介绍
1、槽式清洗机是晶圆清洗过程中的常用设备。利用槽式清洗机的最后一个清洗槽一般为快排槽，现有技术中晶圆在快排槽内清洗时，采用快速排空去离子水并快速将晶圆提拉至干燥区域，这样的工作方式，可以通过快速排空去离子水使得去离子水从晶圆表面迅速剥离，而快速提拉晶圆，可以极大地缩短工艺时间，增加机台产能，但是这种方式的实施容易出现晶圆10的边缘2mm范围内的固定位置01(具体是晶圆与快排槽底部的支撑件接触位置附近)因少部分水膜残留而在干燥后引起污染的问题(如图1及图2所示)。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆表面处理系统及方法、计算机可读存储介质，旨在改善晶圆的清洗质量，减少晶圆表面出现污染物。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶圆表面处理方法，包括：
3、将晶圆承载于快排槽底部的支撑件上，且浸没于去离子水的液面以下；
4、排出所述快排槽内的部分去离子水，以使得去离子水的液面不低于所述支撑件；
5、使第一机械臂部分地伸入所述快排槽，并使所述第一机械臂上的接触部不低于去离子水的液面；
6、使所述接触部与所述晶圆接触，以使得所述第一机械臂夹持所述晶圆；
7、使所述第一机械臂携带所述晶圆以第一速度向上运动至所述晶圆的下端抵达去离子水的液面；以及，
8、使所述第一机械臂携带所述晶圆以第二速度向上运动至所
9、可选地，所述第一速度为0.8mm/s～2mm/s，所述第二速度为150mm/s～253mm/s。
10、可选地，所述排出所述快排槽内的部分去离子水，以使得去离子水的液面不低于所述支撑件的步骤中，去离子水的液面的下降速度为2mm/s～8mm/s。
11、可选地，所述晶圆表面处理方法还包括：
12、将所述晶圆转移至干燥装置以进行干燥。
13、可选地，所述干燥装置包括箱体和负压发生部，所述箱体与所述负压发生部连接；
14、所述将所述晶圆转移至干燥装置以进行干燥的步骤包括：
15、将所述晶圆转移至所述箱体内；
16、利用所述负压发生部对所述箱体抽真空。
17、可选地，所述晶圆表面处理方法还包括：
18、使第二机械臂沿预设路径运动，以使得所述第二机械臂从上片槽获取待清洗的所述晶圆，并将所述晶圆搬运至与所述第二机械臂对应的若干个所述清洗槽中进行清洗；
19、所述使所述第二机械臂沿预设路径运动的步骤包括：
20、将所述预设路径划分为多个不同的路段，并对所述第二机械臂在各个所述路段的运动速度分别进行控制。
21、为实现上述目的，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，当所述程序执行时，执行如前任一项所述的晶圆表面处理方法中的至少部分步骤。
22、为实现上述目的，本专利技术还提供了一种晶圆表面处理系统，至少包括清洗装置和控制单元，所述清洗装置包括快排槽和第一机械臂，所述快排槽的槽底设置有支撑件，且所述快排槽的槽壁上还设有排液阀；所述第一机械臂对应于所述快排槽布置，并包括接触部；所述控制单元与所述第一机械臂、所述排液阀通信连接，并被配置用于执行如前所述的晶圆表面处理方法中的至少部分步骤。
23、可选地，还包括干燥装置，所述干燥装置包括箱体和负压发生部，所述负压发生部与所述箱体连通；所述控制单元与所述负压发生部通信连接，并被配置用于控制所述负压发生部对所述箱体抽真空，以对容置于所述箱体内的所述晶圆进行干燥。
24、可选地，所述清洗装置还包括上片槽、清洗槽和第二机械臂，所述第二机械臂与所述上片槽和若干个所述清洗槽对应设置，并被配置用于沿预设路径在所述上片槽及对应的若干个所述清洗槽之间运动；
25、所述控制单元还与所述第二机械臂通信连接，并被配置用于将所述预设路径划分为多个不同的路段，且对所述第二机械臂在各个所述路段的运动速度分别进行控制，以使得所述第二机械臂在每个所述路段上以对应的运动速度运动。
26、与现有技术相比，本专利技术的晶圆表面处理系统及方法、计算机可读存储介质具有如下优点：
27、所述晶圆表面处理方法包括：将晶圆承载于快排槽底部的支撑件上，且浸没于去离子水的液面以下；排出所述快排槽内的部分去离子水，以使得去离子水的液面不低于所述支撑件；使第一机械臂部分地伸入所述快排槽，并使得所述第一机械臂上的接触部不低于去离子水的液面；使所述接触部与所述晶圆接触以使得所述第一机械臂夹持所述晶圆；使所述第一机械臂携带所述晶圆以第一速度向上运动至所述晶圆的下端抵达去离子水的液面；以及，使所述第一机械臂携带所述晶圆以第二速度向上至所述晶圆不低于所述快排槽的槽口。如此处理，使得晶圆在脱离快排槽时可以充分地与去离子水剥离，减少甚至避免所述晶圆上残留水膜，进而减少甚至避免后续晶圆干燥后在晶圆边缘2mm范围内的固定位置发生因残留水膜干燥形成污染物的现象。
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1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二速度大于所述第一速度；所述第一速度为0.8mm/s～2mm/s，所述第二速度为150mm/s～253mm/s。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述排出所述快排槽内的部分去离子水，以使得去离子水的液面不低于所述支撑件的步骤中，去离子水的液面的下降速度为2mm/s～8mm/s。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述干燥装置包括箱体和负压发生部，所述箱体与所述负压发生部连接；
6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括：
7.一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，其特征在于，当所述程序执行时，执行如权利要求1-6中任一项所述的晶圆表面处理方法中的至少部分步骤。
8.一种晶圆表面处理系统，其特征在于，至少包括清洗装置和控
9.根据权利要求8所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，还包括干燥装置，所述干燥装置包括箱体和负压发生部，所述负压发生部与所述箱体连通；所述控制单元与所述负压发生部通信连接，并被配置用于控制所述负压发生部对所述箱体抽真空，以对容置于所述箱体内的所述晶圆进行干燥。
10.根据权利要求8所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述清洗装置还包括上片槽、清洗槽和第二机械臂，所述第二机械臂与所述上片槽和若干个所述清洗槽对应设置，并被配置用于沿预设路径在所述上片槽及对应的若干个所述清洗槽之间运动；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二速度大于所述第一速度；所述第一速度为0.8mm/s～2mm/s，所述第二速度为150mm/s～253mm/s。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述排出所述快排槽内的部分去离子水，以使得去离子水的液面不低于所述支撑件的步骤中，去离子水的液面的下降速度为2mm/s～8mm/s。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述干燥装置包括箱体和负压发生部，所述箱体与所述负压发生部连接；
6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括：
7.一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，其特征在于，当所述程序执行时，执行如权利要求1-6中任一项所述的晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱耀武，王伟，蒋俊南，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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